“內(nèi)存刷新”，感覺很術(shù)語化，實(shí)際上就是對存儲單元進(jìn)行定期的充電，防止數(shù)據(jù)丟失。每個(gè)存儲單元可以看成一個(gè)個(gè)電容，或者電池，會漏電。所以在使用的過程中，要定期補(bǔ)充電荷。

通常主板上使用的內(nèi)存條應(yīng)該叫做 DRAM ，其中的數(shù)據(jù)是靠電容特性存儲的。由于電容會放電，要維持?jǐn)?shù)據(jù)，就要不斷的給它充電。給 DRAM 定期充電的機(jī)制就叫做數(shù)據(jù)刷新時(shí)鐘電路，即內(nèi)存刷新電路。

SDRAM有兩種刷新方式：auto refresh 和 self refresh，

auto refresh(自動刷新) 是在其使用過程當(dāng)中每隔一段時(shí)間發(fā)出刷新指令，SDRAM刷新一行，

self refresh（自刷新）是在省電模式時(shí)使用

刷新操作分為兩種：自動刷新（Auto Refresh，簡稱AR）與自刷新（Self Refresh，簡稱SR）。不論是何種刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因?yàn)檫@是一個(gè)內(nèi)部的自動操作。

對于AR， SDRAM內(nèi)部有一個(gè)行地址生成器（也稱刷新計(jì)數(shù)器）用來自動的依次生成行地址。由于刷新是針對一行中的所有存儲體進(jìn)行，所以無需列尋址，或者說CAS在RAS之前有效。所以，AR又稱CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有L-Bank，因此在刷新過程中，所有L-Bank都停止工作，而每次刷新所占用的時(shí)間為9個(gè)時(shí)鐘周期（PC133標(biāo)準(zhǔn)），之后就可進(jìn)入正常的工作狀態(tài)，也就是說在這9 個(gè)時(shí)鐘期間內(nèi)，所有工作指令只能等待而無法執(zhí)行。64ms之后則再次對同一行進(jìn)行刷新，如此周而復(fù)始進(jìn)行循環(huán)刷新。顯然，刷新操作肯定會對SDRAM的性能造成影響，但這是沒辦法的事情，也是DRAM相對于SRAM（靜態(tài)內(nèi)存，無需刷新仍能保留數(shù)據(jù)）取得成本優(yōu)勢的同時(shí)所付出的代價(jià)。

SR則主要用于休眠模式低功耗狀態(tài)下的數(shù)據(jù)保存，這方面最著名的應(yīng)用就是STR（Suspend to RAM，休眠掛起于內(nèi)存）。在發(fā)出AR命令時(shí)，將CKE置于無效狀態(tài)，就進(jìn)入了SR模式，此時(shí)不再依靠系統(tǒng)時(shí)鐘工作，而是根據(jù)內(nèi)部的時(shí)鐘進(jìn)行刷新操作。在SR期間除了CKE之外的所有外部信號都是無效的（無需外部提供刷新指令），只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并進(jìn)入正常操作狀態(tài)。

自刷新（Self Refresh，簡稱SR）時(shí)CKE為低，自動刷新（Auto Refresh，簡稱AR）時(shí)CKE為高。