半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)材料性能要求極為苛刻,尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具,以其獨(dú)特的物理化學(xué)性能,在芯片貼裝、引線鍵合等工藝中發(fā)
2025-12-21 08:46:47
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陶瓷片式電容器:從規(guī)格參數(shù)到封裝設(shè)計(jì)的全方位解析 電子工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí),陶瓷片式電容器是常用的電子元件之一。其性能和規(guī)格直接影響到電路的穩(wěn)定性和可靠性。本文將詳細(xì)介紹KEMET的陶瓷片式電容器
2025-12-15 13:50:16
232 KEMET ND系列盤狀壓電陶瓷換能器:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 作為電子工程師,我們在設(shè)計(jì)中常常會(huì)用到各種電子元件,壓電陶瓷換能器就是其中一種在多個(gè)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用的元件。今天就來(lái)詳細(xì)介紹KEMET
2025-12-15 13:50:06
178 實(shí)驗(yàn)名稱: 基于壓電陶瓷的混凝土損傷識(shí)別與監(jiān)測(cè) 實(shí)驗(yàn)原理: 本實(shí)驗(yàn)利用基于壓電陶瓷的波傳播分析法監(jiān)測(cè)混凝土內(nèi)部損傷的原理是,將壓電智能骨料埋放在混凝土內(nèi)部的預(yù)定位置,通過(guò)信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生特定電壓的激勵(lì)
2025-12-09 11:04:31
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實(shí)驗(yàn)名稱: 壓電驅(qū)動(dòng)器輸出力遲滯效應(yīng)研究 研究方向: 壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器能提供微米級(jí)的行程,有高速響應(yīng)、體積小、高工作帶寬的優(yōu)點(diǎn),因此壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器廣泛應(yīng)用在高精度系統(tǒng)的部件當(dāng)中。由于壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器遲滯
2025-12-05 15:24:34
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電容更容易產(chǎn)生嘯叫。在無(wú)法避免嘯叫的情況下,可少用陶瓷電容作為輸入輸出電容,用電解電容或固態(tài)電容作為替代。
電感:
磁性元件具有磁致伸縮效應(yīng),也就是在磁化過(guò)程中,由于外磁場(chǎng)的變化而發(fā)生幾何尺寸的變化
2025-11-21 06:11:25
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,變頻器作為電機(jī)調(diào)速的核心設(shè)備,其選型直接關(guān)系到系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性、能效比和設(shè)備壽命。面對(duì)風(fēng)機(jī)水泵、恒轉(zhuǎn)矩、高慣性等不同負(fù)載特性,如何精準(zhǔn)匹配變頻器成為工程師必須掌握的關(guān)鍵技術(shù)。本文將
2025-11-20 15:52:53
484 子在電場(chǎng)作用下徑向壓縮,內(nèi)部產(chǎn)生拉應(yīng)力,從而使壓電振子彎曲變形,再由變形產(chǎn)生泵腔的容積變化實(shí)現(xiàn)流體的平緩連續(xù)輸出。
目前國(guó)產(chǎn)壓電氣泵已經(jīng)基本完全匹配國(guó)際大廠(村田等)的規(guī)格性能指標(biāo),在可穿戴式設(shè)備
2025-11-14 12:12:52
壓電陶瓷上電瞬間產(chǎn)生的尖峰充電電流,是威脅驅(qū)動(dòng)電路安全與陶瓷工作穩(wěn)定性的核心因素。普科科技PKC8030L高頻電流探頭憑借高分辨率、寬頻帶及多重安全保護(hù)機(jī)制,可精準(zhǔn)捕獲充電電流的峰值、持續(xù)時(shí)間與紋波
2025-11-13 13:56:05
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實(shí)驗(yàn)名稱:基于壓電陶瓷的光纖聲光移頻實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用 研究方向:光纖中聲光效應(yīng) 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:用高頻高壓信號(hào)驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷振動(dòng)光纖產(chǎn)生聲波,進(jìn)而引起光的多普勒效應(yīng),產(chǎn)生移頻分量。 測(cè)試目的:利用放大器對(duì)驅(qū)動(dòng)
2025-11-03 11:51:54
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時(shí),會(huì)引起其內(nèi)部正負(fù)電荷中心產(chǎn)生相對(duì)移位從而產(chǎn)生極化,可導(dǎo)致該種材料產(chǎn)生機(jī)械形變。通過(guò)改變施加在壓電陶瓷兩端的電壓,就可以改變材料內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度,從而改變壓電陶瓷的輸出位移,以達(dá)到較高的位移分辨率。因此,在很多應(yīng)
2025-10-11 17:30:49
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在有一個(gè)文件夾有返回的時(shí)候,構(gòu)建關(guān)系正常。
在沒(méi)有任何選擇的情況下,構(gòu)建關(guān)系異常。(這時(shí)候應(yīng)該所有文件劃傷×且不編譯)
這是我sconscript的寫法
2025-09-24 07:41:28
EFR32xG22E 是否可以在未加入網(wǎng)絡(luò)的情況下發(fā)送數(shù)據(jù)?
2025-09-08 07:46:58
)陶瓷輸出電容的情況下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定。內(nèi)置保護(hù)功能電路包括內(nèi)部電流限制和過(guò)熱保護(hù)。產(chǎn)品特性:超低 RMS 噪聲: 8.8μVRMS (10Hz 至 100kHz)超低點(diǎn)噪聲: 8nV/√ Hz(在 10kHz
2025-09-04 17:01:47
的情況下實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定。內(nèi)置保護(hù)功能電路包括內(nèi)部電流限制和過(guò)熱保護(hù)。產(chǎn)品特性:超低 RMS 噪聲: 1.95μVRMS (10Hz 至 100kHz)超低點(diǎn)噪聲: 3.8nV/√ Hz(在 10kHz)超高
2025-09-04 16:57:42
如何在“SD 卡 NAND 閃存”的情況下使用 Non-OS NVTFAT
2025-09-01 07:58:40
在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和可持續(xù)發(fā)展的大背景下,為成千上萬(wàn)的分布式傳感器節(jié)點(diǎn)供電成為了一個(gè)巨大挑戰(zhàn)。更換電池成本高昂且不可持續(xù)。于是,一種“自供能”的理念應(yīng)運(yùn)而生——從環(huán)境中采集微小的能量并將其轉(zhuǎn)化為電能
2025-08-27 09:21:24
690 )成為了探索和利用海洋的核心技術(shù)。在這一領(lǐng)域,壓電陶瓷作為聲電轉(zhuǎn)換的基石,其戰(zhàn)略價(jià)值無(wú)可替代,直接關(guān)系到國(guó)家安全和海洋權(quán)益。 一、水下世界的“眼睛”和“耳朵”:聲納系統(tǒng) 聲納(SONAR,Sound Navigation And Ranging)系統(tǒng)是現(xiàn)代海軍、海洋勘探和水下工程的眼
2025-08-27 09:08:30
489 :壓電陶瓷。它正以一種更節(jié)能、更緊湊、更集成化的方式,重塑著我們與設(shè)備交互的聲學(xué)體驗(yàn)。 一、傳統(tǒng)動(dòng)圈技術(shù)的局限與壓電陶瓷的破局 傳統(tǒng)的電聲轉(zhuǎn)換(揚(yáng)聲器與麥克風(fēng))主要基于 電磁原理 (動(dòng)圈): · 揚(yáng)聲器 :電流通過(guò)音圈
2025-08-27 09:02:29
604 在納米技術(shù)、生物工程、半導(dǎo)體制造和光學(xué)精密測(cè)量等領(lǐng)域,移動(dòng)和定位的精度要求已經(jīng)進(jìn)入了納米(十億分之一米)尺度。在這個(gè)尺度下,傳統(tǒng)電機(jī)和絲杠的摩擦、空回、熱膨脹等誤差被無(wú)限放大,變得完全不可用。而壓電
2025-08-27 09:01:49
476 在電子電路和電氣系統(tǒng)中,電壓測(cè)量是基礎(chǔ)且關(guān)鍵的操作。然而,在“雙路不共地”的特殊情況下,常規(guī)測(cè)量方法可能會(huì)失效,甚至可能損壞設(shè)備或引發(fā)安全問(wèn)題。本文將從基礎(chǔ)概念出發(fā),深入探討雙路不共地系統(tǒng)的特性
2025-08-25 10:48:48
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我迫切需要知道如何在沒(méi)有 NuLink 編程器的情況下執(zhí)行 SWD 解鎖序列。
2025-08-18 07:04:34
在電子器件不斷向高性能、小型化、高可靠性發(fā)展的趨勢(shì)下,陶瓷基板因其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性及熱穩(wěn)定性,成為大功率電子封裝的理想選擇。其中,直接鍍銅陶瓷基板(DPC, Direct Plated
2025-08-10 15:04:59
5639 DTU的設(shè)備號(hào)都在什么情況下需要填寫,填寫的規(guī)則是什么?
2025-08-07 07:50:11
問(wèn)題,為現(xiàn)代高性能電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)的材料基礎(chǔ)。 ? 氮化硅陶瓷封裝基片 一、 氮化硅陶瓷基片的物理化學(xué)性能核心分析 氮化硅陶瓷基片的優(yōu)異電學(xué)性能源于其固有的材料結(jié)構(gòu)和成分控制: 極高的體積電阻率: 在室溫下通
2025-08-05 07:24:00
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在工業(yè)生產(chǎn)、物流倉(cāng)儲(chǔ)等場(chǎng)景中,條碼掃描往往伴隨著物體的動(dòng)態(tài)移動(dòng)。此時(shí),不少人會(huì)產(chǎn)生疑問(wèn):固定式條碼掃描器能否在條碼移動(dòng)的情況下完成掃描?答案是肯定的,但這一過(guò)程受到多種技術(shù)因素的制約。固定式條碼
2025-08-04 15:18:59
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我正在使用自供電模式的 CYUSB3014。我先用USB 3.0的線傳輸數(shù)據(jù),然后再不關(guān)機(jī)的情況下用USB 2.0的線連接電腦。計(jì)算機(jī)無(wú)法識(shí)別 FX3。這種情況正常嗎?和USB傳輸協(xié)議有關(guān)系嗎?
2025-07-28 06:25:49
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()Hyperabrupt 結(jié)調(diào)諧變?nèi)荻O管陶瓷封裝相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有Hyperabrupt 結(jié)調(diào)諧變?nèi)荻O管陶瓷封裝的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料
2025-07-11 18:30:46

陶瓷電容在高溫環(huán)境下容量衰減是行業(yè)普遍現(xiàn)象,其核心原因在于材料特性與溫度的相互作用。結(jié)合材料科學(xué)原理與工程實(shí)踐,可通過(guò)以下系統(tǒng)性方案實(shí)現(xiàn)容量穩(wěn)定性優(yōu)化: 一、材料體系優(yōu)化:從根源提升高溫穩(wěn)定性 1
2025-07-11 15:25:47
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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()突變結(jié)變?nèi)荻O管陶瓷封裝相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有突變結(jié)變?nèi)荻O管陶瓷封裝的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,突變結(jié)變?nèi)荻O管陶瓷封裝真值表,突變結(jié)變?nèi)荻O管陶瓷封裝管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-10 18:29:59

壓電陶瓷材料因其獨(dú)特的機(jī)電能量轉(zhuǎn)換特性(正/逆壓電效應(yīng)),在精密驅(qū)動(dòng)、傳感、換能等領(lǐng)域扮演著不可替代的角色。然而,壓電陶瓷固有的高阻抗特性使其需要高驅(qū)動(dòng)電壓(常達(dá)數(shù)百伏甚至上千伏)才能產(chǎn)生足夠的電場(chǎng)
2025-07-10 14:28:46
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陶瓷產(chǎn)生所需的形變。本文將探討電壓放大器在壓電變形鏡中的應(yīng)用及其技術(shù)進(jìn)展。 一、電壓放大器在壓電變形鏡中的作用 圖:電壓放大器在單電極橫向壓電變形鏡中的應(yīng)用 (一)提供高電壓驅(qū)動(dòng)信號(hào) 壓電變形鏡的驅(qū)動(dòng)需要高
2025-07-08 16:54:12
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請(qǐng)問(wèn)CYW20835在sleep mode的情況下,不進(jìn)入SDS或HIDOF的情況下,底電流最低是多少?
2025-07-07 07:54:04
是否可以在不使用 freeRTOS 的情況下運(yùn)行 Infenion AIROC 藍(lán)牙包來(lái)配置 CY43439(將 CY43439 與 STM32H753 連接)?
2025-07-02 08:20:39
在高壓電子設(shè)備領(lǐng)域,電容器的性能直接關(guān)系到電路的可靠性和安全性。順絡(luò)電子作為國(guó)內(nèi)被動(dòng)元件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),其高壓陶瓷電容憑借高耐壓與穩(wěn)定性兩大核心優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于電力設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備及工業(yè)控制等場(chǎng)景
2025-06-17 14:50:14
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oracle數(shù)據(jù)庫(kù)誤執(zhí)行truncate命令導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失是一種常見情況。通常情況下,oracle數(shù)據(jù)庫(kù)誤操作刪除數(shù)據(jù)只需要通過(guò)備份恢復(fù)數(shù)據(jù)即可。也會(huì)碰到一些特殊情況,例如數(shù)據(jù)庫(kù)備份無(wú)法使用或者還原
2025-06-05 16:01:42
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信號(hào)電路供電。 PCD39021能夠支持小電容工作,并且在小輸出電容值的情況下與其他線性穩(wěn)壓電源一樣穩(wěn)定工作。支持小型陶瓷電容器,無(wú)需額外增加ESR。內(nèi)部保護(hù)電路包括電流限制和熱限制。該設(shè)備的固定輸出
2025-05-19 15:25:22
供電。 PCD3902能夠支持小電容工作,并且在小輸出電容值的情況下與其他線性穩(wěn)壓電源一樣穩(wěn)定工作。支持小型陶瓷電容器,無(wú)需額外增加ESR。內(nèi)部保護(hù)電路包括電流限制和熱限制。該設(shè)備的固定輸出電壓為工廠
2025-05-19 15:22:22
在工業(yè)自動(dòng)化和精密測(cè)量領(lǐng)域,M12線性傳感器憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),成為眾多行業(yè)不可或缺的關(guān)鍵組件。
2025-05-14 14:42:03
488 設(shè)備整體的可靠性。陶瓷、金屬和塑料是當(dāng)前晶振封裝的主要材料,它們各自具備獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì),在不同應(yīng)用場(chǎng)景下展現(xiàn)出不同的可靠性表現(xiàn)。本文將深入探討這些封裝材料對(duì)晶振穩(wěn)定性的影響,并結(jié)合回流焊測(cè)試與氣密性檢測(cè)案例,解析車規(guī)級(jí)與工業(yè)級(jí)產(chǎn)品的封裝差異。
2025-05-10 11:41:11
589 的 VSYS 電源時(shí),CC Rd 功能和 Sink 功能正常工作,但我只想使用外部電源執(zhí)行 SINK 操作。
在CY7113(CYPM1311)中,SINK 在沒(méi)有內(nèi)部電源的情況下可以正常使用 VBUS_C 和 CC 引腳,與 CYPM1322 的 CC 功能相比有何區(qū)別?
你能告訴我如何解決嗎?
2025-05-08 07:32:21
實(shí)驗(yàn)名稱:多層陶瓷的振動(dòng)性能研究 測(cè)試設(shè)備:電壓放大器、波形發(fā)生器、機(jī)械振動(dòng)測(cè)試儀、激光發(fā)射器、計(jì)算機(jī)等。 實(shí)驗(yàn)過(guò)程: 圖1:機(jī)械振動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)造圖 壓電陶瓷在電場(chǎng)下的振動(dòng)速度采用機(jī)械振動(dòng)測(cè)試儀測(cè)試
2025-05-07 11:49:32
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我正在使用 FX2LP/ CY7C68013A-128AXC設(shè)備(定制板),我有一些問(wèn)題需要您的幫助。
1如果我的 EEPROM 已經(jīng)有固件并且正在運(yùn)行,如何在不更改硬件的情況下對(duì)其進(jìn)行重新
2025-05-06 11:16:38
歐姆電阻。
通常情況下,通過(guò)上述方案是可以完成所有連線布局設(shè)計(jì)的。不過(guò),還是有一些特殊情況會(huì)面臨挑戰(zhàn)。如下圖,為一款QFN32 4*4封裝的芯片尺寸以及推薦的封裝設(shè)計(jì)示意圖。
按推薦設(shè)計(jì),封裝
2025-04-27 15:08:35
實(shí)驗(yàn)名稱: 基于積分器的壓電陶瓷執(zhí)行器位移自感知的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 測(cè)試設(shè)備: 電壓放大器、壓電陶瓷執(zhí)行器、積分器、電容位移傳感器、低通濾波器、計(jì)算機(jī)等。 實(shí)驗(yàn)過(guò)程: 圖1:基于積分器的壓電陶瓷執(zhí)行器位移
2025-04-24 11:02:09
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LT3580在5V出入的情況下,如何修改匝數(shù)比和反饋電阻,輸出200V電壓
2025-04-24 06:12:45
分析進(jìn)行對(duì)比,另一方面則是驗(yàn)證復(fù)合材料加工工藝在壓電驅(qū)動(dòng)器上的可行性。爬行機(jī)器人單元節(jié)運(yùn)動(dòng)測(cè)試主要是測(cè)試在壓電驅(qū)動(dòng)器在正常工作條件下能否驅(qū)動(dòng)腿部連桿作出正確的運(yùn)動(dòng),以及測(cè)量壓電驅(qū)動(dòng)器在負(fù)載情況下的位移響應(yīng)。
2025-04-23 10:27:18
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LT8708在BOOST情況下出現(xiàn)大小波是怎么回事?求大神指點(diǎn):
這是VIN12V,Vout14.5V波形:
這是VIN14V,Vout14.5V波形:
這是VIN18V,Vout14.5V波形:
在VIN12VBOOST情況下,出現(xiàn)大小波,頻率發(fā)生變化,這是什么原因引起的?
2025-04-18 08:08:55
DS1232LPS-2+T&R,這款芯片在什么情況下,5腳RST會(huì)一直輸出高電平?(正常時(shí)序是上電有個(gè)400多ms的高電平后,一直處于低電平,如果7腳沒(méi)有及時(shí)喂狗,會(huì)觸發(fā)復(fù)位,也就是重復(fù)400多ms的高電平后,一直處于低電平)
2025-04-18 07:51:16
TDK積層陶瓷電容器新品來(lái)了;? 封裝尺寸3225、100V電容的汽車用積層陶瓷電容器。
2025-04-16 14:19:09
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你好,在使用AD9122四倍插值的情況下,輸出20MHz的寬帶信號(hào)偶爾會(huì)出現(xiàn)頻譜混疊,這種該怎么解決呢
2025-04-15 06:50:11
利用高壓大帶寬MOSFET運(yùn)放和高精度運(yùn)放組成復(fù)合式負(fù)反饋放大電路,設(shè)計(jì)了一種高精度動(dòng)態(tài)壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源電路圖。
2025-04-14 17:31:27
5 精密劃片機(jī)在切割陶瓷基板中的應(yīng)用場(chǎng)景廣泛,憑借其高精度、高效率、低損傷的核心優(yōu)勢(shì),深度服務(wù)于多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。以下是其典型應(yīng)用場(chǎng)景及技術(shù)特點(diǎn)分析:一、半導(dǎo)體與電子封裝領(lǐng)域陶瓷芯片制造LED基板切割
2025-04-14 16:40:22
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效應(yīng),通過(guò)施加交流電壓可產(chǎn)生伸縮震動(dòng)。
太陽(yáng)誘電振動(dòng)片的優(yōu)勢(shì)
我們運(yùn)用材料技術(shù)開發(fā)出了兼?zhèn)涞徒殡姵?shù)和高機(jī)電耦合的材料,還運(yùn)用多層片式陶瓷電容具有的疊層技術(shù),實(shí)現(xiàn)了疊層結(jié)構(gòu)。
太陽(yáng)誘電的壓電振動(dòng)
2025-04-09 15:56:25
實(shí)驗(yàn)名稱: 鐵電陶瓷雙軸應(yīng)力作用下的極化研究 研究方向: 在新型鐵電陶瓷中,鈦酸鋇壓電陶瓷的居里溫度較低導(dǎo)致其無(wú)法通過(guò)提高溫度促進(jìn)極化過(guò)程;而對(duì)于新型高溫鐵電陶瓷,其矯頑電場(chǎng)較高并超過(guò)了其材料本身
2025-04-08 10:46:57
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我想在基于 LPC1227FBD48 系列的現(xiàn)有項(xiàng)目中使用 FreeRTOS,但我們沒(méi)有可用于控制器的 SDK。我們?nèi)绾卧跊](méi)有 SDK 的情況下配置 FreeRTOS。
2025-04-02 06:33:25
。我收到一個(gè)建議,要在禁用 DMA 的情況下使用本機(jī) CS。
[這是link到整個(gè)討論。
現(xiàn)在,我已經(jīng)禁用了 DMA,并將原生 CS 用于 SPI 外設(shè),但我仍然觀察到 CS 在大約 5 μs 內(nèi)保持
2025-03-31 06:56:37
在集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)中,封裝是不可或缺的一環(huán)。它不僅保護(hù)著脆弱的芯片,還提供了與外部電路的連接接口。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,IC封裝技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和進(jìn)步。本文將詳細(xì)探討IC封裝產(chǎn)線的分類,重點(diǎn)介紹金屬封裝、陶瓷封裝以及先進(jìn)封裝等幾種主要類型。
2025-03-26 12:59:58
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壓電陶瓷是一種特殊的材料,具有壓電效應(yīng)。當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí),壓電陶瓷可以產(chǎn)生機(jī)械變形;反過(guò)來(lái),當(dāng)施加機(jī)械力時(shí),它也能夠產(chǎn)生電荷。這種雙向的轉(zhuǎn)換特性使得壓電陶瓷在許多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。其中,大功率壓電陶瓷
2025-03-25 10:22:48
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電子封裝技術(shù)作為電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石,其防護(hù)性能直接關(guān)乎電子設(shè)備的可靠性與穩(wěn)定性。陶瓷圍壩憑借其獨(dú)特的材料特性和結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì),在電子封裝防護(hù)領(lǐng)域嶄露頭角,成為解鎖防護(hù)新高度的關(guān)鍵要素。本文深入剖析陶瓷圍壩在電子封裝中的作用、優(yōu)勢(shì)及發(fā)展趨勢(shì),旨在揭示其對(duì)電子封裝領(lǐng)域的重要意義……
2025-03-24 17:10:59
559 DPC(Direct Plating Copper)陶瓷基覆銅板,作為一種結(jié)合薄膜線路與電鍍制程的技術(shù),在高性能電子封裝領(lǐng)域展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
2025-03-20 14:26:58
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的電容,電場(chǎng)作用下強(qiáng)行逆轉(zhuǎn)一些鐵電疇的極化方向,導(dǎo)致鐵電疇之間的摩擦增加,提高電容的失效率。(跟動(dòng)力學(xué)有關(guān),可自行搜索“鐵電疇極性反轉(zhuǎn)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程”)
電容嘯叫的解決辦法:1.在Design上進(jìn)行必要
2025-03-14 11:29:34
無(wú)感直流BLDC,大占空比情況下失步問(wèn)題
2025-03-11 08:00:38
無(wú)法在不安裝 OpenCV 的情況下確定是否可以使用OpenVINO?工具套件
2025-03-06 07:12:22
大家好,我們想控制 NIRSCAN NANO 在程序中改變他不使用的情況下不休眠,現(xiàn)在的情況是 低功耗 5分鐘 不使用就休眠。我們想實(shí)現(xiàn)的效果是 一直測(cè)試不休眠
(1)可否設(shè)置為延長(zhǎng)休眠時(shí)間
(2) 可否設(shè)置為永久不休眠。
我們二次開發(fā) 是在 GUI 的C++程序中修改的。USB通信。
2025-02-28 07:45:43
我現(xiàn)在所用的產(chǎn)品是DLP4100,在激光照明情況下,DMD上面加載一副空白圖像之,,反射出來(lái)就不是個(gè)均勻的圖像了,而是帶有隨機(jī)噪聲的一副圖,這個(gè)是怎么回事?
加載在DMD上的圖片和DMD反射出來(lái)的圖片分別如下圖:
2025-02-28 07:28:29
壓電陶瓷單元發(fā)聲原理是通過(guò)電壓驅(qū)動(dòng)壓電元件附帶底層金屬基片振動(dòng)發(fā)聲,這使得它在音 質(zhì)上能夠提供更純凈細(xì)膩的高音,改善了傳統(tǒng)振膜喇叭在高頻上可能出現(xiàn)的破音或刺耳問(wèn)題 。 壓電陶瓷高音單元結(jié)合了傳統(tǒng)動(dòng)圈
2025-02-27 13:53:35
0 壓電蜂鳴片,是由于壓電效應(yīng),壓電元件電極間的電壓會(huì)引起陶瓷片的機(jī)械變形,當(dāng)壓電陶瓷片徑向膨脹時(shí),整個(gè)蜂鳴片會(huì)朝著金屬基片的方向彎曲,當(dāng)壓電陶瓷片徑向收縮時(shí),整個(gè)蜂鳴片又會(huì)朝著相反的方向彎曲。因此,當(dāng)在壓電陶瓷片的電極上施加交變電壓信號(hào),就會(huì)引起蜂鳴片的振動(dòng),這種振動(dòng)傳遞到空氣中就形成了聲波。
2025-02-27 13:43:24
20 ,這個(gè)指示燈會(huì)亮,具體是在什么情況下,這個(gè)指示燈會(huì)亮呢?或者說(shuō)在哪些情況下,這個(gè)指示燈會(huì)亮。
幫忙解答,感謝。
2025-02-26 08:20:38
加載時(shí)間為99.4us,以一副圖像的加載時(shí)間作為它的顯示時(shí)間,那這樣計(jì)算下來(lái)圖像的速率都超過(guò)了10000hz,但是DLP6500FYE的數(shù)據(jù)手冊(cè)給出它的圖像速率最高僅為9523hz,請(qǐng)問(wèn)是我哪里理解錯(cuò)了嗎,數(shù)據(jù)手冊(cè)上給出的這個(gè)9523hz是在何種情況下如何計(jì)算出來(lái)的。
2025-02-26 07:38:16
工程師您好,我使用DLPC3432+DLPA2000+.23qHD DMD的系統(tǒng),想問(wèn)一下如何確認(rèn)各種情況下HS的Sub-LVDS的速率?
datasheet中說(shuō)HS最大600MHz,LS固定120MHz。
傳輸速率是一直不變的嗎?什么時(shí)候會(huì)通道減少,懸空通道的設(shè)計(jì)依據(jù)是什么?
謝謝~
2025-02-21 06:39:05
我想知道使用HDMI在電腦分屏全屏顯示圖片的情況下,和直接從燒錄的圖片投影會(huì)不會(huì)有什么不同。
因?yàn)槲以谟闷胀ǖ募矣玫耐队皶r(shí)發(fā)現(xiàn)從HDMI分屏顯示的圖片比從U盤顯示的圖片效果要差。
圖片在分屏上全屏顯示,1280x720分辨率。
2025-02-21 06:22:14
ILLUM_HSIDE_DRIVEILLUM_LSIDE_DRIVE這二個(gè)腳外置MOS是什么情況下可以用
2025-02-21 06:00:43
我們在調(diào)試DLPC3430這個(gè)IC的時(shí)候遇到了一個(gè)問(wèn)題,在DLPC3430與主控通信的情況下,主控I2C總線的狀態(tài)是正常(空閑狀態(tài)SDA、SCL拉高),但是在DLPC3430不與主控通信的情況下
2025-02-18 06:28:45
可以準(zhǔn)確地監(jiān)測(cè)和分析壓電陶瓷的振動(dòng)性能。 首先,讓我們來(lái)了解一下功率放大器的作用。功率放大器是一種電子設(shè)備,可以將輸入信號(hào)放大到更高的功率水平。在壓電陶瓷頻率幅值監(jiān)測(cè)中,我們需要將傳感器(如壓電陶瓷)產(chǎn)生的微
2025-02-17 11:09:47
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在設(shè)計(jì)階段考慮不同外殼材質(zhì)的防靜電特性是解決ESD問(wèn)題的關(guān)鍵,雷卯EMC小哥將詳細(xì)介紹針對(duì)金屬結(jié)構(gòu)設(shè)備、塑膠結(jié)構(gòu)設(shè)備以及其他特殊情況下的防靜電設(shè)計(jì)技巧。一、金屬結(jié)構(gòu)設(shè)備的防靜電設(shè)計(jì)金屬結(jié)構(gòu)設(shè)備因其導(dǎo)電性好而成為許多工業(yè)應(yīng)用中的首選材料。
2025-02-12 15:24:52
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請(qǐng)問(wèn)多片ADS1255/6如何進(jìn)行同步采集,使用1個(gè)SPI接口的情況下。
2025-02-12 07:17:44
TVP5160在default情況下的,sclk腳(dataclk)輸出時(shí)鐘時(shí)多少,27M嗎?為什么我測(cè)得的是13.125M
2025-02-12 06:08:09
哪位大神有壓電陶瓷噴油器的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),給說(shuō)說(shuō)我這驅(qū)動(dòng)這個(gè)東西總是燒驅(qū)動(dòng)芯片
2025-02-11 22:05:44
實(shí)驗(yàn)名稱:ATA-P2010功率放大器在新控制策略下撞擊式壓電噴射閥點(diǎn)膠性能測(cè)試中的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)方向:封裝技術(shù)實(shí)驗(yàn)設(shè)備:ATA-P2010功率放大器,信號(hào)發(fā)生器、撞擊式壓電噴射閥、高精度電子秤和顯微鏡
2025-02-09 10:52:37
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在外部電源正確的情況下,為什么ADS8557的REFIO引腳沒(méi)有輸出電壓呢??
2025-01-24 06:48:42
實(shí)驗(yàn)名稱:力-電耦合作用下鐵電材料的性能研究 測(cè)試設(shè)備:高壓放大器、信號(hào)發(fā)生器、A/D采集卡、應(yīng)變儀、壓電陶瓷等。 實(shí)驗(yàn)過(guò)程: 圖1:力-電耦合試驗(yàn)測(cè)試裝置 本試驗(yàn)涉及到的加載與測(cè)試單元組成如圖1
2025-01-23 18:07:25
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隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,壓電陶瓷在各個(gè)領(lǐng)域中扮演著重要的角色。作為一種能夠轉(zhuǎn)換電能和機(jī)械能的材料,壓電陶瓷廣泛應(yīng)用于聲波和超聲波設(shè)備、傳感器、驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。其中,壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器是實(shí)現(xiàn)壓電陶瓷的高效運(yùn)行
2025-01-23 17:56:39
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在使用ads1256,但是發(fā)現(xiàn)需要采集10路信號(hào),有沒(méi)有辦法在不換ad的情況下采集10路信號(hào)
2025-01-22 07:36:50
reset_handler了,請(qǐng)問(wèn)啥情況下會(huì)進(jìn)入reset_handler?。砍诵酒姷谝淮?,cpu的復(fù)位腳說(shuō)是也沒(méi)接出來(lái)按理來(lái)說(shuō)也不會(huì)影響它的
2025-01-22 06:37:53
云數(shù)據(jù)庫(kù)通常無(wú)需用戶購(gòu)買服務(wù)器,由提供商負(fù)責(zé)底層硬件維護(hù)。用戶可通過(guò)Web界面或API配置和管理數(shù)據(jù)庫(kù),根據(jù)需求選擇合適的類型、規(guī)格和策略。在特殊情況下,如性能或安全需求無(wú)法滿足,用戶可能需自建數(shù)據(jù)庫(kù)并購(gòu)買服務(wù)器。以下是UU云小編對(duì)云數(shù)據(jù)庫(kù)要購(gòu)買服務(wù)器嗎相關(guān)問(wèn)題的詳細(xì)解答:
2025-01-17 09:55:06
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在采用外部晶振20MHZ的情況下,對(duì)ads1204輸入0V的模擬電壓,其輸出位流的特征是什么樣子的?在fpga內(nèi)部制作了sinc3濾波器對(duì)其位流進(jìn)行濾波,得到的數(shù)據(jù)是固定值還是在一直變化,有何特征?
2025-01-16 06:35:01
本文將與大家分享, 高壓放大器 在多層壓電陶瓷變壓器的振動(dòng)與疲勞研究中的應(yīng)用,希望能對(duì)各位工程師有所幫助與啟發(fā)。 壓電變壓器最早于1956年由C.A.Rosen提出。20世紀(jì)80年代初,清華大學(xué)提出
2025-01-14 10:46:27
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ldc上電后,即數(shù)字和模擬端都供電后,只連接spi的四根線到mcu,而其他腳都懸空,這種情況下能否讀寫ldc1000的寄存器。
為什么我在這種情況下都寫不進(jìn)數(shù)據(jù),讀數(shù)據(jù)也每次不一樣,哪怕是讀只讀的寄存器(device id寄存器)每次讀出的數(shù)據(jù)都不一樣。
2025-01-13 08:21:37
請(qǐng)介紹一下ADS5474模數(shù)轉(zhuǎn)換器的VCM和VREF引腳在什么情況下使用?
文檔上說(shuō)VCM是在直流耦合應(yīng)用時(shí)用于設(shè)置共模電壓,是不是指前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路使用放大器的時(shí)候?如果前面直接使用變壓器耦合成差分
2025-01-13 08:04:26
我現(xiàn)在正在調(diào)試DAC161S997片子,現(xiàn)在有個(gè)疑問(wèn),正常情況下芯片的操作順序是什么?。恳簿褪?b class="flag-6" style="color: red">在輸出電流值之前要做哪些工作???
2025-01-10 06:39:19
使用ADS1675REF開發(fā)板,具體如下:在adcpro相同的配置的情況下。
我給開發(fā)板供電9V,-4V,5V,共3種電源,輸入單頻點(diǎn)模擬信號(hào)100k,功率0dBm,采集后,顯示主信號(hào)
2025-01-10 06:30:56
用ADS1299測(cè)試腦電,在沒(méi)有干擾的情況下可以正確測(cè)試腦電,但是在有干擾的情況下,不但有50HZ工頻干擾,還有其他頻率的干擾,這些噪聲是怎么來(lái)的
2025-01-08 08:18:01
DAC7568掉電情況下寄存器里的值能保持多久,越精確越好,比如說(shuō)幾秒或者幾分鐘,謝謝
2025-01-07 08:29:09
我是一名初學(xué)者,看了書知道MSP430F4250的AD轉(zhuǎn)換模式有四種,我想知道這四種轉(zhuǎn)化模式有什么區(qū)別,分別應(yīng)該在什么情況下使用。各位高手能否為我解答哈,在下不勝感激。因?yàn)槭浅鯇W(xué)者,有很多東西都不知道,能盡量詳細(xì)就盡量哈,謝謝了。
2025-01-06 06:16:56
評(píng)論