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      8.2.10.1 影響反型層遷移率的機理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

      深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-03-03 09:46 ? 次閱讀
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      8.2.10.1 影響反型層遷移率的機理

      8.2.10 反型層電子遷移率

      8.2 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)

      第８章單極型功率開關(guān)器件

      《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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