晶體管制造工藝在近年來(lái)發(fā)展得不是非常順利，行業(yè)巨頭英特爾的主流產(chǎn)品長(zhǎng)期停滯在14nm上，10nm工藝性能也遲遲得不到改善。臺(tái)積電、三星等巨頭雖然在積極推進(jìn)7nm乃至5nm工藝，但是其頻率和性能
2020-07-07 11:38:14
，用于處理的信息流需要一系列技術(shù)。SoC的故障檢測(cè)器可確保操作按預(yù)期進(jìn)行，以阻止物理篡改攻擊。RISC-V指令集架構(gòu)支持物理內(nèi)存保護(hù)（PMP）和物理內(nèi)存特性（PMA），SiFive Shield正是
2020-08-13 15:16:54
臺(tái)積電0.18工藝電源電壓分別是多少？是1.8v跟3.3v嗎？
2021-06-25 06:32:37
臺(tái)積電宣布5nm基本完工開(kāi)始試產(chǎn)：面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
` 觀點(diǎn)：在技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)下，臺(tái)積電獲得蘋(píng)果iPhone5芯片追加訂單已成事實(shí)。然而，在iPhone 5推出后，蘋(píng)果已朝下一世代A7處理器邁進(jìn)，臺(tái)積電憑借技術(shù)領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)，預(yù)估未來(lái)1-2年內(nèi)
2012-09-27 16:48:11
制造技術(shù)為今年的10.5寸和12.9英寸iPad Pro制造A10X芯片。事實(shí)上，A10X是第一款采用該技術(shù)生產(chǎn)的芯片，盡管臺(tái)積電還有其他客戶。 相比之下，iPhone 7和7 Plus中使用的A10
2017-08-17 11:05:18
采用印刷臺(tái)手工印刷焊膏的工藝看完你就懂了
2021-04-25 07:06:44
；*** CryptoCell技術(shù)有助于強(qiáng)化安全SoC設(shè)計(jì)；采用ARM Cordio? radio IP的完整無(wú)線解決方案，支持802.15.4 和Bluetooth? 5；通過(guò)ARM mbed? Cloud，云服務(wù)能夠支持物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的安全管理；ARM Artisan? IoT POP IP針對(duì)臺(tái)積電40ULP工藝實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。
2019-10-23 08:21:13
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問(wèn)題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
ADP SoC是在臺(tái)積電28HPM工藝上實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)芯片，提供以下功能：
?一個(gè)用于ARMv8-A軟件和工具開(kāi)發(fā)的平臺(tái)，能夠在基于Linaro的內(nèi)核（如Linux和Android）上對(duì)軟件交付進(jìn)行穩(wěn)健
2023-08-02 08:54:51
128Mbit，3V，采用90nm MirrorBit工藝技術(shù)的頁(yè)面閃存
2023-03-25 03:30:11
<br/>? 九. 檢驗(yàn)工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動(dòng)貼裝設(shè)備的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開(kāi)發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問(wèn)題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過(guò)優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
蘋(píng)果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管升級(jí)版（FinFET Plus）將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn)，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)，在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
芯片PMIC 5即將問(wèn)世，由于改為BCD制程，臺(tái)積電憑借先進(jìn)制程技術(shù)優(yōu)勢(shì)，可望拿下高通新一代PMIC 5訂單約70~80%數(shù)量，并牽動(dòng)高通電源管理芯片代工廠大洗牌。 業(yè)界推估高通各種用途電源管理芯片的年
2017-09-22 11:11:12
了高通的訂單。之后，中芯國(guó)際憑借極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格從Globalfoundries手中奪走了訂單，成為高通電源管理芯片的主要合作伙伴。我們知道，在高通的幫助下，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了28nm工藝量產(chǎn)，而且還加快14nm硅片的量產(chǎn)。由于產(chǎn)能、價(jià)格及新芯片技術(shù)的原因，此次高通將電源管理芯片交給了臺(tái)積電生產(chǎn)。
2017-09-27 09:13:24
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有PCB板三防工藝，三防時(shí)如何解決元器件腳尖端不留漆、絕緣不達(dá)標(biāo)的問(wèn)題。
2009-04-24 11:54:19
的寬度，也被稱(chēng)為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
nm晶圓廠進(jìn)入生產(chǎn)狀態(tài)。臺(tái)積電的5nm制程分為N5及N5P兩個(gè)版本。N5相較于當(dāng)前的7nm制程N7版本在性能方面提升了15%、功耗降低了30%，晶體管密度提升了80%。N5P版本性能較N5提升7
2020-03-09 10:13:54
究竟。U540 是第一款采用開(kāi)源 RISC-V 指令的多核 SoC，也是首款提供高速緩存一致性的 SoC。該處理器旨在運(yùn)行 Linux 應(yīng)用，比如 AI、機(jī)器學(xué)習(xí)、網(wǎng)絡(luò)、網(wǎng)關(guān)和智能物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。采用臺(tái)積電
2020-08-02 11:52:23
綜合應(yīng)用的結(jié)晶。在全自動(dòng)貼片機(jī)中，應(yīng)用精密機(jī)械、高速高精度視覺(jué)檢測(cè)與控制、智能化檢測(cè)與控制及計(jì)算機(jī)數(shù)字控制等現(xiàn)代機(jī)一光一電一體化的綜合高技術(shù)，實(shí)現(xiàn)貼裝速度與準(zhǔn)確性和生產(chǎn)效率與靈活性的不斷提升
2018-11-22 11:08:10
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動(dòng)性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)：未來(lái)，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
交給代工廠來(lái)開(kāi)發(fā)和交付。臺(tái)積電是這一階段的關(guān)鍵先驅(qū)。
半導(dǎo)體的第四個(gè)時(shí)代——開(kāi)放式創(chuàng)新平臺(tái)
仔細(xì)觀察，我們即將回到原點(diǎn)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷成熟，工藝復(fù)雜性和設(shè)計(jì)復(fù)雜性開(kāi)始呈爆炸式增長(zhǎng)。工藝技術(shù)
2024-03-13 16:52:37
IP可適用于從大眾市場(chǎng)到前沿技術(shù)的各個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。在如此廣泛的代工選項(xiàng)中，具有新型高性能CPU特性的SiFive U8系列IP通過(guò)了適應(yīng)性驗(yàn)證，這使得SiFive U8系列在設(shè)計(jì)目標(biāo)和SoC設(shè)計(jì)支持方面
2020-08-13 15:14:50
各類(lèi)常用工藝庫(kù)臺(tái)積電，中芯國(guó)際，華潤(rùn)上華
2015-12-17 19:52:34
IC設(shè)計(jì)能力和EDA工具卻相對(duì)落后于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，兩者之間日益加劇的差距已經(jīng)成為SOC技術(shù)發(fā)展過(guò)程中一個(gè)突出的障礙。采用基于IP復(fù)用技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)是減小這一差距惟一有效的途徑，IP復(fù)用技術(shù)包括
2019-07-26 06:19:34
全體會(huì)議上，3GPP成功完成首個(gè)5G NR規(guī)范——這是在2019年實(shí)現(xiàn)5G NR商用部署之路上一個(gè)重要的行業(yè)里程碑。首個(gè)5G NR規(guī)范不僅支持開(kāi)始于2019年的增強(qiáng)型移動(dòng)寬帶的部署，同時(shí)也為擴(kuò)展5G網(wǎng)絡(luò)至幾乎所有行業(yè)、所有物體，以及所有連接打下了基礎(chǔ)。那么，哪些無(wú)線技術(shù)定義了首個(gè)5G NR規(guī)范呢？
2019-06-18 08:14:52
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
M3 Bluetooth 5 SoC平臺(tái)提供了業(yè)界首個(gè)完全符合標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)電池Bluetooth 5解決方案，并具有多源能量收集技術(shù)。為了減少I(mǎi)oT應(yīng)用對(duì)電池的依賴性，Atmosic開(kāi)發(fā)了三項(xiàng)技術(shù)-最低
2020-09-03 16:29:03
宏的形式，設(shè)計(jì)使用***臺(tái)積電（TSMC）的40G40nm制造工藝技術(shù)制造。Osprey硬宏分別針對(duì)功耗和性能作了優(yōu)化，而針對(duì)性能的優(yōu)化使得ARM處理器完全進(jìn)入了高性能應(yīng)用競(jìng)爭(zhēng)領(lǐng)域?！癘sprey
2016-09-10 09:49:21
電子設(shè)備的價(jià)格將上漲。臺(tái)積電是蘋(píng)果的主要芯片供應(yīng)商，為蘋(píng)果制造5nm芯片，用于iPhone 12、MacBook等產(chǎn)品中。而芯片是設(shè)備中最重要和最昂貴的組件之一。例如，iPhone 12最昂貴的三個(gè)
2021-09-02 09:44:44
μm的間距粘植直徑為300μm±10μm的焊球。 首先采用680μm厚的晶圓對(duì)工藝進(jìn)行初步驗(yàn)證，之后才在更薄的150μm晶圓上成功實(shí)現(xiàn)焊球粘植。 焊球粘植工藝需要兩臺(tái)排成直線的印刷機(jī)。第一臺(tái)在晶圓焊
2011-12-01 14:33:02
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來(lái)形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
增加了臺(tái)積電的訂單，后者的業(yè)績(jī)也得以節(jié)節(jié)高升?！ ntel：10nm制程計(jì)劃延后 先進(jìn)的制造工藝一直是Intel橫行江湖的最大資本，不過(guò)受技術(shù)難度和市場(chǎng)因素的種種不利影響，Intel前進(jìn)的步伐也逐漸
2016-01-25 09:38:11
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
陶瓷（LTCC）多層基材的工藝技術(shù)已達(dá)到該要求?！ ‖F(xiàn)在，新設(shè)計(jì)的芯片內(nèi)部電極的制造工藝對(duì)位置控制更為精確，進(jìn)而生產(chǎn)出高Q值的0402和0603系列中的積層電感MLG0402Q和MLG0603P系列。積
2019-05-30 06:00:38
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來(lái)越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點(diǎn)
2009-03-25 14:44:33
30 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實(shí)際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1766 無(wú)鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1．無(wú)鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2006-04-16 21:37:53
669 IC工藝技術(shù)問(wèn)題 集成電路芯片偏置和驅(qū)動(dòng)的電源電壓Vcc是選擇IC時(shí)要注意的重要問(wèn)題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級(jí)
2009-08-27 23:13:38780 ADI完成制造工藝技術(shù)的升級(jí)，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對(duì)專(zhuān)有模擬、混合信號(hào)和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級(jí)和改進(jìn)，目的是
2009-12-24 08:44:23659 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容？
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們?？梢栽贑PU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項(xiàng)，其中有“
2010-02-04 10:41:53742 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來(lái)越高的趨勢(shì)，許多公司紛紛開(kāi)始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問(wèn)題，因
2010-03-30 16:43:081181 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值
2010-06-21 10:54:42914 
對(duì)3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類(lèi)及其常見(jiàn)鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對(duì)過(guò)去幾年國(guó)際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149 SOC的設(shè)計(jì)技術(shù)始于20世紀(jì)90年代中期，隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，IC設(shè)計(jì)者能夠?qū)⒂鷣?lái)愈復(fù)雜的功能集成到單硅片上，SOC正是在集成電路（IC）向集成系統(tǒng)（IS）轉(zhuǎn)變的大方向下產(chǎn)生的。
2012-08-02 15:24:071722 
本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計(jì)、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片，希望對(duì)大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:267238 賽普拉斯半導(dǎo)體公司和世界首個(gè)商業(yè)化量子計(jì)算公司--D-Wave Systems公司日前宣布，D-Wave已成功地將其獨(dú)有的制造量子計(jì)算微處理器的工藝技術(shù)移植到賽普拉斯位于明尼蘇達(dá)州布魯明頓的晶圓廠
2013-10-28 11:34:10732 2015年4月27日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）日前宣布推出一項(xiàng)全新的砷化鎵（GaAs）贗晶型高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的半導(dǎo)體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。
2015-04-28 11:37:09973 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測(cè)試工藝技術(shù)，很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 2017年6月2日，上?！请娮樱绹?guó) Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其數(shù)字、簽核與定制／模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術(shù)上實(shí)現(xiàn)。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341237 印刷電路板工藝：伴隨微間距LED顯示屏發(fā)展趨勢(shì)，4層、6層板被采用，印制電路板將采用微細(xì)過(guò)孔和埋孔設(shè)計(jì)，印制電路圖形導(dǎo)線細(xì)、微孔化窄間距化，加工中所采用的機(jī)械方式鉆孔工藝技術(shù)已不能滿足要求，迅速發(fā)展起來(lái)的激光鉆孔技術(shù)將滿足微細(xì)孔加工。
2018-07-06 14:11:063768 PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來(lái)完成的，無(wú)論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來(lái)詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 在14版本中，SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層，以實(shí)現(xiàn)EDA框架和設(shè)計(jì)流程的平滑過(guò)渡。該工藝技術(shù)層實(shí)際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個(gè)屬性對(duì)象的集合體，其中包括了很多基本屬性設(shè)置，比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項(xiàng)等等。
2019-10-08 15:17:412021 
6月11日消息，Moortec今天宣布其深度嵌入式監(jiān)控產(chǎn)品組合再添新成員 -- 基于臺(tái)積電N5工藝技術(shù)的分布式熱傳感器（DTS）。Moortec高度微?；疍TS的面積只有一些標(biāo)準(zhǔn)芯片內(nèi)熱傳感器
2020-06-15 15:04:322216 Moortec宣布其深度嵌入式監(jiān)控產(chǎn)品組合再添新成員 -- 基于臺(tái)積電N5工藝技術(shù)的分布式熱傳感器(DTS)。Moortec高度微?；疍TS的面積只有一些標(biāo)準(zhǔn)芯片內(nèi)熱傳感器解決方案的七分之一，還支持
2020-08-04 15:00:02696 蘋(píng)果公司的A14 Bionic SoC由118億個(gè)晶體管組成，采用臺(tái)積電（TSMC）的N5（5nm）工藝技術(shù)制成。該芯片封裝了六個(gè)通用處理內(nèi)核，其中包括兩個(gè)高性能FireStorm內(nèi)核和四個(gè)IceStorm內(nèi)核。SoC具有四集群GPU，具有11 TOPS性能的16核神經(jīng)引擎以及各種專(zhuān)用加速器。
2020-10-30 14:32:521833 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000 領(lǐng)先的移動(dòng)和汽車(chē)SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺(tái)積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21
2021-01-21 10:18:232385 SoC 設(shè)計(jì)與應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商Socionext Inc.(以下“Socionext”)宣布，公司將采用臺(tái)積電最新5nm制程工藝(N5P)用于下一代汽車(chē)定制芯片業(yè)務(wù)。Socionext汽車(chē)定制芯片
2021-02-05 11:50:271835 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 Siemens Digital Industries Software 宣布，其用于模擬、數(shù)字和混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)的電源完整性分析的全新 mPower? 解決方案現(xiàn)已通過(guò) TSMC 的 N7 和 N5 工藝技術(shù)認(rèn)證。
2022-03-16 14:36:141489 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876 ，包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。這一新的生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和臺(tái)積電共同開(kāi)發(fā)，旨在實(shí)現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計(jì)在臺(tái)積電工藝技術(shù)之間的自動(dòng)遷移。與人工遷移相比，已使用該流程的客戶成功地將遷移時(shí)間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801 2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽。總結(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對(duì)封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類(lèi)型,針對(duì)吸附劑易于飽和問(wèn)題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171 
是德科技與Intel Foundry的這次合作，無(wú)疑在半導(dǎo)體和集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域引起了廣泛的關(guān)注。雙方成功驗(yàn)證了支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件，為設(shè)計(jì)工程師們提供了更加先進(jìn)和高效的設(shè)計(jì)工具。
2024-03-08 10:30:37274
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