SiC MOSFET 在開關(guān)狀態(tài)下工作。然而,了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的,這可能發(fā)生在驅(qū)動器發(fā)生故障的情況下,或者出于某些目的,當設(shè)計者編程時會發(fā)生這種情況。
2022-07-29 08:07:04
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在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此,SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型(晶體多晶型),并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件,4H-SiC被認為是理想的,其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:26
1373 `請問:圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西?芯片屏蔽罩嗎?為什么加這個東西?抗干擾或散熱嗎?這是個SiC MOSFET DC-DC電源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
千瓦。更高的功率水平和簡化系統(tǒng)設(shè)計的動力將推動SiC模塊的開發(fā)工作,但是不能過分夸大封裝,控制電路和周圍功率元件的寄生電感優(yōu)化的重要性?! D6:SiC功率模塊開發(fā)活動的狀態(tài)。藍色圓圈表示僅具有SiC器件
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
通過電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗?! ?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
-MOSFET的隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例 前言設(shè)計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優(yōu)化評価編絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評估和檢查要點 所謂隔離型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評估和檢查要點 性能評估事例中所使用電源IC
2018-11-27 16:38:39
與硅相比,SiC有哪些優(yōu)勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點有哪些?
2021-07-12 08:07:35
電導(dǎo)率調(diào)制,向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴,因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數(shù)載流子的積聚,在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流,從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料,與Si相比,它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
電源設(shè)計說明:比較器件的不同效率 本教程演示了使用不同器件驅(qū)動阻性負載的電源電路的幾種仿真。其目的是找出在給定相同電源電壓和負載阻抗的情況下哪種電子開關(guān)最有效。多年來的開關(guān)設(shè)備 多年來,電子開關(guān)已經(jīng)
2023-02-02 09:23:22
DS(開啟) .圖2顯示了器件飽和度的通用接線圖,用于進行一些測量。它由以下元素組成:V1:主電源電壓200VV2:“柵極”驅(qū)動電壓為 15 VJ1: JFET SJEP120R100AR1
2023-02-02 09:41:56
AM335X電阻式觸摸設(shè)計說明
2016-03-28 14:30:55
Arduino設(shè)計說明1.作品介紹1.1功能說明由手機軟件“點燈科技APP”對作品進行主要控制,手機界面可顯示溫度濕度數(shù)值,設(shè)定臨界點溫度t=30攝氏度,當溫度低于30攝氏度時綠燈亮起,風扇反轉(zhuǎn)
2021-09-03 07:44:37
DN05081 / D,設(shè)計說明描述了一個簡單的4.2瓦通用交流輸入,用于工業(yè)設(shè)備的非隔離降壓轉(zhuǎn)換器,或需要不與交流電源隔離的白色家電,簡單,低成本,高效率和低待機功率至關(guān)重要。特色電源是一種簡單
2020-05-20 16:04:32
半導(dǎo)體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量,體積和生命周期成本成為可能。 Si,SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si,SiC
2022-08-12 09:42:07
DN05078 / D,設(shè)計說明描述了NCP1361BABAY,15瓦,通用交流輸入,隔離準諧振反激式轉(zhuǎn)換器,適用于智能手機,平板電腦充電器和智能插座電源等。特色電源為初級側(cè)恒流和次級恒壓采用TSOP6封裝的新型NCP1361電流模式控制器進行調(diào)節(jié)
2019-06-18 10:50:10
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們!羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè),自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔,快速認識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能;②準備元器件,相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展,按時間計劃實施,④項目調(diào)試,優(yōu)化,比較,分享。預(yù)計成果分享項目的開展,實施,結(jié)果過程,展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
項目名稱:特種電源開發(fā)試用計劃:在I項目開發(fā)中,有一個關(guān)鍵電源,需要在有限空間,實現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關(guān)器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高,計劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
項目名稱:風電伺服驅(qū)動控制器SiC器件試用試用計劃:申請理由本人在工業(yè)控制領(lǐng)域有十余年的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗,目前正在從事風電機組變槳控制系統(tǒng)伺服驅(qū)動器的開發(fā),是一個國產(chǎn)化項目,也是SiC器件應(yīng)用的領(lǐng)域
2020-04-24 18:03:59
基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源R.Nakagawa, Y.Fukuda,H.Takabayashi, T.Kobayashi, T.TanakaMitsubishi Electric
2017-05-10 11:32:57
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
引言:前段時間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率,但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力?! 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
DN05059 / D,設(shè)計說明描述了降壓功率轉(zhuǎn)換器的簡單,低功率,恒定電壓輸出變化,用于為白色電表,電表和工業(yè)設(shè)備提供電子設(shè)備,不需要與交流電源隔離,并且最高效率至關(guān)重要。通過點擊與電感器的續(xù)流
2020-03-20 09:41:07
-SBD和SiC-MOSFET,穿插與Si元器件的比較對其特性和使用方法的不同等進行解說,并介紹幾個采用事例。全SiC模塊是作為電源段被優(yōu)化的模塊,具有很多優(yōu)點。將在其特征的基礎(chǔ)上,對其在實際應(yīng)用中的具體活用要點進行解說
2018-11-29 14:39:47
其性能的控制元器件的開發(fā)。最大限度地發(fā)揮SiC-MOSFET的性能,需要優(yōu)化柵極驅(qū)動器最大限度地發(fā)揮SiC-MOSFET的性能,需要優(yōu)化SiC-MOSFET的驅(qū)動、即柵極驅(qū)動器。ROHM為了實現(xiàn)誰都
2018-12-04 10:11:25
如何在原理圖編輯中制作設(shè)計說明圖紙
2014-07-02 22:17:29
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢?
2021-02-22 07:16:36
DN47- 開關(guān)穩(wěn)壓器通過單個電感器產(chǎn)生正電源和負電源 - 設(shè)計說明47
2019-05-16 06:06:33
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的,“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
新手求大神一程序并設(shè)計說明書謝謝各位好人了
2013-04-27 18:41:59
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
急求前輩指點!硬件設(shè)計說明中的可靠性設(shè)計一般包含哪些?現(xiàn)在需要整理項目的一些文檔,關(guān)于可靠性設(shè)計要提供哪些文檔一頭霧水,求前輩指點一下!不勝感激!
2016-04-22 11:11:09
在同等規(guī)格和條件下的比較,因此請當做用來理解上述VGS之不同的資料使用。設(shè)計中所使用的電源IC:SiC-MOSFET驅(qū)動用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC:BD7682FJ-LB通過前面的說明,相信您已經(jīng)
2018-11-27 16:54:24
急求幫助 硬件設(shè)計說明中的可靠性設(shè)計包含哪些?現(xiàn)在需要整理項目的一些文檔,關(guān)于可靠性設(shè)計要提供哪些文檔一頭霧水,求前輩指點一下!不勝感激!
2020-04-08 03:04:58
直線步進電機控制系統(tǒng)的設(shè)計說明:介紹了直線步進電機的優(yōu)點和組成。
2009-04-02 12:09:27
35 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性, 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù), 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81 ESP8266__Sniffer_Introduction,Sniffer(嗅探器,是一種基于被動偵聽原理的網(wǎng)絡(luò)分析方式) 應(yīng)用設(shè)計說明
2015-12-30 14:39:40
136 描述:基于Arduino、L293D電機驅(qū)動板/馬達板電路詳細設(shè)計說明(包括BOM清單)。
2015-12-31 09:19:08
0 微機原理,8086匯編,汽車動畫程序設(shè)計說明。
2016-04-28 09:52:07
4 畢業(yè)設(shè)計說明書的基本格式模板,基本格式編排留空。
2016-04-29 10:52:52
13 一級齒輪減速器的設(shè)計說明書。
2016-05-18 11:18:59
14 多路電源的設(shè)計說明,注意事項,如何著手設(shè)計等等
2016-05-18 14:26:29
11 F7-1DTR_V1.1數(shù)據(jù)光端機PCB設(shè)計說明
2016-12-26 21:55:50
0 經(jīng)研究者的努力,以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射,具有較高的擊穿電壓和工作頻率,適于在惡劣條件下工作。與傳統(tǒng)Si功率器件相比,SiC功率器件可大
2018-01-21 09:43:19
8806 
完整的開發(fā)文檔數(shù)據(jù)庫設(shè)計說明書
2018-02-26 11:54:44
39 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:00
5775 SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:41
9257 
LLC諧振拓撲原理介紹和使用Gen2 SiC功率MOSFET的全橋LLC ZVS諧振變換器設(shè)計資料說明
2018-12-13 13:53:00
42 視頻簡介:賽靈思器件演示視頻之針對 Xilinx 器件的優(yōu)化電源傳輸方案。
2019-03-04 06:13:00
3167 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大,充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:18
13797 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大,充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:50
1774 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是開關(guān)電源中的功率級拓撲和分析設(shè)計說明包括了:第一單元 DC-DC功率變換技術(shù)概論,第二單元 基本DC-DC變換器 ,第三單元 隔離Buck變換器,第四單元 隔離Buck
2020-08-11 08:00:00
6 作者:英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當今進行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對于某些
2021-03-25 17:26:08
2117 機械設(shè)計減速器設(shè)計說明書免費下載
2020-12-08 17:37:19
49 數(shù)字系統(tǒng)的RTL設(shè)計說明。
2021-03-22 11:34:05
6 集成電路版圖設(shè)計說明。
2021-03-22 14:00:08
0 數(shù)字IC芯片設(shè)計說明。
2021-04-10 11:13:39
40 6小時精通反激電源及變壓器設(shè)計說明。
2021-04-16 11:23:30
27 DN47-開關(guān)穩(wěn)壓器使用單個電感生成正負電源-設(shè)計說明47
2021-04-20 09:30:06
12 點陣廣告屏的設(shè)計說明
2021-05-11 09:19:08
4 不間斷電源參考設(shè)計說明。
2021-05-20 10:14:01
53 EDA工具CADENCE原理圖與PCB設(shè)計說明
2021-07-15 09:38:12
50 HVAC 風機三相 ECM 電機控制器(原理圖+PCB+設(shè)計說明+BOM)(西門子s7200外接電源)-HVAC 風機三相 ECM 電機控制器(原理圖+PCB+設(shè)計說明+BOM)HVAC 風機三相 ECM 電機控制器(原理圖+PCB+設(shè)計說明+BOM)
2021-07-26 10:54:42
66 直流充電樁電源模塊磁性器件優(yōu)化(軍用通信電源技術(shù)有哪些)-直流充電樁電源模塊磁性器件優(yōu)化,很好的論文!
2021-09-27 12:42:21
32 微電子電路設(shè)計說明免費下載。
2022-02-23 09:43:45
0 第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強大,導(dǎo)通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V,是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分
2022-07-29 09:14:20
465 
鎵 (GaN) 等技術(shù)所需的最高開關(guān)速度和系統(tǒng)尺寸限制而設(shè)計。架構(gòu)的演進滿足了新的效率水平和時序性能的穩(wěn)定性,從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導(dǎo)體的基于 SiC 技術(shù)的功率器件為參考點。
2022-08-10 15:22:11
813 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《筆記本電腦風扇控制器設(shè)計說明.zip》資料免費下載
2022-09-06 15:34:39
2 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《擴展共模范圍RS485的設(shè)計說明.zip》資料免費下載
2022-09-06 09:45:34
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AML166 Core開發(fā)套件硬件設(shè)計說明.pdf》資料免費下載
2022-10-17 10:11:15
0 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征,并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23
666 碳化硅(SiC)被認為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:47
1289 NCS2211 音頻設(shè)計說明
2022-11-14 21:08:05
0 NCD(V)57000/57001柵極驅(qū)動器設(shè)計說明
2022-11-14 21:08:40
3 一、什么是SiC半導(dǎo)體?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:58
1144 
一、設(shè)計說明 閱讀設(shè)計說明時,要注意并掌握工程規(guī)模概況、總體要求、采用的標準規(guī)范、標準圖冊及圖號、負荷級別、供電要求、電壓等級、系統(tǒng)保護方式,某些具體部位或特殊環(huán)境(爆炸及火災(zāi)危險、高溫、潮濕
2023-09-18 09:51:19
533 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于Android系統(tǒng)的連連看詳細設(shè)計說明書.doc》資料免費下載
2023-10-30 10:12:44
0 點擊藍字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:01
361 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《微帶濾波器設(shè)計說明(ADS).pdf》資料免費下載
2023-11-18 14:53:09
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