摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間
2022-02-07 14:01:26
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不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結構的Si器件結耗盡區(qū)電荷至少小一個數(shù)量級。這對于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
一樣，可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。 其優(yōu)點是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
至半導體內部導致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后，雜質可能遷移到晶片內部導致失效?！ TRB試驗可以使這些失效加速呈現(xiàn)，排查出異常器件?；景雽w碳化硅二級管的HTRB實驗溫度為175℃，高于一
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
92%的開關損耗，還能讓設備的冷卻機構進一步簡化，設備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導體LED照明領域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
上，對介電常數(shù)要求嚴格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無法滿足他們的要求，需要一種性能更好的升級產(chǎn)品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應汽車需求而特別開發(fā)的產(chǎn)品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
：Anode Metal 外延層：N- drift（輕摻雜），主要作用是承擔反向耐壓 襯底層：N+（重摻雜），呈電阻特性，不具備電壓耐受能力 陰極金屬：Cathode Metal 圖（2）碳化硅
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
對比 我們采用雙脈沖的方法來比較一下基本半導體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
。 濕法腐蝕 SIC：由于其硬度(H=9+)，碳化硅是金屬、金屬部件和半導體晶片最廣泛使用的研磨和拋光磨料之一。然而，這種特性使得在典型的酸或堿溶液中很難蝕刻。在室溫下，碳化硅以單晶的形式不會受到單一
2021-10-14 11:48:31
大的晶體。因此，采用點籽晶（Point Seed）方法，實現(xiàn)了大尺寸晶片的成型。即將晶種大面積分布于大塊狀基質上，并在晶體生長的同時，將其分離，形成單一晶體。森教授說，采用以上方法，可以得到一種適合
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
應用的企圖心。到2020年時，氮化鎵組件將進軍600～900伏特市場，與碳化硅組件的競爭關系升溫。問題：1.碳化硅(Sic)、氮化鎵(GaN)、都是一種新型的材料。那COOLMOS又是啥？（這幾年也很熱門）2.
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復雜性，從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
和 500A，帶或不帶碳化硅肖特基續(xù)流 1200V 二極管。 另一個例子是MiniSKiiP，這是一種無底板電源模塊，使用賽米控的SPRiNG系統(tǒng)將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設計固定
2023-02-20 16:29:54
步提升電源效率。針對上述情況，解決方案有以下兩種?！ 》桨?b class="flag-6" style="color: red">一：將IGBT單管上反并聯(lián)的快速恢復二極管換成基本半導體的“零反向恢復”的碳化硅肖特基二極管（碳化硅 SBD），這種組合起來封裝的器件，稱之為
2023-02-28 16:48:24
一種減慢di/dt和dv/dt的方式來解決。不幸的是，這些方法會導致開關損耗增加和系統(tǒng)效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時，只需在柵極和源極之間增加一個二極管電壓鉗位即可解決這一難題。 在碳化硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
更好協(xié)同效應。復合材料的基體材料分為金屬和非金屬兩大類。金屬基體常用的有鋁、鎂、銅、鈦及其合金。非金屬基體主要有合成樹脂、橡膠、陶瓷、石墨、碳等。增強材料主要有玻璃纖維、碳纖維、硼纖維、芳綸纖維、碳化硅
2021-07-06 07:36:24
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
，工作結溫可達175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶有效縮短產(chǎn)品開發(fā)周期，提高工作效率?！ ‘a(chǎn)品特點 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
SiC材料，而且 R 值大，在熱循環(huán)中更不容易斷裂，也是一種適合碳化硅器件高溫工作的絕緣材料，但其λ值較低，而且成本很高，限制了其廣泛的應用。為提高陶瓷基板覆銅層的可靠性，覆鋁陶瓷板(DBA)以及活性
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
風險，配置合適的短路保護電路，可以有效減少開關器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受時間更短?！ ?）硅IGBT： 硅IGBT的承受退保和短路的時間一般小于
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
輸入電壓：1000V,輸出12V/2A
要把此電源做成反激電源，用碳化硅MOS來驅動的話，請問去驅動IC用哪個？要怎么處理？有專門的IC嗎？
2023-07-31 17:36:47
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。 人類1905年 第一次在隕
2018-01-03 09:48:4821688 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行，例如在大約23丁和 大約200V之間或者在
2022-02-15 11:11:144830 
的蝕刻去除了金屬污染物。用氰化氫HCN水溶液清洗被金屬污染的碳化硅，然后進行RCA清洗，反之亦然，可以完全去除它們。結果表明，強吸附金屬和粗糙碳化硅表面底部區(qū)域的金屬不能分別用RCA法和HCN法去除。由于
2022-09-08 17:25:463011 
碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領域具有重要應用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團隊們正在探索用一種新的方法生長碳化硅晶體，研制情況如何？
2023-01-31 11:52:10973 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，屬于第三代半導體材料，其禁帶寬度高達3.0eV，相比第一代半導體材料硅，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:093880 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值，繼續(xù)升高溫度，導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:236555 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165682 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355707 、功能陶瓷和冶金原料。 1.磨料。 由于碳化硅磨料具有較高的硬度、化學穩(wěn)定性和一定的韌性，是一種用途非常廣泛的磨料，可用于制造砂輪、油石、涂附磨具等。主要用于磨削玻璃、陶瓷、石材、鑄鐵和某些有色金屬等非金屬材料
2023-02-05 16:21:2117137 碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。另一個關鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質生長方法。
2023-02-09 09:51:233437 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。
2023-02-12 16:05:283227 碳化硅MOSFET器件是一種半導體器件，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設備是否正常工作。碳化硅MOSFET器件可以用于各種電子設備，如電源、電路板、電腦、汽車電子系統(tǒng)等。
2023-02-15 16:05:251242 鋁碳化硅基板是一種由鋁碳化硅材料制成的電子元件基板，它具有良好的熱穩(wěn)定性、耐高溫性、耐腐蝕性和耐電強度等特點。鋁碳化硅基板可以用于電子設備的熱管理，可以有效地降低電子設備的溫度，從而提高其可靠性和使用壽命。
2023-02-15 17:58:281874 電機碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制作電機的技術，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等，來提高電機的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:007613 摘要 一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區(qū)域，同時以低于
2023-02-20 15:57:34
3 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料，具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成，碳化硅由結構單元SiC構成，每個SiC結構單元都由一個硅原子和一個
2023-06-05 12:48:354068 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:342338 6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.3界面
2022-01-18 09:28:241374 
8.2.10.1影響反型層遷移率的機理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內
2022-03-03 09:46:191017 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:095188 
碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453686 碳化硅MOS管是以碳化硅半導體材料為基礎的金屬氧化物半導體場效應管，與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:054098 
碳化硅（SiC）是一種硬度極高、化學穩(wěn)定性強的非金屬材料，由碳和硅兩種元素組成。它最早在1893年由瑞典化學家亨利克·莫松通過電爐加熱碳化硅粉末發(fā)現(xiàn)。碳化硅具有許多優(yōu)異的物理和化學性質，如高硬度、高熱導率、低熱膨脹系數(shù)、優(yōu)良的耐磨性和抗腐蝕性，使其在各種工業(yè)領域中得到廣泛應用。
2023-10-31 13:11:121473 
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:332699 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn)，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:535131 
隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進的電力電子設備，已經(jīng)廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網(wǎng)保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:202172 碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領域中的首選材料。在本文中，我們將討論
2023-12-19 11:48:301634 碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導體材料，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點，在高功率和高溫應用中具有廣泛的應用前景。碳化硅三極管是基于碳化硅材料制造的一種
2023-12-21 11:27:201424 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。
2024-01-09 09:41:312171 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646 
碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料，具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩(wěn)定性和效率。
2024-04-16 11:54:501345 一、引言
溝槽結構碳化硅的外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內填充高質量的外延層，以實現(xiàn)器件的電學和熱學性能要求。這一過程中，不僅要保證外延層的填充率，還要避免空洞和缺陷的產(chǎn)生，從而確保
2024-12-30 15:11:02504 
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領域得到廣泛應用。然而，碳化硅功率器件在高密度和高功率應用中會
2025-02-03 14:22:001255 在現(xiàn)代工業(yè)中，高性能材料的需求日益增長，特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進的陶瓷材料，因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價鍵合的陶瓷材料，具有高硬度
2025-01-24 09:15:483085 引言
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其出色的物理和化學性質，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域具有廣泛的應用前景。然而，在SiC晶片的制備和加工過程中，表面金屬殘留成為了一個
2025-02-06 14:14:59395
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