)的CC2640 SimpleLink? Bluetooth? 無線MCU就是這樣一款具有出色特性和廣泛應(yīng)用前景的產(chǎn)品。本文將深入介紹CC2640的特點、應(yīng)用場景、技術(shù)規(guī)格以及設(shè)計要點,幫助電子工程師更好
2026-01-05 15:20:06
43 FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,找到一款性能卓越、功能豐富且穩(wěn)定可靠的非易失性存儲器至關(guān)重要。今天,我們就來深入探討 Cypress 公司推出
2026-01-04 17:25:09
367 健康、智能家居等多個領(lǐng)域。核心參數(shù)內(nèi)核與性能l Cortex-M0 32位內(nèi)核,最高主頻48 MHzl 1.8 V – 5.5 V 寬壓供電(Y003)或 1.8 V – 3.6 V(X003),工業(yè)級
2026-01-04 09:28:46
探索 HMC326MS8G / 326MS8GE 驅(qū)動放大器:特性、規(guī)格與應(yīng)用解析 在微波和寬帶無線電系統(tǒng)的設(shè)計中,高性能的驅(qū)動放大器是不可或缺的關(guān)鍵組件。今天,我們來深入了解一下 Analog
2025-12-31 14:10:09
108
– 4us超低功耗喚醒時間
? 存儲容量
–最大 256K 字節(jié) FLASH,數(shù)據(jù)保持 25 年 @85℃
–最大 24K 字節(jié) RAM,支持奇偶校驗
–128 字節(jié) OTP 存儲器
2025-12-29 06:15:18
- RAM,采用先進的鐵電工藝制造。它結(jié)合了RAM的讀寫速度和非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保留特性,為用戶提供了一種可靠、高效的數(shù)據(jù)存
2025-12-28 15:25:09
404 深入剖析RA2L2微控制器:特性、電氣參數(shù)與設(shè)計要點 在電子設(shè)計領(lǐng)域,微控制器(MCU)是眾多項目的核心組件。今天,我們將深入探討Renesas的RA2L2系列MCU,詳細解析其特性、電氣參數(shù)以及在
2025-12-26 17:25:09
409 深入剖析RA2T1微控制器:特性、電氣參數(shù)與設(shè)計要點 在當今的電子設(shè)計領(lǐng)域,微控制器(MCU)是眾多應(yīng)用的核心。Renesas的RA2T1系列MCU憑借其低功耗、高性能等特點,在成本敏感和低功耗
2025-12-26 16:20:12
101 產(chǎn)品特性:
? 內(nèi)核:ARM? Cortex?-M0+
– 最高主頻64MHz
? 工作溫度:-40℃ 至 105℃;工作電壓:1.65V 至 5.5V
? 存儲容量
2025-12-26 06:51:13
探索S32K3xx系列MCU:特性、應(yīng)用與設(shè)計考量 在當今的電子設(shè)計領(lǐng)域,微控制器(MCU)扮演著至關(guān)重要的角色,尤其是在汽車電子等對性能和可靠性要求極高的應(yīng)用場景中。NXP的S32K3xx系列
2025-12-25 10:55:12
322 深入解析S32K39、S32K37和S32K36系列MCU:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量 在當今的電子工程領(lǐng)域,汽車電子的發(fā)展日新月異,對微控制器(MCU)的性能、功能和安全性提出了更高的要求。NXP
2025-12-24 11:50:03
313 上電復(fù)位 / 掉電復(fù)位(POR/BOR)
整個 MCU
引腳輸入復(fù)位(NRST)
整個 MCU(除 RTC 外)
IWDT/WWDT 復(fù)位
M0+ 內(nèi)核 / 外設(shè)(除 RAM 控制器
2025-12-22 09:44:23
芯源MCU采用的是什么內(nèi)核?
2025-12-22 07:11:06
SEMPER? Nano S25FS256T 內(nèi)存模塊快速上手與特性解析 在電子工程師們的日常工作中,選擇一款合適的內(nèi)存模塊至關(guān)重要。今天就來和大家分享一下英飛凌(Infineon)推出
2025-12-20 15:50:05
1025 具有64字節(jié)FIFO的TL16C752CI-Q1雙路UART:特性、應(yīng)用與設(shè)計要點 在汽車電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域,UART(通用異步收發(fā)器)作為重要的通信接口芯片,其性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。TI公司
2025-12-19 16:30:17
452 AiP8M2116S/AiP8M2115S是低功耗8051內(nèi)核MCU,內(nèi)置16KB MTP ROM、256B XRAM、256B IRAM,內(nèi)部集成Timer0/1/2、REM、UART、LCD
2025-12-18 10:04:22
557 
TX8C1010 是一款高性能低功耗的 8051 內(nèi)核 MCU,工作主頻最高為 32MHz,內(nèi)置 4K+256字節(jié)閃存存儲器(支持類 EEPROM),512 字節(jié) SRAM。
模擬資源:1 個
2025-12-17 09:46:04
Cortex-M0+ 通用 MCU CW32F系列家族型號展示
2021年10月14日,經(jīng)過多年的市場調(diào)研和潛心研發(fā),武漢芯源半導(dǎo)體自主研發(fā)的首款基于 Cortex-M0+ 內(nèi)核微控制器產(chǎn)品
2025-12-12 06:22:27
大部分單片機的代碼直接在nor flash中運行,少部分需要加載到ram中。
nor flash可以直接尋址一個字節(jié),可以找到一個指令的具體地址,因此可以直接運行。
nand flash 的存儲單元
2025-12-04 07:39:27
在電子工程師的日常設(shè)計工作中,晶體管作為基礎(chǔ)且關(guān)鍵的元件,其性能和特性直接影響著整個電路的表現(xiàn)。今天,我們就來詳細探討 onsemi 推出的 BCP56M 通用晶體管,看看它在實際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢。
2025-11-26 14:28:03
280 
Cortex-M內(nèi)核MCU都有的一個定時器,所以以上延時微秒和延時毫秒的函數(shù)適用于任何 Cortex-M內(nèi)核的MCU。有了精確延時函數(shù),那么使用通用GPIO軟件模擬一些通信協(xié)議,如IIC、SPI等串行協(xié)議,就可以驅(qū)動很多硬件設(shè)備了,如EEPROM、溫濕度傳感器、顯示屏等等。
2025-11-20 07:12:25
CKS電池包顯示板基于32位低功耗MCU:CKS32F030F4P6設(shè)計,內(nèi)核ARM Cortex-M0+,工作于 48MHz 時鐘頻率, 高速的嵌入式閃存(FLASH 最高可達 32K 字節(jié)
2025-11-12 09:44:50
3346 
配置電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置的通信超時參數(shù)需結(jié)合協(xié)議類型、傳輸介質(zhì)、應(yīng)用場景及設(shè)備特性,通過分層次設(shè)置與動態(tài)優(yōu)化實現(xiàn)可靠性與實時性的平衡。以下為系統(tǒng)性配置方案: 一、協(xié)議層核心參數(shù)配置 1.
2025-11-05 17:57:47
1335
Load_data
LDBUF
從mcu內(nèi)存裝載明密文
Write_back
SBUF
返回加解密結(jié)果到mcu
Load_A
LABUF
從mcu內(nèi)存裝載參數(shù)A
Load_C
LCBUF
從mcu內(nèi)存
2025-10-30 06:53:28
既8月份發(fā)布了MCXA345和MCXA346兩款產(chǎn)品后,10月份咱們發(fā)布MCXA343和MCXA344通用MCU,主打帶CAN-FD的低成本適用于雙電機控制器的通用MCU,與MCXA345/6形成高低搭配的產(chǎn)品線系列。
2025-10-22 09:55:43
2235 
SRAM和256字節(jié)EEPROM。該MCU采用靈活的低功耗架構(gòu),包括事件系統(tǒng)、智能模擬功能和高級數(shù)字外設(shè)。該微控制器采用14引腳或20引腳封裝。
2025-10-10 14:46:18
575 
命令終止程序;8.命令及其參數(shù)區(qū)分大小寫;無論我們使用哪種Shell,登陸系統(tǒng)后會生成一個Shell進程,根據(jù)用戶不同顯示不同的提示符,root用戶的通常提示符是“#”,普通用戶的命令提示符
2025-09-28 09:05:43
中科昊芯Core_DSC280025C開發(fā)板測評作品合集
產(chǎn)品介紹:
Core_DSC280025C核心板使用了昊芯HXS320F28025CRISC-V DSP芯片,該芯片集成了吳芯自主研發(fā)
2025-09-18 10:52:04
PT5F2307 是一款 51 內(nèi)核的觸控 A/D 型 8 位 MCU,內(nèi)置 16K*8bit FLASH、內(nèi)部 256*8bitSRAM、外部 512*8bit SRAM、觸控檢測、12 位
2025-09-15 16:42:30
0 MS32C001單片機是一顆高性價比的入門級微控制器,采用了高性能的 32 位 ARM Cortex-M0+ 內(nèi)核,寬電壓工作范圍。芯片嵌入18 KB Flash 和 1.5 KB SRAM 存儲器
2025-09-05 16:41:47
1721 
【RA4M2-SENSOR】介紹、環(huán)境搭建、工程測試
本文介紹了 RA4M2-SENSOR 開發(fā)板的基本信息,包括產(chǎn)品特點、參數(shù)資源、開發(fā)環(huán)境搭建以及工程測試等。
介紹
RA4M2-SENSOR
2025-09-01 12:08:36
如何使用ISP功能對Nuvoton 8051 MCU系列進行ISP升級?
2025-08-26 06:17:10
如何將ISP寫入Nuvoton 8051 MCU系列?
2025-08-18 07:34:04
如何使用ISP功能對Nuvoton 8051 MCU系列進行ISP升級?
2025-08-18 07:32:40
近日,恩智浦發(fā)布了MCXA345/A346通用MCU,一顆主打混合信號(ADC輸入通道多達82個)并且適用于電機控制的通用MCU。
2025-08-13 11:42:46
4416 
Unit) 單一核心 :通常集成一個處理器核心(如ARM Cortex-M系列、AVR、8051等),專注于低復(fù)雜度控制任務(wù)。 資源有限 :內(nèi)置少量內(nèi)存(RAM/ROM)、通用I/O接口(GPIO
2025-08-12 11:34:59
4109 
P24C256H是I2C兼容的串行EEPROM(電可擦除可編程存儲器)設(shè)備。它包含一個256Kbits (32Kbytes)的內(nèi)存陣列,每頁64bytes。
2025-08-08 17:05:23
1815 
在高并發(fā)微服務(wù)環(huán)境中,網(wǎng)絡(luò)性能往往成為K8s集群的瓶頸。本文將深入探討如何通過精細化的Linux內(nèi)核參數(shù)調(diào)優(yōu),讓你的K8s節(jié)點網(wǎng)絡(luò)性能提升30%以上。
2025-08-06 17:50:46
803 AiP8F7364是一款8051內(nèi)核增強型電機控制MCU,內(nèi)置64KB FLASH ROM、2KB XRAM、16KB Program RAM,內(nèi)部集成T0/1/3/4/5、UART0/1、SPI、I2C、MDU+CORDIC、CRC、OPA、CMP、12bit-ADC和電機控制模塊。
2025-08-06 16:15:15
2316 
零點,從而獲得轉(zhuǎn)子的位置。針對不同的無傳感器 BLDC 電機,在此設(shè)計的基礎(chǔ)上適當?shù)匦薷囊恍?b class="flag-6" style="color: red">參數(shù),都能很好地滿足對 BLDC 驅(qū)動的要求。C8051F330是美國芯科實驗室設(shè)計的一款高速 51 內(nèi)核
2025-08-01 12:19:33
;STAR-MC1內(nèi)核
時鐘最高128MHz
>工作電壓:2.5V-5.5V
>工作溫度:-40℃ - 85℃
>256KB Flash ROM
>64KB
2025-07-29 11:45:02
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LC87F0K08A 8位微控制器8K字節(jié)閃存ROM/384字節(jié)RAM規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-07-17 15:33:20
0 平臺AP8000的支持。 FM33LC043N是一顆ARM Cortex-M0內(nèi)核的低功耗MCU,內(nèi)部集成256KB Flash和24KB RAM。MCU內(nèi)置運放和模擬比較器,具備UART接口
2025-07-13 11:35:11
615 
的通用ADC。
特性
? 1T 8051
? 工作電壓:2.4V~5.5V
? 普通模式(RUN)
? 省電模式(SLEEP)
? FLASH:32KB
? RAM:256B IRAM,1KB XRAM
2025-07-10 18:52:18
MS32C001-C系列單片機是一顆高性價比、低功耗的小資源MCU,適合低成本項目使用。芯片內(nèi)置32位ARM Cortex-M0+內(nèi)核,主頻可達24MHz。嵌入 18 KB Flash 和 1.5
2025-07-10 14:21:14
1503 
間為
運行時間= ( 中斷溢出次數(shù)*65536 + 定時器計數(shù)值)/160MHZ
(2445*65536+56838)/160MHZ=1001.8mS
對比結(jié)論
通過對比發(fā)現(xiàn),
1.DSP的RAM運行
2025-06-29 10:01:37
FM33A0xx系列
簡介:
FM33A0xx系列芯片是ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位低功耗MCU芯片,最大可支持512KB FLASH程序存儲器和 64KB RAM,集成LCD驅(qū)動、帶溫補
2025-06-12 18:03:47
采用雙核設(shè)計:8051內(nèi)核+MDE電機控制內(nèi)核。8051內(nèi)核用于對MDE的參數(shù)配置和其它日常事務(wù)控制,MDE內(nèi)核用于完成電機的FOC運算控制。繁瑣的FOC運算控制不再由軟件完成,而是交給硬件MDE去處
2025-06-09 14:31:58
AiP32RV1564是一款RISC-V內(nèi)核的32位通用MCU,最高工作頻率144MHz,內(nèi)置64 KB Flash,20KB SRAM,集成豐富的外設(shè)及可擴展IO。AiP32RV1564提供兩個
2025-06-09 14:29:51
889 
靈動微電子近日宣布推出基于Arm Cortex M0+內(nèi)核的MM32L0180系列微控制器MCU,以超低功耗設(shè)計與豐富外設(shè)資源賦能智能終端設(shè)備。該系列產(chǎn)品進一步完善了靈動低功耗產(chǎn)品矩陣,形成從
2025-06-03 19:31:44
1669 
Microchip AT27LV256A-90JU 參數(shù)特性 EDA模型與數(shù)據(jù)手冊下載
2025-05-30 14:54:35
881 
在Linux系統(tǒng)運維和性能優(yōu)化中,內(nèi)核參數(shù)(sysctl)的配置至關(guān)重要。合理的參數(shù)調(diào)整可以顯著提升網(wǎng)絡(luò)性能、系統(tǒng)穩(wěn)定性及資源利用率。然而,僅僅修改參數(shù)是不夠的,如何驗證這些參數(shù)是否生效同樣關(guān)鍵。
2025-05-29 17:40:31
904 ON Semiconductor RB521S30T1G參數(shù)特性與EDA模型 數(shù)據(jù)手冊介紹
2025-05-28 16:45:55
14929 
;蜂鳴器驅(qū)動;5個16-bit通用定時器; 通信接口方面提供2路UART, 1路SPI, 1路I2C;工業(yè)級標準設(shè)計,可工作在-40℃至105℃; 提供多種封裝。
特性:? 8051內(nèi)核
? 工作電壓
2025-05-22 13:45:35
AiP8F0110是一款8051核電磁加熱專用MCU,內(nèi)置16KB FLASH ROM、512B XRAM、256B IRAM、128B EEPROM,內(nèi)部集成Timer0/1/2/3,UART、I2C、PPG、PWM、BUZ、WDT、OPA、5路CMP、4路DAC、12bit-ADC。
2025-05-22 11:44:08
668 
DS8005雙智能卡接口是用于IC卡讀卡器接口的低成本雙模擬前端,IC卡讀卡器接口需要與兩個以相互排斥方式工作的智能卡通信。模擬接口設(shè)計用于ISO 7816、EMV?和B-CAS應(yīng)用。該器件功能
2025-05-22 11:02:25
727 
AiP8F3232是一款有電容觸摸型8051核MCU,內(nèi)置32KB Flash ROM、256B IRAM、1KB XRAM,內(nèi)部集成3個16位通用定時器、1個12位高級定時器、WT、WDT
2025-05-14 17:25:36
670 
主控MCU芯片CW32L010介紹
CW32L010 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器,集成了主頻高達 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲器(多至 64K
2025-05-13 14:06:45
MS32C001是普冉半導(dǎo)體(Puya)推出的基于 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核 的 32 位微控制器,專為高性能、低功耗的嵌入式應(yīng)用設(shè)計。工作頻率最高24MHz,具有18KB的Flash
2025-05-12 15:18:38
1030 
該豆?jié){機搭載了中微愛芯AiP8F3216作為主控芯片,融合食品級電機控制與智能傳感技術(shù),實現(xiàn)智能制漿、熬煮、保溫、定時預(yù)約等功能。AiP8F3216是一款觸控型 8051內(nèi)核 MCU,內(nèi)置 1KB
2025-05-07 11:36:04
1469 
? ? MCU片上Flash是微控制器內(nèi)部集成的非易失性存儲器,主要用于存儲程序代碼、常量數(shù)據(jù)及系統(tǒng)配置信息。其核心特性與功能如下: 一、定義與類型? 片上Flash采用浮柵晶體管技術(shù),具備斷電數(shù)據(jù)
2025-05-06 14:26:55
970 MCU片上RAM是微控制單元(MCU)中集成于芯片內(nèi)部的隨機存取存儲器,主要用于程序運行時的數(shù)據(jù)存儲與高速讀寫操作。以下是其核心要點: 一、定義與分類 ?片上RAM是MCU內(nèi)部存儲單元的一部分
2025-04-30 14:47:08
1123 參數(shù)可選:TIMER_PRESCALE_1/TIMER_PRESCALE_16/TIMER_PRESCALE_256
分別表示分頻數(shù):1分頻,16分頻,256分頻;
TIM_SetSize2 設(shè)置計時器
2025-04-30 11:06:34
、LVD、BUZ、高精度12位ADC、2路運算放大器、內(nèi)置 LCD 驅(qū)動模塊、內(nèi)置USART、IIC、SPI、提供5路PWM。
產(chǎn)品特性
>RISC內(nèi)核
>工作電壓
2025-04-24 11:45:12
如何禁用 i.MX RT1170 MCU 中的 M4 內(nèi)核?
您能否提供具體的可行方法?
或者是否可以將內(nèi)核的工作時鐘頻率降低到 0 ?
2025-04-09 07:28:09
一、基礎(chǔ)參數(shù)
內(nèi)核:1T51 架構(gòu) 8 位 CPU,兼容 8051 指令集,主頻 12MHz。
存儲:
8KB FLASH 程序存儲器(支持 ISP/IAP)
128 字節(jié) EEPROM 數(shù)據(jù)存儲器
2025-04-03 18:31:34
產(chǎn)品介紹 Holtek新推出BH66R2640?Body Fat DFE (Digital Front End) OTP MCU,整合體脂交流阻抗測量與24-bit Delta Sigma A/D
2025-04-01 16:47:02
989 AiP8F3501是一款集成LDO、7路達林頓管驅(qū)動的8051內(nèi)核MCU,內(nèi)置8KB FLASH、256B IRAM、256B XRAM、64B EEPROM,內(nèi)部集成了Timer0/1/2/5
2025-03-31 14:24:44
988 
誰能幫我了解如何使用 S32DS 在 MPC5775B 中并行運行兩個內(nèi)核(core0 和 core2)?
2025-03-31 06:27:33
嵌入式微控制器MCU ,又稱單片機,一般以某微處理器內(nèi)核為核心,芯片集成多種部件,功能和外設(shè),如8051系列。其最大的特點是單片化,體積大大減小,功耗和成本下降,可靠性提高,計算能力較為有限,主要
2025-03-26 11:12:24
AiP8F3101是一款集成LDO、5路達林頓管驅(qū)動和8051內(nèi)核MCU的控制芯片,內(nèi)置8KB FLASH、256B IRAM、256B XRAM、128B EEPROM,內(nèi)部集成了Timer0/1
2025-03-20 17:12:28
855 
, unsigned long n);參數(shù)說明:to:目標緩沖區(qū)的指針,用于存儲數(shù)據(jù);from:源緩沖區(qū)的指針,數(shù)據(jù)的來源;n:要拷貝的字節(jié)數(shù);get_user()和put_user()這兩個函數(shù)用于在內(nèi)核空間
2025-03-19 08:55:15
PT5F2306 是一款 51 內(nèi)核的觸控 A/D 型 8 位 MCU,內(nèi)置 16K*8bit FLASH、內(nèi)部 256*8bitSRAM、外部 512*8bit SRAM、觸控檢測、12 位高精度
2025-03-17 17:25:28
0 AiP8F3201是一款內(nèi)置7路達林頓驅(qū)動的8051內(nèi)核MCU,內(nèi)置16KB FLASH ROM、128B EEPROM、1KB XRAM、256B IRAM,內(nèi)部集成Timer0/1/2/5
2025-03-13 10:01:41
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芯朋微內(nèi)置500V高壓啟動與自供電模塊電源控制芯片--AP8005A 一 概述AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率
2025-03-10 16:57:58
Bus,I2S,QSPI,IrDA等,豐富的模擬功能,定時器及各種通訊接口,工作電壓1.8V~5.5V。
產(chǎn)品特性
ARM Cortex M0+內(nèi)核
主頻最高64MHz @1.8V-5.5V
2025-03-07 17:18:10
CA51F005 系列芯片是基于 1T 8051 內(nèi)核的 8 位微控制器,通常情況下,運行速度比傳統(tǒng)的 8051 芯片快10 倍,性能更加優(yōu)越。內(nèi)置 64K Flash 程序存儲器、4K 字節(jié)
2025-03-06 17:46:57
39 各位電子愛好者們,今天給大家介紹一款來自沁恒微電子的超值MCU——CH543,屬于E8051 USB系列,采用小巧的QFN20封裝,別看它體積小,功能可一點都不弱! CH543 核心優(yōu)勢: 高性能
2025-03-06 11:09:58
964 CH541是沁恒電子基于增強型E8051內(nèi)核設(shè)計的8位USB單片機,支持最高24MHz系統(tǒng)主頻,具備高效的指令執(zhí)行能力
2025-03-06 10:13:58
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CA51M151 系列芯片是基于 1T 8051 內(nèi)核的 8 位微控制器,不僅保留了傳統(tǒng) 8051 芯片的基本特性,通常情況下運行速度比傳統(tǒng)的 8051 芯片快 10 倍,性能更加優(yōu)越。芯片內(nèi)置 8
2025-03-04 15:35:05
2 DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC),具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:35
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DS1308串行實時時鐘(RTC)是一個低功耗、全二進制編碼的十進制(BCD)時鐘/日歷,加上56字節(jié)的NV RAM.地址和數(shù)據(jù)通過I2C接口串行傳輸。時鐘/日歷提供秒、分鐘、小時、日、日期、月和年
2025-02-26 13:48:50
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具有浮點單元(FPU),支持雙精度和單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型,適用于需要高精度計算的應(yīng)用。
主要特性
1、高性能處理器?:STM32H753IIT6搭載了Cortex-M7內(nèi)核,主頻高達480
2025-02-21 14:59:12
特點RS8051、RS8052、RS8054系列產(chǎn)品提供低電壓操作和軌對軌輸入輸出,以及出色的速度/動力功耗比,提供卓越的帶寬(100kHz)和30V/ms的轉(zhuǎn)換速率。運算放大器為增益≥10時穩(wěn)定
2025-02-21 10:57:45
STM32F091VCH6是一款集成了高性能ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位微控制器,工作頻率高達48MHz,內(nèi)置256KB閃存和32KB SRAM??。該器件適用于各種嵌入式應(yīng)用,具有高性能
2025-02-20 17:53:42
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MS5351/MS5351M通用頻率綜合器中文手冊.pdf》資料免費下載
2025-02-19 15:36:11
8 特點MS51為帶有Flash的增強型8位8051內(nèi)核微控制器(1T工作模式),指令集與標準的80C51完全兼容并 具備更高效能。 MS51 16K系列內(nèi)嵌18K的Flash存儲區(qū),通常稱作APROM
2025-02-19 14:33:42
高性能RISC-V內(nèi)核32位MCU-AiP32RV15A8/AiP32RV1564
2025-02-12 11:48:23
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STAR內(nèi)核,可以作為主控MCU
Flash:最大至256KB
SRAM:最大至64KB
全球通用
頻段:150MHz-960MHz全頻段無間斷
模式:LoRa / FSK / MSK / BPSK多模式
協(xié)議:LoRaWAN /LinkWAN/專有協(xié)議、
2025-02-08 10:53:53
基于8051 MCU AiP8F3216的空氣炸鍋單鍋解決方案
2025-02-05 10:12:11
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碳化硅(SiC)MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料(WBG)的一種,具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性,這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性,并通過對比硅基MOSFET和IGBT,闡述其技術(shù)優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-02-02 13:48:00
2733 AiP32RV15A8/64是一款RISC-V內(nèi)核的32位通用MCU,最高工作頻率144MHz,內(nèi)置128/64 KB Flash,20KB SRAM,集成豐富的外設(shè)及可擴展IO
2025-01-23 10:41:11
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需少量外圍器件即可構(gòu)建完整的充電與控制系統(tǒng),簡化了電路設(shè)計,縮小了方案尺寸,降低了生產(chǎn)成本。強大的MCU內(nèi)核內(nèi)置兼容8051指令集的8位MCU,主頻最高可達16M
2025-01-18 12:05:42
MS05M 是一款通用頻率綜合器芯片,通過 I 2C配置,可產(chǎn)生 2.5kHz 至 200MHz 的任意時鐘輸出。歡迎咨詢了解
2025-01-14 16:58:03
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基于8051內(nèi)核MCU AiP8F3216的小型制氧機方案
2025-01-10 09:04:14
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