在半導(dǎo)體測(cè)試載板研發(fā)精度要求嚴(yán)苛、迭代節(jié)奏加快的背景下，仿真技術(shù)成為提升設(shè)計(jì)可靠性的關(guān)鍵。上海季豐電子仿真部門，核心聚焦硬件研發(fā)部門需求——專攻CP載板、Loadboard、HTOL Board
2026-01-05 14:03:58
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本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
2025-12-26 15:05:13448 
在半導(dǎo)體制造邁向先進(jìn)制程的今天，濕法清洗技術(shù)作為保障芯片良率的核心環(huán)節(jié)，其重要性愈發(fā)凸顯。RCA濕法清洗設(shè)備憑借其成熟的工藝體系與高潔凈度表現(xiàn)，已成為全球半導(dǎo)體廠商的首選方案。本文將從設(shè)備工藝
2025-12-24 10:39:08135 SPM（硫酸-過(guò)氧化氫混合液）清洗是半導(dǎo)體制造中關(guān)鍵的濕法清洗工藝，主要用于去除晶圓表面的有機(jī)物、光刻膠殘留及金屬污染。以下是SPM清洗的標(biāo)準(zhǔn)化步驟及技術(shù)要點(diǎn)：一、溶液配制配比與成分典型體積比
2025-12-15 13:23:26392 
襯底清洗是半導(dǎo)體制造、LED外延生長(zhǎng)等工藝中的關(guān)鍵步驟，其目的是去除襯底表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化層等），確保后續(xù)薄膜沉積或器件加工的質(zhì)量。以下是常見(jiàn)的襯底清洗方法及適用場(chǎng)景：一
2025-12-10 13:45:30323 
PMOS管（P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）以P型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴遷移，實(shí)現(xiàn)電路開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是逆變器電路中的關(guān)鍵基礎(chǔ)器件，尤其適配逆變器低壓側(cè)開(kāi)關(guān)控制
2025-12-03 15:13:04
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓清洗是保障芯片性能與良率的核心環(huán)節(jié)之一。隨著制程技術(shù)向納米級(jí)演進(jìn)，污染物對(duì)器件功能的影響愈發(fā)顯著，而清洗材料的選擇直接決定了清潔效率、工藝兼容性及環(huán)境可持續(xù)性。以下是關(guān)鍵清潔
2025-11-24 15:07:29283 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 CPO量產(chǎn)繼續(xù)加速，最近Tower Semiconductor 高塔半導(dǎo)體宣布，將其成熟的 300mm 晶圓鍵合技術(shù)拓展至硅光子（SiPho）與硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
2025-11-21 08:46:004244 在半導(dǎo)體制造工藝中，零部件表面的痕量金屬污染已成為影響產(chǎn)品良率與可靠性的關(guān)鍵因素。季豐CA實(shí)驗(yàn)室針對(duì)這一行業(yè)痛點(diǎn)，建立了完善的表面污染物檢測(cè)體系——通過(guò)稀硝酸定位提取技術(shù)與圖像分析、高靈敏度質(zhì)譜檢測(cè)的有機(jī)結(jié)合，實(shí)現(xiàn)對(duì)納米級(jí)金屬污染的精準(zhǔn)溯源。
2025-11-19 11:14:08710 （一）數(shù)據(jù)傳輸安全防護(hù)方案?
在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備與云端、其他設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸時(shí)，芯源半導(dǎo)體安全芯片通過(guò)以下方式保障數(shù)據(jù)傳輸安全：?
數(shù)據(jù)加密傳輸：利用安全芯片內(nèi)置的硬件加密引擎，對(duì)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)進(jìn)行加密處理
2025-11-18 08:06:15
物理攻擊，如通過(guò)拆解設(shè)備獲取存儲(chǔ)的敏感信息、篡改硬件電路等。一些部署在戶外的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如智能電表、交通信號(hào)燈等，更容易成為物理攻擊的目標(biāo)。
芯源半導(dǎo)體的安全芯片采用了多種先進(jìn)的安全技術(shù)，從硬件層面為物
2025-11-13 07:29:27
如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 溶膠-凝膠法是20世紀(jì)60年代發(fā)展起來(lái)的一種制備陶瓷、玻璃等無(wú)機(jī)材料的濕式化學(xué)法。20世紀(jì)30年代，Geffcken證實(shí)用這種方法可以制備氧化物
2025-11-12 08:09:25901 
PMOS 管即 P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)在柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴的遷移，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是半導(dǎo)體電路中的基礎(chǔ)器件。
其
2025-11-05 15:58:17
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
半導(dǎo)體無(wú)機(jī)清洗是芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，以下是關(guān)于它的詳細(xì)介紹： 定義與目的 核心概念：指采用化學(xué)試劑或物理方法去除半導(dǎo)體材料（如硅片、襯底等）表面的無(wú)機(jī)污染物的過(guò)程。這些污染物包括金屬離子
2025-10-28 11:40:35231 自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)
2025-10-23 14:24:06
PMOS 管即 P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以 P 型半導(dǎo)體為襯底，通過(guò)在柵極施加負(fù)電壓調(diào)控源漏極間空穴的遷移，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)控制或信號(hào)放大，是半導(dǎo)體電路中的基礎(chǔ)器件。
其
2025-10-21 11:59:56
器件都承載著巨大的科技使命，它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障，而半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備正是守護(hù)這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器，為半導(dǎo)體制造企業(yè)及應(yīng)用終端行業(yè)為半導(dǎo)體核心功率轉(zhuǎn)換元件
2025-10-10 10:35:17
清洗策略半導(dǎo)體制造過(guò)程中產(chǎn)生的污染物可分為四類：顆粒物（灰塵/碎屑）、有機(jī)殘留（光刻膠/油污）、金屬離子污染、氧化層。針對(duì)不同類型需采用差異化的解決方案：顆粒物清除
2025-10-09 13:40:46705 
）、硫系化合物相變材料等新型材料的顛覆性突破，疊加鍵合材料、高分子介電材料等制造工藝配套材料的協(xié)同革新。這場(chǎng)由材料屬性升級(jí)引發(fā)的產(chǎn)業(yè)變革，在2025年九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽
2025-09-30 15:44:091412 
傳輸線方法（TLM）作為常見(jiàn)的電阻測(cè)量技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件中溝道電阻與接觸電阻的提取。傳統(tǒng)的TLM模型基于理想歐姆接觸假設(shè)，忽略了界面缺陷、勢(shì)壘等非理想因素引入的界面電阻，尤其在氧化物半導(dǎo)體如
2025-09-29 13:43:07430 
在當(dāng)代電子技術(shù)的浩瀚星空中，MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）無(wú)疑是一顆璀璨的恒星。從智能手機(jī)里的微小芯片到新能源電站的巨型逆變器，這種看似簡(jiǎn)單的半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的性能，支撐著現(xiàn)代電子文明的運(yùn)轉(zhuǎn)。了解MOS管的工作機(jī)制與應(yīng)用場(chǎng)景，如同掌握解讀電子世界的密碼。
2025-09-28 10:30:00798 
前言MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是電子學(xué)中最為基礎(chǔ)和重要的器件之一，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等電性能優(yōu)勢(shì)，以及兼有體積小、重量輕、功耗低、壽命長(zhǎng)等工程特性。從
2025-09-26 10:08:191648 
半導(dǎo)體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，涉及精密的材料去除與表面改性技術(shù)。以下是該工藝的核心要點(diǎn)及其實(shí)現(xiàn)方式：一、基礎(chǔ)原理與化學(xué)反應(yīng)體系金屬腐蝕本質(zhì)上是一種受控的氧化還原反應(yīng)過(guò)程。常用酸性溶液
2025-09-25 13:59:25951 
半導(dǎo)體腐蝕清洗機(jī)是集成電路制造過(guò)程中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，其作用貫穿晶圓加工的多個(gè)核心環(huán)節(jié)，具體體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：一、精準(zhǔn)去除表面污染物與殘留物在半導(dǎo)體工藝中，光刻、刻蝕、離子注入等步驟會(huì)留下多種
2025-09-25 13:56:46497 
摩矽半導(dǎo)體：專耕半導(dǎo)體行業(yè)20年，推動(dòng)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展！
2025-09-24 09:52:052102 
%。至少將GAA納米片提升幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點(diǎn)的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計(jì)好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的一種精細(xì)
2025-09-15 14:50:58
半導(dǎo)體RCA清洗工藝中使用的主要藥液包括以下幾種，每種均針對(duì)特定類型的污染物設(shè)計(jì)，并通過(guò)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)高效清潔：SC-1（堿性清洗液）成分組成：由氫氧化銨（NH?OH）、過(guò)氧化氫（H?O?）和去離子水
2025-09-11 11:19:131329 
半導(dǎo)體封裝過(guò)程中的清洗工藝是確保器件可靠性和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，主要涉及去除污染物、改善表面狀態(tài)及為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備。以下是主流的清洗技術(shù)及其應(yīng)用場(chǎng)景：一、按清洗介質(zhì)分類濕法清洗
2025-08-13 10:51:341916 
晶圓切割，作為半導(dǎo)體工藝流程中至關(guān)重要的一環(huán)，不僅決定了芯片的物理形態(tài)，更是影響其性能和可靠性的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)的切割工藝已逐漸無(wú)法滿足日益嚴(yán)苛的工藝要求，而新興的激光切割技術(shù)以其卓越的精度和效率，為
2025-08-05 17:53:44764 
在半導(dǎo)體制造中，溝槽刻蝕工藝的臺(tái)階高度直接影響器件性能。臺(tái)階儀作為接觸式表面形貌測(cè)量核心設(shè)備，通過(guò)精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)溝槽刻蝕形成的臺(tái)階參數(shù)（如臺(tái)階高度、表面粗糙度），為工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。Flexfilm費(fèi)
2025-08-01 18:02:17845 
講解一、解密“電子鼻”1電子鼻的工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）氣體傳感器構(gòu)成的“電子鼻”，核心原理是利用金屬氧化物（如SnO?、ZnO等）表面對(duì)氣體的吸附-脫附特性。當(dāng)目標(biāo)氣體與金屬氧化物表面接觸時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)吸附反應(yīng)，導(dǎo)致材料的電導(dǎo)率
2025-07-31 18:26:26895 
NMOS 管，即 N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。其核心結(jié)構(gòu)由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）及 N 型溝道組成。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，溝道導(dǎo)通，電子從
2025-07-24 16:25:56
NMOS 管，即 N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。其核心結(jié)構(gòu)由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）及 N 型溝道組成。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，溝道導(dǎo)通，電子
2025-07-23 17:27:58
一、核心功能與應(yīng)用場(chǎng)景半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī)是利用高頻超聲波（20kHz-1MHz）的空化效應(yīng)，通過(guò)液體中微射流和沖擊波的作用，高效剝離晶圓表面的顆粒、有機(jī)物、金屬污染及微小結(jié)構(gòu)內(nèi)的殘留物。廣泛應(yīng)用
2025-07-23 15:06:54
晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的工藝制造環(huán)節(jié)中，溫度控制的穩(wěn)定性直接影響芯片的性能與良率。其中，半導(dǎo)體冷盤chiller作為溫控設(shè)備之一，通過(guò)準(zhǔn)確的流體溫度調(diào)節(jié)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程中的各類工藝提供穩(wěn)定的環(huán)境支撐，成為
2025-07-16 13:49:19580 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類重要功率半導(dǎo)體器件各級(jí)模型的基礎(chǔ)知識(shí)，使
2025-07-11 14:49:36
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”，需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓：先打地基（晶體管層），再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)（金屬互連），最后封頂防護(hù)（封裝層）。這種將芯片分為FEOL（前道工序） 與 BEOL（后道工序） 的智慧，正是半導(dǎo)體工業(yè)的基石。
2025-07-09 09:35:342014 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，后道工藝（封裝與測(cè)試環(huán)節(jié)）對(duì)溫度控制的精度和穩(wěn)定性要求高。冠亞恒溫半導(dǎo)體冷水機(jī)憑借其高精度溫控、多通道同步控制及定制化設(shè)計(jì)能力，成為保障后道工藝可靠性的核心設(shè)備。本文從技術(shù)
2025-07-08 14:41:51622 
在半導(dǎo)體工藝研發(fā)與制造過(guò)程中，精確的表征技術(shù)是保障器件性能與良率的核心環(huán)節(jié)。
2025-07-07 11:19:401349 
金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）、雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（DMOS）三種器件集成在同一芯片上。結(jié)合雙極晶體管的高驅(qū)動(dòng)能力、CMOS的高集成度與低功耗，以及DMOS的高壓大電流特性，能夠降低芯片面積，提高性能。 ? BCD工藝由意法半導(dǎo)體于1985年首次推出，當(dāng)時(shí)的工藝節(jié)點(diǎn)為4微米，電壓能力
2025-07-05 00:06:009032 制造、科研實(shí)驗(yàn)，到通信設(shè)備運(yùn)行，半導(dǎo)體溫控技術(shù)的應(yīng)用為相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展提供了溫控保障。隨著技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新迭代，半導(dǎo)體溫控技術(shù)有望在更多領(lǐng)域拓展應(yīng)用邊界。
2025-06-25 14:44:54
在半導(dǎo)體制造的精密鏈條中，半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過(guò)化學(xué)或物理手段去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子等），為后續(xù)制程提供潔凈的基底。本文將從設(shè)備定義、核心特點(diǎn)
2025-06-25 10:31:51
半導(dǎo)體濕法清洗是芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵工序，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化物等），確保后續(xù)工藝的良率與穩(wěn)定性。隨著芯片制程向更小尺寸（如28nm以下）發(fā)展，濕法清洗設(shè)備
2025-06-25 10:21:37
有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
半導(dǎo)體藥液?jiǎn)卧–hemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
ISSG(In-Situ Steam Generation，原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫氧化工藝，核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在反應(yīng)腔內(nèi)直接合成高活性水蒸氣，并解離生成原子氧(O*)，實(shí)現(xiàn)對(duì)硅表面的精準(zhǔn)氧化。
2025-06-07 09:23:294588 
蘇州這片兼具人文底蘊(yùn)與創(chuàng)新活力的土地，自成立伊始，便將全部心血傾注于半導(dǎo)體高端裝備制造，專注于清洗機(jī)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。這里匯聚了行業(yè)內(nèi)的精英人才，他們懷揣著對(duì)技術(shù)的熱忱與執(zhí)著，深入探究半導(dǎo)體清洗技術(shù)
2025-06-05 15:31:42
半導(dǎo)體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對(duì)器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過(guò)在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學(xué)、化學(xué)和物理
2025-05-30 11:09:301781 
化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382339 
互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)的核心，它利用了N型和P型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的互補(bǔ)特性來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗的電子設(shè)備。CMOS工藝的發(fā)展不僅推動(dòng)了電子設(shè)備的微型化，還極大提高了計(jì)算能力和效率。
2025-05-23 16:30:422389 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，工藝制程對(duì)溫度控制的精度和響應(yīng)速度要求嚴(yán)苛。半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller實(shí)現(xiàn)快速升降溫及±0.5℃精度控制。一、半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)半導(dǎo)體制冷機(jī)chiller
2025-05-22 15:31:011416 
隨著集成電路高集成度、高性能的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體制造技術(shù)提出更高要求。超短脈沖激光加工作為一種精密制造技術(shù)，正逐步成為半導(dǎo)體制造的重要工藝。闡述了超短脈沖激光加工技術(shù)特點(diǎn)和激光與材料相互作用過(guò)程，重點(diǎn)介紹了超快激光精密加工技術(shù)在硬脆半導(dǎo)體晶體切割、半導(dǎo)體晶圓劃片中的應(yīng)用，并提出相關(guān)技術(shù)提升方向。
2025-05-22 10:14:061329 
一、什么是電鍍：揭秘電鍍機(jī)理 電鍍（Electroplating，又稱電沉積 Electrodeposition）是半導(dǎo)體制造中的核心工藝之一。該技術(shù)基于電化學(xué)原理，通過(guò)電解過(guò)程將電鍍液中的金屬離子
2025-05-13 13:29:562529 
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過(guò)調(diào)焦來(lái)確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過(guò)程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過(guò)直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水（NH?OH）、過(guò)氧化氫（H?O?）和去離子水（H?O）的化學(xué)清洗工藝，主要用于去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點(diǎn)
2025-04-28 17:22:334238 半導(dǎo)體BOE（Buffered Oxide Etchant，緩沖氧化物蝕刻液）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝，尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕中廣
2025-04-28 17:17:255516 半導(dǎo)體行業(yè)用Chiller（冷熱循環(huán)系統(tǒng)）通過(guò)溫控保障半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定性，其應(yīng)用覆蓋晶圓制造流程中的環(huán)節(jié)，以下是對(duì)Chiller在半導(dǎo)體工藝中的應(yīng)用、選購(gòu)及操作注意事項(xiàng)的詳細(xì)闡述。一
2025-04-21 16:23:481232 
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372158 
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書(shū)籍，作者是美國(guó)人Michael Quirk。看完相信你對(duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來(lái)代表二進(jìn)制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導(dǎo)體通過(guò)一些微觀的構(gòu)造與參雜可以這種性質(zhì)。
2025-04-15 09:32:291642 
Intersil ICL7660 和 ICL7660A 是單片互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）電源電路，與以前可用的器件相比，具有獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)。ICL7660 在 +1.5V 至 +10.0V
2025-04-10 18:19:181167 
在半導(dǎo)體制造的精密工藝流程中，每一個(gè)零部件都扮演著至關(guān)重要的角色，而靜電卡盤（Electrostatic Chuck，簡(jiǎn)稱E-Chuck）無(wú)疑是其中的佼佼者。作為固定晶圓的關(guān)鍵設(shè)備，靜電卡盤以其獨(dú)特的靜電吸附原理、高精度的溫度控制能力以及廣泛的適用性，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。
2025-03-31 13:56:143952 
金屬導(dǎo)體，其導(dǎo)電性能比導(dǎo)體差而比絕緣體好。 半導(dǎo)體:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱半導(dǎo)體。常用的半導(dǎo)體材料有硅（Si）、鍺（Ge）、硒（Se）和砷化鎵（GaAs）及其他金屬氧化物和硫化物等
2025-03-25 16:21:28
雖然明確說(shuō)明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來(lái)做EtherCAT的從站，但它可以用來(lái)做主站嗎，還是說(shuō)必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片集成度不斷提高，功能日益復(fù)雜，這對(duì)半導(dǎo)體貼裝工藝和設(shè)備提出了更高的要求。半導(dǎo)體貼裝工藝作為半導(dǎo)體封裝過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性和成本。本文將深入分析半導(dǎo)體貼裝工藝及其相關(guān)設(shè)備，探討其發(fā)展趨勢(shì)和挑戰(zhàn)。
2025-03-13 13:45:001587 
【DT半導(dǎo)體】獲悉，隨著人工智能（AI）技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)半導(dǎo)體性能的提升需求不斷增長(zhǎng)，同時(shí)人們對(duì)降低半導(dǎo)體器件功耗的研究也日趨活躍，替代傳統(tǒng)硅的新型半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。石墨烯、過(guò)渡金屬二硫化物（TMD
2025-03-08 10:53:061189 2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一重大突破不僅標(biāo)志著我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了國(guó)際領(lǐng)先地位，也為我國(guó)
2025-03-07 11:43:222412 
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
芯和半導(dǎo)體科技（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯和半導(dǎo)體”）將于3月13日參加在重慶舉辦的重慶半導(dǎo)體制造與先進(jìn)封測(cè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇。作為國(guó)內(nèi)Chiplet先進(jìn)封裝EDA的代表，芯和半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁代文亮博士將發(fā)表題為《集成系統(tǒng)EDA賦能加速先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)仿真》的主題演講。
2025-03-05 15:01:191184 光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見(jiàn)的半導(dǎo)體加工工藝流程。
2025-03-04 17:07:042119 
一、引言在半導(dǎo)體制造業(yè)這一高科技領(lǐng)域中，生產(chǎn)效率、質(zhì)量控制和成本控制是企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵所在。隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，制造執(zhí)行系統(tǒng)（MES）已成為半導(dǎo)體企業(yè)提升生產(chǎn)管理水平的重要工具。本文旨在探討
2025-02-24 14:08:161210 
半導(dǎo)體塑封工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它通過(guò)將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件的保護(hù)、固定、連接和散熱等功能。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，塑封工藝也在不斷演進(jìn)，以適應(yīng)更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導(dǎo)體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412566 
半導(dǎo)體濕法清洗工藝?? 隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴(yán)苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機(jī)物、金屬離子或氧化物殘留都可能對(duì)器件性能產(chǎn)生重大影響，進(jìn)而
2025-02-20 10:13:134063 
VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40901 
半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 有序的芯片單元，每個(gè)小方塊都預(yù)示著一個(gè)未來(lái)可能大放異彩的芯片。芯片的尺寸大小，直接關(guān)聯(lián)到單個(gè)晶圓能孕育出的芯片數(shù)量。 半導(dǎo)體制造流程概覽 半導(dǎo)體的制造之旅可以分為三大核心板塊：晶圓的生產(chǎn)、封裝以及測(cè)試。晶圓的生
2025-01-28 15:48:001182 
在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺(tái)上，每一項(xiàng)技術(shù)都是推動(dòng)行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中，原子層沉積（ALD）技術(shù)，作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星，正逐步成為半導(dǎo)體工藝中不可或缺的核心要素。本文旨在深度剖析為何半導(dǎo)體制造對(duì)ALD技術(shù)情有獨(dú)鐘，并揭示其獨(dú)特魅力及廣泛應(yīng)用。
2025-01-24 11:17:211922 近日，荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示，通過(guò)精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)，大幅降低了內(nèi)部納米級(jí)缺陷的數(shù)量，可顯著提升光電子學(xué)效率，進(jìn)而
2025-01-23 09:52:54686 
在半導(dǎo)體制造這一高度精密且不斷進(jìn)步的領(lǐng)域，每一項(xiàng)技術(shù)都承載著推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵使命。原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡(jiǎn)稱ALD）工藝，作為一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，正逐漸成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的一環(huán)。本文將深入探討半導(dǎo)體中為何會(huì)用到ALD工藝，并分析其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-20 11:44:444405 
，固晶工藝及其配套設(shè)備構(gòu)成了不可或缺的一環(huán)，對(duì)最終產(chǎn)品的性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性以及使用壽命均產(chǎn)生著直接且關(guān)鍵的影響。本文旨在深入剖析半導(dǎo)體固晶工藝及其相關(guān)設(shè)備的研究現(xiàn)狀、未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)，以及它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中所占據(jù)的重要地位。
2025-01-15 16:23:502496 隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷?，從智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)到各類智能設(shè)備，半導(dǎo)體芯片作為其核心部件，其性能和可靠性至關(guān)重要。而在半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程中，固晶工藝及設(shè)備作為關(guān)鍵
2025-01-14 10:59:133015 
近日，全球領(lǐng)先的高功率半導(dǎo)體激光元器件及原材料、激光光學(xué)元器件、光子技術(shù)應(yīng)用解決方案供應(yīng)商炬光科技，正式發(fā)布了LCS系列980/1470nm高功率低熱阻低Smile傳導(dǎo)冷卻半導(dǎo)體激光器。 這款LCS
2025-01-09 17:07:531225 在半導(dǎo)體加工制造工藝中，北京環(huán)球聯(lián)合水冷機(jī)一直發(fā)揮著不可或缺的作用，有其不容忽視的積極意義。作為半導(dǎo)體制造過(guò)程中極其重要的輔助加工設(shè)備，北京環(huán)球聯(lián)合水冷機(jī)在多個(gè)環(huán)節(jié)都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，確保了
2025-01-08 10:58:11727 
隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。在眾多半導(dǎo)體材料中，鎵因其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，在半導(dǎo)體制造中占據(jù)了一席之地。 鎵的基本性質(zhì) 鎵是一種柔軟、銀白色的金屬，具有低熔點(diǎn)
2025-01-06 15:11:592707 ，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。 WD4000半導(dǎo)體晶圓幾何表面形貌檢測(cè)設(shè)備可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢
2025-01-06 14:34:08
設(shè)計(jì)芯片：半導(dǎo)體制造的起點(diǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造始于芯片設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)階段是整個(gè)制造過(guò)程的第一步，工程師們根據(jù)產(chǎn)品所需的功能來(lái)設(shè)計(jì)芯片。芯片設(shè)計(jì)完成后，下一步是將這些設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)體的晶圓。晶圓由重復(fù)排列
2025-01-06 12:28:111168 
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