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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>HPLC、UHPLC 樣品制備時(shí)該注意些什么?

HPLC、UHPLC 樣品制備時(shí)該注意些什么?

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什么是氬離子拋光?

氬離子拋光技術(shù)氬離子拋光技術(shù)(ArgonIonPolishing,AIP)作為一種先進(jìn)的樣品制備方法,為電子顯微鏡(SEM)和電子背散射衍射(EBSD)分析提供了高質(zhì)量的樣品表面。下面將介紹氬離子
2025-04-27 15:43:51640

聚焦離子束(FIB)技術(shù)的應(yīng)用原理

聚焦離子束(FIB)技術(shù)是一種極為精細(xì)的樣品制備與加工手段,它能夠?qū)饘?、合金、陶瓷等多種材料進(jìn)行加工,制備出尺寸極小的薄片。這些薄片的寬度通常在10~20微米,高度在10~15微米,厚度僅為100
2025-04-23 14:31:251017

RA生態(tài)工作室網(wǎng)站使用手冊【1】--樣品申請

RA工作室網(wǎng)站2.0上線也有一段時(shí)間了,今天給大家出一個(gè)使用手冊,方便用戶知道從這里可以獲取什么。網(wǎng)站設(shè)置的初衷之一是希望給廣大用戶提供獲取樣品、開發(fā)資源/教程、資訊(活動(dòng)/新聞)的渠道
2025-04-11 18:35:281040

THS6222 具有共模緩沖器的差分寬帶PLC和HPLC線路驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊

THS6222 是一款具有電流反饋架構(gòu)的差分線路驅(qū)動(dòng)器放大器,器件使用德州儀器 (TI) 專有的高速硅鍺 (SiGe) 工藝制造。器件專用于在驅(qū)動(dòng)重線路負(fù)載時(shí)需要高線性度的寬帶、高速、電力線通信
2025-04-11 14:23:20847

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對材料性能的影響,幫助讀者深入理解硅材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531995

穩(wěn)壓器在安裝接線前需要注意哪些

穩(wěn)壓器是一種非常重要的電氣設(shè)備,它可以有效地解決電壓不穩(wěn)定、波動(dòng)過大等問題,保證設(shè)備的正常運(yùn)行,然而,穩(wěn)壓器接線并非簡單地將線接好就行,而是需要注意事項(xiàng),以確保其能夠安全、有效地發(fā)揮應(yīng)有的作用,下面小編來說說穩(wěn)壓器在安裝接線前需要注意哪些。
2025-04-03 15:20:18733

漢源高科4K HDMI高清視頻光端機(jī)在不同領(lǐng)域的一應(yīng)用成功案例

以下是漢源高科4K HDMI高清視頻光端機(jī)在不同領(lǐng)域的一應(yīng)用成功案例:安防監(jiān)控領(lǐng)域平安城市建設(shè):在某大型城市的平安城市項(xiàng)目中,使用漢源高科4K HDMI高清視頻光端機(jī)連接分布在城市各個(gè)角落的監(jiān)控
2025-04-01 17:23:16

樣品倉掃描電鏡購買指南

以下是一份大樣品倉掃描電鏡的購買指南:1、明確需求-樣品尺寸和類型:確定經(jīng)常需要觀察的樣品的最大尺寸、形狀以及樣品的性質(zhì),如導(dǎo)電性、磁性等。例如,若研究的是大型地質(zhì)巖石樣本或較大的生物組織切片
2025-03-27 15:57:21522

Banana Pi BPI-AIM7 RK3588 AI模組樣品體驗(yàn)

這將是一個(gè)略有不同的評論,因?yàn)樗皇顷P(guān)于成品的——我已經(jīng)收到了 ArmSom/BananaPi 即將推出的 AI 模塊 7(將很快在 CrowdSupply 上推出)的早期樣品,我想分享我對它的早期印象。
2025-03-20 18:31:081770

中科精研高通量焦耳加熱裝置

和原材料消耗。b.設(shè)備利用率提升:高效完成更多實(shí)驗(yàn)任務(wù),提高經(jīng)濟(jì)效益。3.多樣化材料組合a.制備多種成分、結(jié)構(gòu)的樣品,拓展材料應(yīng)用領(lǐng)域,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 
2025-03-20 16:44:16

氬離子拋光技術(shù):材料科學(xué)中的關(guān)鍵樣品制備方法

氬離子拋光技術(shù)的核心氬離子拋光技術(shù)的核心在于利用高能氬離子束對樣品表面進(jìn)行精確的物理蝕刻。在拋光過程中,氬離子束與樣品表面的原子發(fā)生彈性碰撞,使表面原子或分子被濺射出來。這種濺射作用能夠在不引
2025-03-19 11:47:26626

THS6232 具有共模緩沖器的差分寬帶PLC和HPLC線路驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊

THS6232 是一款具有電流反饋架構(gòu)的差分線路驅(qū)動(dòng)器放大器,可提供高輸出電流和低失真性能。器件專用于在驅(qū)動(dòng)重線路負(fù)載時(shí)需要高線性度的寬帶、高速、電力線通信 (HPLC) 線路驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。
2025-03-19 09:39:061062

N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響

本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對氧含量的影響。
2025-03-18 16:46:211309

氬離子束拋光技術(shù):鋰電池電極片微觀結(jié)構(gòu)

、EDS、EBSD、CL、EBIC或其它分析。同時(shí),CP截面拋光儀制樣廣泛,可用于于各種材料樣品(除了液態(tài))的制備,適應(yīng)大多數(shù)材料類型,對大面積、表面或輻照及能量敏感
2025-03-17 16:27:36799

HPLC HRF雙模芯片CN8513 CN8514應(yīng)用于遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)

HPLC&HRF雙模芯片CN8513 CN8514應(yīng)用于遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)
2025-03-13 09:52:351153

奕葉探針臺(tái)助力制備2D材料堆疊異質(zhì)結(jié)

hBN-Graphene-hBN是一種由六方氮化硼和石墨烯交替堆疊形成的范德華異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)制備方法分為機(jī)械剝離法和化學(xué)氣相沉淀法。其中化學(xué)氣相沉淀法就需要高溫和特定的環(huán)境。奕葉探針臺(tái)高溫系統(tǒng)
2025-03-12 14:41:391011

氬離子拋光:大面積電鏡樣品制樣的最佳選擇

氬離子切割與拋光技術(shù)是現(xiàn)代材料科學(xué)研究中不可或缺的樣品表面制備手段。其核心原理是利用寬離子束(約1毫米)對樣品進(jìn)行精確加工,通過離子束的物理作用去除樣品表面的損傷層或多余部分,從而為后續(xù)的微觀結(jié)構(gòu)
2025-03-06 17:21:19762

氬離子束研磨拋光助力EBSD樣品的高效制備

EBSD樣品制備EBSD樣品制備過程對實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性有著極為重要的影響。目前,常用的EBSD樣品制備方法包括機(jī)械拋光、電解拋光和聚焦離子束(FIB)等,但這些方法各有其局限性。1.
2025-03-03 15:48:01692

22.0%效率的突破:前硅多晶硅選擇性發(fā)射極雙面TOPCon電池的制備與優(yōu)化

隨著全球能源需求的增長,開發(fā)高效率太陽能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽能電池,并通過優(yōu)化工藝實(shí)現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291206

安泰10kV高壓放大器在靜電紡絲工藝制備PVDF中的應(yīng)用

近年來,靜電紡絲技術(shù)在全球材料科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域備受矚目,已成為制備連續(xù)納米纖維的首選方法。
2025-03-01 10:40:05714

雙束聚焦離子束-掃描電鏡(FIB):TEM樣品制備

電子顯微鏡(TEM)薄片樣品,還能根據(jù)不同的研發(fā)表征需求,對材料樣品的表面進(jìn)行平面加工制樣。截面與平面TEM樣品的區(qū)別截面TEM樣品與平面TEM樣品的主要區(qū)別在于觀察面的
2025-02-28 16:11:341156

氬離子技術(shù)之電子顯微鏡樣品制備技術(shù)

在材料科學(xué)的微觀研究領(lǐng)域,電子顯微鏡扮演著至關(guān)重要的角色。它能夠深入揭示材料樣品內(nèi)部的精細(xì)結(jié)構(gòu),為科研人員分析組織形貌和結(jié)構(gòu)特征提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持。掃描電鏡(SEM)樣品制備掃描電鏡(SEM)以其
2025-02-25 17:26:05789

請問DLPNIRNANOEVM如何評估模塊的測量精度?

經(jīng)過對比分析發(fā)現(xiàn),購買的DLPNIRNANOEVM模塊對標(biāo)準(zhǔn)白板和黑板的測量重復(fù)性均不夠理想,固定測量位置,用模塊重復(fù)測量20次,所得數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)方差(SE)遠(yuǎn)高于對照模塊,使用豬肉或者水果樣品
2025-02-24 07:07:15

利用氬離子拋光技術(shù)還原LED支架鍍層的厚度

氬離子拋光技術(shù)憑借其獨(dú)特的原理和顯著的優(yōu)勢,在精密樣品制備領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。技術(shù)以氬氣為介質(zhì),在真空環(huán)境下,通過電離氬氣產(chǎn)生氬離子束,對樣品表面進(jìn)行精準(zhǔn)轟擊,實(shí)現(xiàn)物理蝕刻,從而去除表面損傷層
2025-02-21 14:51:49766

請問16位精度的AD電路設(shè)計(jì)注意什么?

問個(gè)簡單問題:16位精度的AD電路設(shè)計(jì)注意什么?
2025-02-14 06:13:17

給女朋友送花注意什么?

專業(yè)的品牌花店會(huì)更靠譜一。送花更多的是一個(gè)服務(wù)和體驗(yàn),花藝搭配只是其中一個(gè)組成部分。服務(wù)質(zhì)量、送花效率、細(xì)節(jié)的貼心程度,這些直接決定了這次送花成功的85%。所以特別是第一次送花的話,建議從比較知名
2025-02-13 21:38:37

制備用于掃描電子顯微鏡(SEM)分析的氬離子拋光和化學(xué)拋光(CP)截面樣品

氬離子束拋光技術(shù)(ArgonIonBeamPolishing,AIBP),一種先進(jìn)的材料表面處理工藝,它通過精確控制的氬離子束對樣品表面進(jìn)行加工,以實(shí)現(xiàn)平滑無損傷的拋光效果。技術(shù)概述氬離子束拋光技術(shù)
2025-02-10 11:45:38924

RFID技術(shù)在環(huán)境檢測實(shí)驗(yàn)室樣品管理中的應(yīng)用

RFID技術(shù)在環(huán)境檢測實(shí)驗(yàn)室樣品管理中的應(yīng)用,不僅提高了管理的準(zhǔn)確性和效率,還減少了手工操作可能帶來的差錯(cuò)。通過RFID技術(shù)與樣品管理系統(tǒng)的結(jié)合,實(shí)驗(yàn)室可準(zhǔn)確獲取樣品存儲(chǔ)位置及詳細(xì)信息,從而大幅提升樣品管理水平和質(zhì)量。
2025-02-10 09:17:05634

氧化石墨烯制備技術(shù)的最新研究進(jìn)展

。 目前,GO的批量制備主要采用化學(xué)氧化方法(如Hummers法),即通過石墨與濃硫酸、濃硝酸、高錳酸鉀等強(qiáng)氧化劑的反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)GO制備反應(yīng)迄今已有150多年的歷史,由于大量強(qiáng)氧化劑的使用,在制備過程中存在爆炸風(fēng)險(xiǎn)、嚴(yán)重的環(huán)境污
2025-02-09 16:55:121089

電鏡樣品制備:氬離子拋光優(yōu)勢

氬離子拋光技術(shù)的原理氬離子拋光技術(shù)基于物理濺射機(jī)制。其核心過程是將氬氣電離為氬離子束,并通過電場加速這些離子,使其以特定能量和角度撞擊樣品表面。氬離子的沖擊能夠有效去除樣品表面的損傷層和雜質(zhì),從而
2025-02-07 14:03:34867

陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能

本文采用傳統(tǒng)固相反應(yīng)工藝,在不同燒結(jié)溫度下制備了一系列CaCuTiO?(CCTO)陶瓷樣品,并對其微觀結(jié)構(gòu)以及介電和復(fù)阻抗性質(zhì)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。研究結(jié)果表明,這些樣品的微觀結(jié)構(gòu)可分為三種類型。CCTO
2025-01-23 09:21:111423

一文解讀氧化石墨烯制備的研究進(jìn)展

。 目前,GO的批量制備主要采用化學(xué)氧化方法(如Hummers法),即通過石墨與濃硫酸、濃硝酸、高錳酸鉀等強(qiáng)氧化劑的反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)GO制備。反應(yīng)迄今已有150多年的歷史,由于大量強(qiáng)氧化劑的使用,在制備過程中存在爆炸風(fēng)險(xiǎn)、嚴(yán)重的環(huán)境污
2025-01-21 18:03:501032

PFA過濾延展網(wǎng)在半導(dǎo)體硅片制備過程中的作用

PFA氟聚合物延展網(wǎng)可作為濾膜介質(zhì)支撐,解決濾膜在強(qiáng)力和高壓下的耐受力,延展網(wǎng)孔孔距不會(huì)受壓力變化而變距,在半導(dǎo)體和高純硅片的制備和生產(chǎn)中得到更廣泛的應(yīng)用,如半導(dǎo)體芯片、太陽能、液晶面板等行業(yè),或者一其他超高純流體要求的行業(yè),需承受高密度,高壓、高流速的設(shè)計(jì)需求。
2025-01-20 13:53:27844

三菱電機(jī)開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品

三菱電機(jī)株式會(huì)社近日宣布,將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品,適用于太陽能和其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片,有助于降低太陽能發(fā)電系統(tǒng)、儲(chǔ)能電池等電源系統(tǒng)中逆變器的功率損耗,提高逆變器的輸出功率。
2025-01-17 09:36:431116

利用氬離子拋光還原LED支架鍍層的厚度

氬離子拋光技術(shù)氬離子拋光技術(shù)憑借其獨(dú)特的原理和顯著的優(yōu)勢,在精密樣品制備領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。技術(shù)以氬氣為介質(zhì),在真空環(huán)境下,通過電離氬氣產(chǎn)生氬離子束,對樣品表面進(jìn)行精準(zhǔn)轟擊,實(shí)現(xiàn)物理蝕刻,從而
2025-01-16 23:03:28586

使用磁敏光電液位計(jì)注意哪些?

流量計(jì)
華泰天科發(fā)布于 2025-01-15 12:23:39

?石墨烯的基本特性?,制備方法?和應(yīng)用領(lǐng)域

的方式鍵合形成單層六邊形蜂窩晶格。它具有出色的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和機(jī)械強(qiáng)度,這些特性使得石墨烯在多個(gè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。 ?石墨烯的制備方法?: 近年來,科學(xué)家們研發(fā)出了多種石墨烯的制備方法,其中包括基于生物質(zhì)的
2025-01-14 11:02:191430

AFE5805的配置應(yīng)該注意什么問題呢?

、100mV正弦信號,用同樣的FPGA程序無法正確解析LVDS輸出數(shù)據(jù),可能是什么原因呢?AFE5805的配置應(yīng)該注意什么問題呢?
2025-01-14 07:35:36

什么是熱重分析(TGA)

什么是熱重分析(TGA)熱重分析(TGA)在專業(yè)領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。技術(shù)通過精確測量樣品在受控溫度變化下的質(zhì)量變化,來分析材料的熱穩(wěn)定性、分解行為和成分分析。本文將對TGA的運(yùn)作機(jī)制、樣品
2025-01-09 11:02:462083

HPLC+HRF雙模載波芯片CN8513&CN8514應(yīng)用于智能樓宇

HPLC+HRF雙模載波芯片CN8513&CN8514應(yīng)用于智能樓宇
2025-01-09 10:01:331295

氬離子切拋技術(shù)在簡化樣品制備流程中的應(yīng)用

在材料科學(xué)和工程領(lǐng)域,樣品制備對于后續(xù)的分析和測試至關(guān)重要。傳統(tǒng)的制樣方法,如機(jī)械拋光和研磨,雖然在一定程度上可以滿足要求,但往往存在耗時(shí)長、操作復(fù)雜、容易損傷樣品表面等問題。隨著技術(shù)的發(fā)展,氬
2025-01-08 10:57:36658

通過樣品臺(tái)的移動(dòng),實(shí)現(xiàn)白光干涉中的機(jī)械相移原理

在白光干涉測量技術(shù)中,通過樣品臺(tái)的移動(dòng)來實(shí)現(xiàn)機(jī)械相移原理是一種常用的且高精度的方法。這種方法基于光的波動(dòng)性和相干性,通過改變樣品臺(tái)的位置,即改變待測光線與參考光線之間的光程差,來實(shí)現(xiàn)相位調(diào)制,從而
2025-01-08 10:37:39359

淺談制備精細(xì)焊粉(超微焊粉)的方法

制備精細(xì)焊粉的方法有多種,以下介紹五種常用的方法:
2025-01-07 16:00:57739

致真精密高精度振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)E607產(chǎn)品簡介

由致真精密自主研發(fā)的高精度振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì),可用于測量磁性材料的磁化曲線、磁滯回線、退磁曲線、升溫曲線、降溫曲線等,以得到相應(yīng)的磁學(xué)參數(shù)如飽和磁化強(qiáng)度、剩余磁化強(qiáng)度、矯頑力、最大磁能積、居里溫度,超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度、奈爾溫度和磁導(dǎo)率(包括初始磁導(dǎo)率)等。
2025-01-07 14:42:451119

聚焦離子束(FIB)在加工硅材料的應(yīng)用

在材料分析中的關(guān)鍵作用在材料科學(xué)領(lǐng)域,聚焦離子束(FIB)技術(shù)已經(jīng)成為一種重要的工具,尤其在制備透射電子顯微鏡(TEM)樣品時(shí)顯示出其獨(dú)特的優(yōu)勢。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為行業(yè)領(lǐng)先的檢測機(jī)構(gòu),能夠幫助
2025-01-07 11:19:32877

集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配設(shè)備安裝與連接環(huán)節(jié)有哪些注意事項(xiàng)?

設(shè)備安裝與連接是集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配施工流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),以下是環(huán)節(jié)的一注意事項(xiàng):
2025-01-06 16:48:291317

白光干涉中,通過樣品臺(tái)的移動(dòng),實(shí)現(xiàn)機(jī)械相移技術(shù)

一、基本原理 在白光干涉儀中,光源發(fā)出的光經(jīng)過擴(kuò)束準(zhǔn)直后,通過分光棱鏡被分成兩束相干光:一束作為參考光,經(jīng)過固定的光路到達(dá)干涉儀的接收屏;另一束作為待測光,經(jīng)過樣品臺(tái)后被反射或透射,再與參考光相遇
2025-01-06 10:38:38291

利用ADS1293與ARM進(jìn)行SPI數(shù)據(jù)通信的程序設(shè)計(jì)注意什么?

請教大家,利用ADS1293與ARM 進(jìn)行SPI 數(shù)據(jù)通信的程序設(shè)計(jì)注意什么?比如比特率的設(shè)置設(shè)置什么?有沒有相關(guān)的例程可以參考?3通道24位數(shù)據(jù)是按通道的次序每個(gè)通道24位這樣發(fā)送嗎?這個(gè)24位是不是只是指ECG的信號?謝謝!
2025-01-06 06:44:56

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