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Cadence數(shù)字、簽核與定制/模擬工具助力實(shí)現(xiàn)三星7LPP和8LPP工藝技術(shù)

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支持,包括三星SDS(三星數(shù)據(jù)系統(tǒng)公司)。業(yè)務(wù)挑戰(zhàn):如何有效管理開源軟件的使用三星集團(tuán)在電子、制造、金融、機(jī)械、化工、物流和服務(wù)等行業(yè)和市場擁有30多家下屬公司。作為全球信息通信技術(shù) (ICT) 服務(wù)
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三星電子有限公司使用Cadence統(tǒng)一數(shù)字流程,從RTL到GDSII,成功實(shí)現(xiàn)了20納米測試芯片的流片
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三星s8最新消息:定制三星S8系列已經(jīng)呼之欲出!限量2000部,三星s8/s8+推出韓亞航空版!

三星一向熱衷于在自家旗艦上推出各種定制版,例如三星S6 edge鋼鐵俠版、三星S7蝙蝠俠版等。只是萬萬沒想到,三星S8才剛剛發(fā)布,國行還沒影兒,定制三星S8系列已經(jīng)呼之欲出了。
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三星10納米工藝技術(shù)公告:全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布,其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù),10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
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2017-06-20 14:57:31976

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之前傳聞三星Galaxy Note 9將會采用7nm芯片組,但是根據(jù)今日最新消息,或?qū)⒉辉诓捎?b class="flag-6" style="color: red">7nm芯片組,同時(shí)三星宣布Galaxy S9智能手機(jī)將使用第二代10納米LPP處理器,并且10納米LPP芯片已經(jīng)進(jìn)行批量生產(chǎn)了。
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三星旗艦芯片Exynos 9810采用自家第二代10nm LPP工藝打造,官方確認(rèn)支持3D面部識別,單核處理速度可提高約2倍。
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Cadence宣布已在三星7LPP制程技術(shù)上成功流片GDDR6的IP芯片

根據(jù)國外媒體《AnandTech》的報(bào)導(dǎo),在人工智能,自駕車需求越來越大的情況下,顯示卡存儲器的發(fā)展也越來越積極。日前,Cadence就宣布,已經(jīng)在三星7LPP制程技術(shù)上成功流片GDDR6的IP芯片。
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中端SoC三星Exynos 9610發(fā)布: 支持480幀慢動作攝影

3月22日消息,三星發(fā)布了最新的中端SoCExynos 9610。這顆隸屬于Exynos 7系列的SoC,最核心的重點(diǎn)是,采用了10nm FinFET LPP工藝,強(qiáng)化深度學(xué)習(xí)并支持480幀慢動作
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EUV光刻技術(shù)競爭激烈,三星7納米EUV制程已完成新思科技物理認(rèn)證,臺積電緊追其后

EUV技術(shù)7納米制程,直接上7納米LPP EUV制程技術(shù)的原因。如今,三星終于公布了7納米LPP制程已完成新思科技(Synopsys)物理認(rèn)證,意味著7納米EUV制程將可全球量產(chǎn)了。
2018-06-19 15:06:005263

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關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭,三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會在2018年下半年投入生產(chǎn),此外,在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上,三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)
2018-05-25 11:09:004079

三星8nm LPP工藝利用 Mentor Tessent 工具節(jié)省大量設(shè)計(jì)測試時(shí)間

Mentor, a Siemens business 今天宣布,三星電子有限公司根據(jù)三星代工廠的 8nm LPP(低功耗 Plus)工藝對 MentorTessent 產(chǎn)品進(jìn)行了認(rèn)證。對于針對移動通信、高速網(wǎng)絡(luò)/服務(wù)器計(jì)算、加密貨幣和自動駕駛等市場的特大型設(shè)計(jì),這些工具可大幅縮短設(shè)計(jì)和測試時(shí)間。
2018-05-29 04:16:004750

三星 SAFE計(jì)劃現(xiàn)在已可提供與Synopsys的Lynx設(shè)計(jì)系統(tǒng)兼容的經(jīng)認(rèn)證

Synopsys宣布,Synopsys Design Platform已通過全球領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)企業(yè)三星電子的工藝認(rèn)證,支持三星代工部門的8nm LPP(低功耗+)工藝。Synopsys Design
2018-06-06 11:00:002057

基于三星11LPP的物理IP平臺概述

在去年的三星代工廠論壇上,Arm 與三星代工廠成功建立 14nm FinFET 合作伙伴關(guān)系,當(dāng)時(shí),基于三星代工廠 14nm 節(jié)點(diǎn)技術(shù)平臺的 Artisan IP 已經(jīng)大批量生產(chǎn)。
2018-06-21 14:51:435779

Arm和三星代工廠攜手推進(jìn)7nm先進(jìn)工藝

Arm 與三星代工廠宣布雙方合作之旅的新里程碑:為期待已久的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù),提供首款 7LPP (7nm Low Power Plus) 和 5LPE (5nm Low Power Early) 庫面市。
2018-06-21 14:55:504499

新思科技Fusion技術(shù)助力三星7LPP EUV工藝降低功耗、縮小面積并提高性能

新思科技設(shè)計(jì)事業(yè)部營銷與商務(wù)開發(fā)副總裁Michael Jackson表示:“我們與三星工具和參考流程合作重點(diǎn)在于使設(shè)計(jì)人員能夠使用三星最新的EUV 7LPP工藝在最高可信度下獲得最佳結(jié)果質(zhì)量。采用
2018-07-05 14:15:365170

Intel重申10nm工藝進(jìn)展良好 10nm處理器預(yù)計(jì)在2019年底的假期季節(jié)上市

三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),并表示基于EUV光刻技術(shù)7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。三星電子的代工銷售和營銷團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副
2018-10-19 16:10:553194

三星宣布已正式使用7納米LPP制程來生產(chǎn)晶圓 功耗降低50%效能提升提高20%

晶圓代工大廠三星宣布,正式開始使用其7納米LPP制程來生產(chǎn)晶圓。三星7納米LPP制程中使用極紫外光刻(EUV)技術(shù),這將使三星7納米LPP制程能夠明顯提升芯片內(nèi)的電晶體密度,同時(shí)優(yōu)化其功耗。此外,EUV技術(shù)的使用還能使客戶減少每個芯片所需的光罩?jǐn)?shù)量,在降低生產(chǎn)成本下,還能縮短其生產(chǎn)的時(shí)間。
2018-10-18 16:01:005337

三星宣布完成了7nm EUV工藝技術(shù)流程開發(fā)以及產(chǎn)線部署進(jìn)入量產(chǎn)階段

目前三星宣布已經(jīng)完成了整套7nm EUV工藝技術(shù)流程開發(fā)以及產(chǎn)線部署,進(jìn)入了可量產(chǎn)階段。三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學(xué)掩模流程,整個制造過程更加簡單了,節(jié)省了時(shí)間和金錢,又可以實(shí)現(xiàn)40%面積能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目標(biāo)。
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三星7nm LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),Intel重申10nm工藝進(jìn)展良好

在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn),并表示基于EUV光刻技術(shù)7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449

三星半導(dǎo)體已經(jīng)開始使用其7LPP制造工藝生產(chǎn)芯片

三星在其位于韓國華城的Fab S3生產(chǎn)7LPP EUV芯片。該公司每天可以在其ASML Twinscan NXE:3400B EUVL步進(jìn)掃描系統(tǒng)和每個280 W光源上處理1500個晶圓。三星沒有
2018-10-22 16:31:145577

三星正式發(fā)布新旗艦SoC,Galaxy S10將明年2月首發(fā)

Exynos 9820基于三星8nm LPP FinFET工藝打造,相較于10nm LPP工藝,功耗降低了10%。技術(shù)規(guī)格方面,Exynos 9820的CPU架構(gòu)為兩顆自研大(第四代)、兩顆
2018-11-19 16:43:204642

三星Exynos9系列處理器采用8nmLPP工藝首次集成NPU

三星發(fā)布Exynos9系列處理器新品Exynos9820,最受關(guān)注的莫過于其首次集成了NPU。關(guān)于這款處理器此前已有所曝光,不過,Exynos9820并未采用傳言中的7nm EUV,而是使用8
2018-11-23 12:00:333207

為了彌補(bǔ)DRAM內(nèi)存降價(jià)導(dǎo)致的損失,三星明年將加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)

在晶圓代工方面,三星之前也是有過光輝歷史的,在32nm、14nm及10nm節(jié)點(diǎn)率先量產(chǎn),不過7nm節(jié)點(diǎn)上三星進(jìn)度落后于臺積電,自家的Exynos 9820處理器也沒有趕上7nm EUV工藝,還是用
2018-12-17 16:59:443357

三星Exynos9810解讀 與驍龍845哪個更好

1月4日,三星正式發(fā)布了Exynos 9810頂級移動處理器,基于三星第二代10nm FinFET LPP工藝打造,與高通驍龍845使用相同的制造工藝。僅在制程層面,相較第一代LPE (Low Power Early),新工藝就可讓芯片性能提升10%,功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659

主流代工廠芯片制造工藝主要晶圓廠的最新工藝進(jìn)展

代10nm工藝,從另一個角度實(shí)現(xiàn)性能提升。與臺積電不同的是,三星在10nm工藝上使用重圖案光刻技術(shù),且三星認(rèn)為其10納米工藝系列(包括8納米衍生產(chǎn)品)的生命周期將會很長。
2019-02-25 16:29:087303

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)

4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233799

NVIDIA或?qū)⒅匦聯(lián)肀?b class="flag-6" style="color: red">三星 新圖形芯片Ampere將采用三星7nmEUV制程

6月4日消息,據(jù)Digitimes報(bào)道,臺積電持續(xù)保持先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢,7nm制程包攬了大廠訂單,三星決定跳過7nm制程,直接上7nm LPP EVU制程。
2019-06-05 16:40:263285

新思宣布先進(jìn)工藝良率學(xué)習(xí)平臺設(shè)計(jì)取得最大突破 為三星后續(xù)先進(jìn)工藝奠定基礎(chǔ)

集成電路設(shè)計(jì)自動化軟件領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)新思(Synopsys)近日宣布,面向三星7LPP7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺設(shè)計(jì)取得最大突破,也為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-08 15:56:453656

新思科技助力三星5nm/4nm/3nm工藝再加速

近日,全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺設(shè)計(jì)取得了重大突破,這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070

新思科技助力,三星5nm、4nm、3nm工藝再加速

全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺設(shè)計(jì)取得了重大突破
2019-07-11 14:49:473942

三星6nm6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn) 4nm4LPE也會在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢

除了臺積電,三星如今在工藝方面也是十分激進(jìn):7nm 7LPP去年十月投產(chǎn)之后,按照官方最新給出的時(shí)間表,6nm 6LPP將在今年下半年如期投入量產(chǎn),5nm 5LPE今年內(nèi)完成流片、明年上半年量產(chǎn),4nm 4LPE也會在年內(nèi)設(shè)計(jì)完畢。
2019-08-02 15:45:433408

三星芯片代工計(jì)劃曝光 6nm 5nm和4nm紛紛面世

去年10月,三星芯片工廠正式開始使用其7LPP7nm低功耗+)制造工藝生產(chǎn)芯片,此后并未放緩其制造技術(shù)的發(fā)展。該公司有望在2019年下半年采用其精制的6LPP(6nm低功耗+)技術(shù)開始批量生產(chǎn)芯片
2019-08-06 15:43:164128

基于7nm+工藝打造的三星Exynos 990處理器詳細(xì)介紹

值得注意的是三星Exynos 990處理器此次采用的7nm(7LPP)采用了第二代7納米工藝,與Apple A13和Snapdragon 855一致。根據(jù)三星的說法,新型7nm LPP可使元件效率提高40%,性能提高20%或功耗降低50%,從而通過更少的層數(shù)來實(shí)現(xiàn)更高的元件良率。
2019-11-27 10:15:344852

三星宣布全球首座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠開始量產(chǎn)

三星宣布,位于韓國京畿道華城市的V1工廠已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝,這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052868

英偉達(dá)安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道,爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報(bào)道的臺積電7nm工藝,據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370

4nm、3nm、2nm制程的爭奪戰(zhàn)即將打響

理論上,與前一代制程相比,新工藝節(jié)點(diǎn)應(yīng)該帶來比前一代節(jié)點(diǎn)低至少15%的面積,但三星8LPP節(jié)點(diǎn)在擴(kuò)展方面不像臺積電的7nm制程那樣具有積極性,這使得臺積電在這一代產(chǎn)品中具有密度優(yōu)勢。
2020-09-27 11:08:532813

高通驍龍875最大障礙已被清除,三星5nm產(chǎn)能獲突破

在上周公布Q3財(cái)報(bào)時(shí),三星同時(shí)重修了先進(jìn)制程進(jìn)展情況,將已經(jīng)穩(wěn)定投產(chǎn)的最新節(jié)點(diǎn)從7nm LPP升級為5nm LPE。
2020-11-03 09:15:211750

對比2020年10半導(dǎo)體技術(shù)趨勢,2021年有哪些變化呢?

7nm工藝開始,臺積電和三星Foundry就出現(xiàn)了比較大的路線演進(jìn)差異。比如,三星7nm(7LPP)更早采用EUV(極紫外光),并將5nm、4nm作為半代工藝;而臺積電繼7nm本身的演進(jìn)(N7/N7P/N7+)之后,5nm亦開始重要的工藝迭代。
2020-12-28 16:52:405185

新思科技攜手三星加快3nm節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的收斂和

效率,從而提高客戶的生產(chǎn)效率 新思科技(Synopsys, Inc., 納斯達(dá)克股票代碼:SNPS)近日宣布,憑借其行業(yè)領(lǐng)先的黃金產(chǎn)品組合, 公司已與三星晶圓廠展開合作,以實(shí)現(xiàn)經(jīng)過充分認(rèn)證的流程,顯著提升準(zhǔn)確性、周轉(zhuǎn)時(shí)間和開發(fā)者生產(chǎn)效率。針對
2021-01-11 18:21:152065

新思科技與三星開展合作,充分釋放三星工藝優(yōu)勢

新思科技與三星基于Fusion Design Platform開展合作,充分釋放三星在最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)工藝的優(yōu)勢 經(jīng)過認(rèn)證的流程為開發(fā)者提供了一整套針對時(shí)序和提取的業(yè)界領(lǐng)先數(shù)字實(shí)現(xiàn)解決方案 新思科
2021-01-13 16:01:182414

三星有望超車臺積電 高通將優(yōu)先保證高端SoC芯片供應(yīng)

實(shí)現(xiàn)工藝量產(chǎn)的一次重大進(jìn)步。 三星的3nm工藝采用了GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù),與上一代7LPP FinFET工藝相比,晶體管密度可以提高80%,性能可提升30%,或功耗降低50%。 有
2021-03-15 14:15:421889

芯和半導(dǎo)體片上無源電磁場仿真套件成功通過三星8LPP工藝認(rèn)證

)工藝技術(shù)認(rèn)證。該套件包含了快速維電磁場仿真器IRIS和快速自動PDK建模工具iModeler,此次認(rèn)證能顯著地提升IC設(shè)計(jì)公司在8LPP工藝上的設(shè)計(jì)交付速度?! ?b class="flag-6" style="color: red">三星晶圓廠的8LPP工藝在其上一代
2021-05-14 11:15:251590

三星8nm與臺積電的7nm制程究竟有何不同呢?

這還要從三星正式推出8nm制程說起。2017年5月,三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國圣克拉拉舉行的三星代工論壇上,公布了其未來幾年的制程工藝路線圖,其中,8nm首次正式亮相。當(dāng)年10月,三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗(yàn)證,具備量產(chǎn)條件。
2021-05-18 14:19:299987

楷登電子數(shù)字模擬流程獲TSMC N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證

)宣布,其數(shù)字定制/模擬流程已獲得 TSMC N3 和 N4 工藝技術(shù)認(rèn)證,支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(DRM)。通過持續(xù)合作,Cadence 和 TSMC 發(fā)布了 TSMC N3 和 N
2021-10-26 15:10:583128

芯和半導(dǎo)體參加三星Foundry SAFE論壇線上活動

上高頻電磁仿真與PDK建模 IRIS——Virtuoso無縫銜接的電磁仿真工具:該工具三星多項(xiàng)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上獲得認(rèn)證,包括三星8nm/14nm LPP FinFET 工藝及28FDS FD-SOI
2021-11-17 18:00:166491

三星宣布芯和半導(dǎo)體成為其SAFE EDA合作伙伴

據(jù)芯和官網(wǎng)報(bào)道, 在2021年5月,芯和半導(dǎo)體片上無源電磁場(EM)仿真套件已成功通過三星晶圓廠的8納米低功耗(8LPP工藝技術(shù)認(rèn)證。
2021-11-23 09:25:591406

芯和快速維電磁場仿真器IRIS獲得三星 8LPP工藝認(rèn)證

在本月剛結(jié)束的三星半導(dǎo)體先進(jìn)制造生態(tài)系統(tǒng)SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem)2021論壇上,全球第二大晶圓廠——三星全面介紹了其在技術(shù)研發(fā)和生態(tài)系統(tǒng)的最新進(jìn)展,并正式宣布芯和半導(dǎo)體成為其SAFE-EDA生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴。
2021-12-09 16:14:282109

新思科技Fusion Design Platform率先獲得三星晶圓廠4LPP工藝認(rèn)證

新思科技Fusion Design Platform和Custom Design Platform率先獲得三星晶圓廠(以下簡稱為“三星”)4LPP工藝認(rèn)證。作為三星全面技術(shù)路線圖的一部分,4LPP工藝旨在協(xié)助芯片廠商設(shè)計(jì)和交付速度更快、功耗更低的芯片。
2021-12-24 14:23:452487

新思科技人工智能設(shè)計(jì)系統(tǒng)DSO.ai助力三星移動芯片實(shí)現(xiàn)自主設(shè)計(jì)

三星采用新思科技的自主芯片設(shè)計(jì)解決方案,在其先進(jìn)工藝技術(shù)上取得了里程碑式的卓越結(jié)果。實(shí)現(xiàn)了自主芯片設(shè)計(jì)新時(shí)代的跨越發(fā)展.
2022-01-12 09:54:491190

新思科技電壓時(shí)序解決方案已獲三星采用

新思科技近日宣布與Ansys聯(lián)合開發(fā)的電壓時(shí)序解決方案已獲三星采用,用以加速開發(fā)其具有理想功耗、性能和面積(PPA)的高能效比設(shè)計(jì)。
2022-04-24 15:27:021958

Cadence數(shù)字定制 / 模擬設(shè)計(jì)流程獲得N4P工藝認(rèn)證

楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日宣布,其數(shù)字定制 / 模擬設(shè)計(jì)流程已獲得 TSMC N3E 和 N4P 工藝認(rèn)證,支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(DRM)。
2022-06-17 17:33:056035

智原宣布支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財(cái)并已上架

ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布其支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財(cái)已在三星SAFE IP平臺上架,提供三星晶圓廠客戶采用。
2022-10-14 17:39:021955

Cadence與Samsung Foundry合作認(rèn)證面向 8nm 工藝技術(shù)的射頻集成電路設(shè)計(jì)參考流程

nm RF 工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的集成電路,快捷地對比電路前仿和識別設(shè)計(jì)時(shí)的電磁效應(yīng),并完成版圖寄生參數(shù)提取的后仿結(jié)果。該 8nm 射頻集成電路流程是三星最新推出的技術(shù),進(jìn)一步補(bǔ)充了其廣泛的 RF 解決方案
2022-10-18 14:16:562326

Cadence數(shù)字定制/模擬設(shè)計(jì)流程獲得臺積電最新N4P和N3E工藝認(rèn)證

設(shè)計(jì)創(chuàng)新。客戶已開始使用最新的臺積電工藝技術(shù)和經(jīng)過認(rèn)證的 Cadence 流程來實(shí)現(xiàn)最佳的功率、性能和面積(PPA)目標(biāo),并縮短上市時(shí)間。
2022-10-27 11:01:372277

Cadence定制設(shè)計(jì)遷移流程加快臺積電N3E和N2工藝技術(shù)的采用速度

,包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。這一新的生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和臺積電共同開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)定制模擬 IC 設(shè)計(jì)在臺積電工藝技術(shù)之間的自動遷移。與人工遷移相比,已使用該流程的客戶成功地將遷移時(shí)間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:151934

Cadence數(shù)字定制/模擬設(shè)計(jì)流程獲得TSMC最新N3E和N2工藝技術(shù)認(rèn)證

楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布,Cadence 數(shù)字定制/模擬設(shè)計(jì)流程已通過 TSMC N3E 和 N2 先進(jìn)工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(DRM)認(rèn)證。兩家公司還發(fā)
2023-05-09 10:09:232046

Cadence 數(shù)字定制/模擬設(shè)計(jì)流程獲得 Samsung Foundry SF2 和 SF3 工藝技術(shù)認(rèn)證

已經(jīng)過 SF2 和 SF3 流程認(rèn)證 ●? Cadence 數(shù)字全流程針對先進(jìn)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了最佳 PPA 結(jié)果 ● Cadence 定制/模擬工具,包括基于 AI 的 Virtuoso Studio,已
2023-07-05 10:10:011140

Cadence數(shù)字定制/模擬流程通過Samsung Foundry的SF2、SF3工藝技術(shù)認(rèn)證

已經(jīng)過 SF2 和 SF3 流程認(rèn)證 ●?Cadence 數(shù)字全流程針對先進(jìn)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了最佳 PPA 結(jié)果 ●Cadence 定制/模擬工具,包括基于 AI 的 Virtuoso Studio,已針對
2023-07-05 10:12:141326

Cadence 數(shù)字、定制/模擬設(shè)計(jì)流程通過認(rèn)證,Design IP 現(xiàn)已支持 Intel 16 FinFET 制程

Cadence 流程,以十足把握交付各類 HPC 及消費(fèi)電子應(yīng)用 中國上海,2023 年 7 月 14 日——楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布其數(shù)字定制/模擬
2023-07-14 12:50:021450

Cadence 定制/模擬設(shè)計(jì)遷移流程加速 TSMC 先進(jìn)制程技術(shù)的采用

流程,能兼容所有的 TSMC(臺積電)先進(jìn)節(jié)點(diǎn),包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。 這款生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和 TSMC 共同開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)定制模擬 IC 設(shè)計(jì)在 TSMC
2023-09-27 10:10:041634

【成都線下】就在明天!數(shù)字設(shè)計(jì)與研討會專場 — 2023 Cadence 中國技術(shù)巡回研討會

電子設(shè)計(jì)自動化領(lǐng)域領(lǐng)先的供應(yīng)商 Cadence,誠邀您參加“2023 Cadence 中國技術(shù)巡回研討會”。會議將集聚 Cadence 的開發(fā)者與資深技術(shù)專家,與您分享數(shù)字設(shè)計(jì)與解決方案,并與
2023-10-23 11:55:02907

【深圳線下】就在明天!數(shù)字設(shè)計(jì)與研討會專場 — 2023 Cadence 中國技術(shù)巡回研討會

電子設(shè)計(jì)自動化領(lǐng)域領(lǐng)先的供應(yīng)商 Cadence,誠邀您參加“2023 Cadence 中國技術(shù)巡回研討會”。會議將集聚 Cadence 的開發(fā)者與資深技術(shù)專家,與您分享數(shù)字設(shè)計(jì)與解決方案,并與
2023-10-30 11:35:02885

Cadence EMX 3D Planar Solver 通過 Samsung Foundry 8nm LPP 工藝技術(shù)認(rèn)證

Samsung Foundry 的 8nm Low Power Plus(LPP)先進(jìn)制程工藝認(rèn)證。 EMX Solver 是市面上首個獲得此認(rèn)證的電磁(EM)求解器,成功達(dá)到三星的各項(xiàng)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。雙方的共同客戶可以安心使用 EMX Solver 用
2023-11-15 15:55:021978

【北京線下】開始報(bào)名!數(shù)字設(shè)計(jì)與研討會專場 — 2023 Cadence 中國技術(shù)巡回研討會

電子設(shè)計(jì)自動化領(lǐng)域領(lǐng)先的供應(yīng)商 Cadence,誠邀您參加 “ 2023 Cadence 中國技術(shù)巡回研討會 - 數(shù)字設(shè)計(jì)與北京專場” 。會議將集聚Cadence 的開發(fā)者與資深技術(shù)專家,與您
2023-11-16 16:30:02789

Cadence 解決方案助力 Samsung Foundry 的 5G 網(wǎng)絡(luò) SoC 設(shè)計(jì)取得新突破

優(yōu)勢 1 Samsung Foundry 使用 Cadence Tempus Timing Solution 和 Quantus Extraction Solution 成功實(shí)現(xiàn) SF5A 設(shè)計(jì)
2023-12-04 10:15:011087

【北京線下】就在明天!數(shù)字設(shè)計(jì)與研討會專場 — 2023 Cadence 中國技術(shù)巡回研討會

電子設(shè)計(jì)自動化領(lǐng)域領(lǐng)先的供應(yīng)商 Cadence,誠邀您參加 “ 2023 Cadence 中國技術(shù)巡回研討會 - 數(shù)字設(shè)計(jì)與北京專場” 。會議將集聚Cadence 的開發(fā)者與資深技術(shù)專家,與您
2023-12-07 09:30:02753

新思科技攜手三星面向其SF2工藝開發(fā)優(yōu)化數(shù)字定制設(shè)計(jì)流程

由Synopsys.ai EDA解決方案加持的優(yōu)化數(shù)字定制設(shè)計(jì)流程加速了針對三星先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的開發(fā)。
2023-12-07 09:51:191233

三星與Arm攜手,運(yùn)用GAA工藝技術(shù)提升下一代Cortex-X CPU性能

三星繼續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步,近年來首次量產(chǎn)了基于2022年GAA技術(shù)的3nm MBCFET ? 。GAA技術(shù)不僅能夠大幅減小設(shè)備尺寸,降低供電電壓,增強(qiáng)功率效率,同時(shí)也能增強(qiáng)驅(qū)動電流,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更高的性能表現(xiàn)。
2024-02-22 09:36:011291

Cadence數(shù)字定制/模擬流程通過Intel 18A工藝技術(shù)認(rèn)證

Cadence近日宣布,其數(shù)字定制/模擬流程在Intel的18A工藝技術(shù)上成功通過認(rèn)證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設(shè)計(jì)IP將全面支持Intel的代工廠在這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上的工作,并提
2024-02-27 14:02:181331

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