單晶硅晶片的超聲輔助化學蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法單晶硅晶片紋理化的替代方法在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2混合物中的擴散控制溶解過程通過改變流量形成各種形態(tài) 蝕刻混合物的速度[4，5]超聲波輔助導致蝕刻的高速運動晶片表面的混合物。

單晶硅晶片的超聲輔助化學蝕刻

結(jié)果

HF-HCl-Cl2溶液允許各向異性蝕刻過程，產(chǎn)生比氫氧化鉀標準紋理反射低的隨機倒金字塔，導致低反射值至6.3%的陰影效應，導致晶圓邊緣到中間的形態(tài)變化，通過超聲輔助化學蝕刻(USACE)紋理單晶硅晶圓在在線蝕刻過程中似乎是最可行的。

　　審核編輯：湯梓紅

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2023-10-23 09:00:17

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細說單晶硅太陽能電池的清洗制絨

根據(jù)太陽能電池種類的差異，不同太陽能電池的生產(chǎn)工藝也會有所不同，抉擇一塊電池性能的重要環(huán)節(jié)是制作太陽能電池的清洗制絨。單晶硅太陽能電池生產(chǎn)工藝的優(yōu)劣可判斷其在應用過程中是否具有超高的使用價值

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都使用Cl基蝕刻化學物質(zhì)。當在等離子體放電中分解時，CCl為還原物質(zhì)提供了來源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應。

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2023-06-26 13:32:44

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14.3 SiC體單晶的制備_clip001

單晶

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13.4 ZnO的單晶的摻雜

單晶

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13.3 ZnO的薄膜單晶的制備

單晶

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11.6 GaN薄膜單晶的摻雜

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11.5 GaN薄膜單晶的制備_clip002

單晶

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11.4 GaN體單晶的制備

單晶

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9.3 絕緣體上的單晶硅薄膜SOI

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9.2 單晶硅薄膜材料（下）

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9.2 單晶硅薄膜材料（上）_clip002

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9.2 單晶硅薄膜材料（上）_clip001

單晶

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8.5 直拉硅單晶的缺陷

單晶

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8.3 直拉硅單晶的輕元素雜質(zhì)_clip002

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8.2 直拉硅單晶的摻雜濃度_clip002

單晶

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8.1 直拉硅單晶的摻雜技術(shù)（下）

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8.1 直拉硅單晶的摻雜技術(shù)（上）

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7.6 直拉硅單晶的加工（下）

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7.6 直拉硅單晶的加工（上）

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7.5 新型直拉硅單晶生長工藝

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7.4 單晶生長的主要影響因素

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7.3 直拉硅單晶生長的基本工藝（下）

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7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（中）

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單晶

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7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝（上）_clip001

單晶

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7.1 直拉硅單晶

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6.3 區(qū)熔硅單晶（下）

單晶

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單晶硅和多晶硅的區(qū)別

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什么是硅片或者晶圓？硅晶圓的工作原理

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德爾森IOT 物聯(lián)網(wǎng)智能傳感器系列產(chǎn)品介紹

德爾森智能單晶硅沉降傳感器 DRS-3000 是采用德國進口高穩(wěn)定型單晶硅MEMS 傳感器芯片、運用智能信號處理與運算單元、測量兩點間或多點間相對高程變化的精密傳感器。

2023-06-09 12:50:24

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多晶硅和單晶硅光伏板哪個好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型，其主要區(qū)別在于材料。　　單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性，因此在太陽能發(fā)電領(lǐng)域中應用較為廣泛。但是，制造過程成本較高，價格較貴。

2023-06-08 16:04:41

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什么是單晶圓加工

單晶圓工藝工具提供多功能的自主工藝能力，具有納米級的粒子控制，建立在高效的小占地面積上，涵蓋晶圓尺寸達 300?毫米、薄晶圓、ICS、MEMS、LED、光掩模和玻璃基板，使用各種工藝化學

2023-06-07 17:12:42

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6.3 區(qū)熔硅單晶（上）

單晶

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:16:50

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。

2023-05-31 10:30:06

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淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。

2023-05-30 15:14:11

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單晶硅結(jié)晶

2023-05-29 11:10:33

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法

2023-05-29 09:42:40

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華耀光電IPO獲受理！營收年復合增長率超400%，募資29億擴充單晶硅片產(chǎn)能等

資金，用于12GW單晶硅片生產(chǎn)項目（二期）、年產(chǎn)10GW高效N型（異質(zhì)結(jié)）電池項目（一期）等。天眼查顯示，去年1月華耀光電剛完成由東海投資領(lǐng)投，天風天睿、銀河資本等投資機構(gòu)參與的近4億元Pre-IPO融資。公司控股股東是華耀投資，其直接持有公司70.46%的股份

2023-05-27 07:45:02

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華耀光電IPO獲受理！營收年復合增長率超400%，募資29億擴充單晶硅片產(chǎn)能等

資金，用于12GW單晶硅片生產(chǎn)項目（二期）、年產(chǎn)10GW高效N型（異質(zhì)結(jié)）電池項目（一期）等。 ? 天眼查顯示，去年1月華耀光電剛完成由東海投資領(lǐng)投，天風天睿、銀河資本等投資機構(gòu)參與的近4億元Pre-IPO融資。公司控股股東是華耀投資，其直接持有公司70.46%的股

2023-05-26 00:05:00

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濕式化學蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時的，并且需要昂貴的設(shè)備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學蝕刻硅襯底來制造微孔的方法。

2023-05-25 13:47:51

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