本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。
2025-06-03 16:03:571448 
近年來，工業(yè)電源市場對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下
2025-10-15 11:27:0221907 
射頻（RF）應(yīng)用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點(diǎn)開發(fā)面向為電力電子應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開發(fā)幾種不同的方法，以實(shí)現(xiàn)GaN功率場效應(yīng)電晶體（FET）商業(yè)化。
2014-01-10 11:18:5310738 
使用GaN FET構(gòu)建高速系統(tǒng)并非易事。開關(guān)電場可占據(jù)封裝上方和周圍的空間，因此組裝使用GaN FET用于無線系統(tǒng)的系統(tǒng)對(duì)于整體性能至關(guān)重要。本文著眼于不同封裝技術(shù)對(duì)不同應(yīng)用的影響以及這些技術(shù)如何用于構(gòu)建高性能GaN設(shè)備。
2019-03-11 08:04:005383 
長期以來，寬帶隙氮化鎵硅（GaN-on-Si）晶體管現(xiàn)已上市。他們被吹捧為取代硅基MOSFET，這對(duì)于許多高性能電源設(shè)計(jì)而言效率低下。最近，市場上出現(xiàn)了幾家基于GaN-on-Si的HEMT和FET
2019-01-24 09:07:003722 
氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計(jì)算，以及許多新的汽車
2021-03-31 11:47:003895 對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:092162 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有祼片外形尺寸小、導(dǎo)熱和熱管理性能優(yōu)異、開關(guān)損耗
2023-10-12 16:18:563227 
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。
2023-12-07 09:44:525989 
四款新型 GaN-on-SiC MMIC 器件，助力設(shè)計(jì)人員改進(jìn)射頻系統(tǒng)尺寸、重量和功率。
2021-04-14 10:57:161331 
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:185483 
遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:366224 對(duì)比GaN FET：新的集成系統(tǒng)大型數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和通信交換中心會(huì)消耗大量電能。在這些電源系統(tǒng)中，FET通常與柵極驅(qū)動(dòng)器分開封裝，因?yàn)樗鼈兪褂貌煌墓に嚰夹g(shù)，并且最終會(huì)產(chǎn)生額外的寄生電感。除了導(dǎo)致較大的形狀尺寸外，這還可能限制GaN在高壓擺率下的開關(guān)性能…
2022-11-07 06:26:02
的好處。雖然增強(qiáng)型GaN器件仍然比硅MOSFET更昂貴，但它們更適合于電源設(shè)計(jì)，并提供了大大提高性能和效率的設(shè)計(jì)路徑。高壓設(shè)計(jì)案例開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)是提高效率和節(jié)約能源的答案。大多數(shù)新設(shè)計(jì)都采用
2017-05-03 10:41:53
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而在保持合理開關(guān)損耗的同時(shí)，提升功率密度和瞬態(tài)性能。傳統(tǒng)上，GaN器件被封裝為分立式器件，并由單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN器件和驅(qū)動(dòng)器
2018-08-30 15:28:30
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
Maurice Moroney 市場經(jīng)理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開關(guān)
2018-10-16 21:19:44
電源設(shè)計(jì)說明：比較器件的不同效率 本教程演示了使用不同器件驅(qū)動(dòng)阻性負(fù)載的電源電路的幾種仿真。其目的是找出在給定相同電源電壓和負(fù)載阻抗的情況下哪種電子開關(guān)最有效。多年來的開關(guān)設(shè)備 多年來，電子開關(guān)已經(jīng)
2023-02-02 09:23:22
下，器件在關(guān)鍵區(qū)域工作。圖 5：電阻 R 的圖形DS（開啟）作為施加到排水管的負(fù)載的函數(shù)碳化硅器件速度SiC器件的真實(shí)性能在開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)得最為明顯，在開關(guān)應(yīng)用中，它必須執(zhí)行艱苦的工作，以快速開關(guān)速率
2023-02-02 09:41:56
有哪些新型可用于基帶處理的高性能DSP？性能參數(shù)如何？
2018-06-24 05:20:19
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
在高效開關(guān)電源、車載充電機(jī)等應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)電路的性能直接影響著GaN、SiC等新一代功率器件的潛力發(fā)揮。為滿足高頻、高壓驅(qū)動(dòng)的嚴(yán)苛要求，SiLM27531H——一款通過車規(guī)認(rèn)證的單通道低邊門極驅(qū)動(dòng)器
2025-12-26 08:20:58
，并且優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行共同封裝，我們能夠在一個(gè)模塊內(nèi)提供驚人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我們一直在努力讓器件更加智能，以降
2018-09-10 15:02:53
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
描述交錯(cuò)連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數(shù)校正 (PFC) 采用高帶隙 GaN 器件，由于具有電源效率高和尺寸減小的特點(diǎn)，因此是極具吸引力的電源拓?fù)?。?b class="flag-6" style="color: red">設(shè)計(jì)說明
2018-10-24 16:15:16
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
可滿足高性能數(shù)字接收機(jī)動(dòng)態(tài)性能要求的ADC和射頻器件有哪些？
2021-05-28 06:45:13
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會(huì)隨時(shí)間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì) (JEDEC) 針對(duì)硅器件的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)證明是產(chǎn)品
2019-07-12 12:56:17
在競爭激烈的當(dāng)今市場中，可再生能源、儲(chǔ)能、電源適配器、電源充電器和數(shù)據(jù)處理應(yīng)用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解決方案來提高性能，以滿足不斷增長的電信、汽車、醫(yī)療保健和航空航天行業(yè)的需求。氮化鎵
2023-09-06 06:38:52
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
2021-02-22 07:16:36
DN47- 開關(guān)穩(wěn)壓器通過單個(gè)電感器產(chǎn)生正電源和負(fù)電源 - 設(shè)計(jì)說明47
2019-05-16 06:06:33
用高性能的FPGA器件設(shè)計(jì)符合自己需要的DDS電路有什么好的解決辦法嗎？
2021-04-08 06:23:09
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
的選擇和比較進(jìn)行了分析。考慮了晶體管參數(shù)，如與時(shí)間相關(guān)的輸出有效電容（Co（tr））和關(guān)斷能量（Eoff）等，這會(huì)影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù)，賦能客戶在三大核心維度實(shí)現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
日益嚴(yán)格的能效及環(huán)保法規(guī)推動(dòng)汽車功能電子化趨勢的不斷增強(qiáng)和混合電動(dòng)汽車/電動(dòng)汽車(HEV/EV)的日漸普及，這加大了對(duì)高能效和高性能的電源和功率半導(dǎo)體器件的需求。安森美半導(dǎo)體作為汽車功能電子化的領(lǐng)袖
2019-07-23 07:30:07
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT） 的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
甚至無法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對(duì)發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢，有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義?！ ?.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
請(qǐng)問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
副邊發(fā)生故障后復(fù)位。對(duì)于更緊湊的純SiC/GaN應(yīng)用，新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4121是解決方案。該驅(qū)動(dòng)器同樣基于ADI公司的iCoupler數(shù)字隔離技術(shù)，其傳播延遲在同類器件中最低 (38 ns
2018-10-22 17:01:41
據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:113205 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:52
9 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2018-10-04 09:03:005391 
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 09:01:094604 
產(chǎn)品包括SBD、常關(guān)型FET、常開型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無線充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2019-02-03 12:54:0012943 ）功率級(jí)工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:062913 GaN器件分為射頻器件和電力電子器件，射頻器件產(chǎn)品包括PA、LNA、開關(guān)器、MMIC等，面向基站衛(wèi)星、雷達(dá)等市場：電力電子器件產(chǎn)品包括SBD、常關(guān)型FET、常開型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無線
2020-07-27 10:26:001 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013305 
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-25 09:15:051075 
MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合，以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達(dá) 400 W 的消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN 技術(shù)，新設(shè)備可以處理更多功率，同時(shí)優(yōu)化其效率。ST 強(qiáng)調(diào)了將 GaN 與驅(qū)動(dòng)器集成如何簡化設(shè)計(jì)并提供更高水平的性能。
2022-07-27 08:03:00887 
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-29 08:06:371093 
的9mOhm導(dǎo)通電阻，擴(kuò)大了性能領(lǐng)先地位。 新型碳化硅 FET 采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝。提供業(yè)界額定值最低的 RDS（on），是同類產(chǎn)品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時(shí)間額定值的器件（參見Figure 1）。
2022-08-01 12:14:082356 氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)?；?GaN 和 SiC 的器件可以提供最新一代電源應(yīng)用所需的高性能。然而，它們極高的功率密度應(yīng)該得到適當(dāng)?shù)墓芾恚@使得創(chuàng)新的熱管理技術(shù)成為一個(gè)需要考慮的關(guān)鍵方面。
2022-08-03 08:04:572305 
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:081408 
以及幾個(gè)變量。 UnitedSiC 推出了 FET-Jet 計(jì)算器 ，這是一種在線工具，用于選擇和比較不同電源應(yīng)用的性能。 計(jì)算機(jī) 讓我們來看看它的一些值得注意的功能： 在各種基于功率的應(yīng)用中輕松評(píng)估全系列 UnitedSiC FET 和二極管； AC-DC：PFC升壓、PFC圖騰、Vien
2022-08-04 09:37:521013 
多年來，技術(shù)進(jìn)步使得從功率器件獲得高級(jí)性能成為可能。氮化鎵 （GaN）不同于硅 （Si）。它是一種類似于晶體的材料，能夠傳導(dǎo)更高的電壓。與硅元件相比，電流可以更容易地通過元件，從而提高效率并減少
2022-08-05 08:04:466793 
氮化鎵 (GaN)器件以最小的尺寸提供最佳性能、提高效率并降低 48 V 電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。在這些應(yīng)用中，eGaN ? FET 和 IC 的應(yīng)用迅速增長，已被納入高密度計(jì)算以及許多新的汽車電源
2022-08-05 10:19:122065 
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:231598 DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:062014 高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。
2022-11-11 09:11:552371 在電源轉(zhuǎn)換這一語境下，性能主要?dú)w結(jié)為兩個(gè)互為相關(guān)的值：效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實(shí)例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:011045 在過去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個(gè)關(guān)鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:121064 
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。
2023-04-14 15:42:06975 鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。
2023-05-30 09:03:151221 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:392003 
。Nexperia（安世半導(dǎo)體）在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，從 GaN FET 到其他硅基功率器件， Nexperia（安世半導(dǎo)體）豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。
2023-08-10 13:55:541513 還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！
2023-11-29 16:49:231395 
充分挖掘SiC FET的性能
2023-12-07 09:30:21956 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開關(guān)模式電源建模和環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 11:15:212 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開關(guān)模式電源的建模和環(huán)路補(bǔ)償設(shè)計(jì)說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 11:51:051 為幫助業(yè)界更好地利用GaN和SiC等寬帶隙技術(shù)，在電動(dòng)汽車、清潔能源解決方案和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高性能電源轉(zhuǎn)換，Allegro宣布推出新型高帶寬電流傳感器 ACS37030和ACS37032，這些全新高功率密度傳感器能夠降低能量損耗，同時(shí)改進(jìn)SiC和GaN技術(shù)的效率和可靠性。
2024-03-04 16:50:181303 ，設(shè)計(jì)人員可以使用氮化鎵(GaN)來實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，氮化鎵是一種寬帶隙(WBG)FET器件技術(shù)，在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改進(jìn)和進(jìn)步。GaN器件是主流，已
2024-05-23 10:56:371576 
SiC（碳化硅）器件在電源中的應(yīng)用日益廣泛，其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關(guān)鍵材料。以下將詳細(xì)探討SiC器件在電源中的應(yīng)用，包括其優(yōu)勢、具體應(yīng)用場景、技術(shù)挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。
2024-08-19 18:26:082418 如果想要說明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別，首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性，然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
2025-03-14 18:05:172381 LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產(chǎn)品型號(hào)：LMG3410R070RWHR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：VQFN32產(chǎn)品功能：高性能GaN功率器件LMG3410R070RWHR
2025-11-29 11:25:34188 
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