如何在 IAR Embedded Workbench for ARM 開(kāi)發(fā)環(huán)境中啟用可配置數(shù)據(jù)
閃存并設(shè)置大?。?/div>
2025-08-20 06:23:03
在萬(wàn)物互聯(lián)與智能終端飛速發(fā)展的時(shí)代，存儲(chǔ)器件的性能、可靠性與小型化成為設(shè)備創(chuàng)新的關(guān)鍵支撐。RSUNTECH重磅推出的RSUN2M串行閃存存儲(chǔ)器，以卓越性能、極致設(shè)計(jì)與全面保障，為各類(lèi)智能設(shè)備注入高效
2025-08-19 15:23:27
1742 
如何使用新唐 NuMicro? ICP 編程工具啟用可配置的數(shù)據(jù)閃存并設(shè)置大小？
2025-08-19 06:40:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，閃迪宣布已與SK海力士簽署一項(xiàng)諒解備忘錄，雙方將共同制定高帶寬閃存 (High Bandwidth Flash，HBF) 規(guī)范。通過(guò)此次合作，雙方希望標(biāo)準(zhǔn)化規(guī)范、定義技術(shù)
2025-08-15 09:23:123366 
你好專(zhuān)家：我的用例是 MCU 通過(guò) SPI 連接到邏輯 IC，邏輯 IC 連接到 8MB 閃存，但 MCU PFLASH 大小為 2MB，通過(guò) MCU SOTA 更新邏輯 IC 閃存是否可行？
2025-08-11 06:36:32
網(wǎng)絡(luò)投票、專(zhuān)家組評(píng)審及組委會(huì)綜合評(píng)審三輪嚴(yán)格篩選，最終從近300個(gè)參評(píng)項(xiàng)目中脫穎而出，充分彰顯了華邦電子在汽車(chē)電子領(lǐng)域的領(lǐng)先創(chuàng)新力與深厚技術(shù)積淀。 ? 作為全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商，華邦電子長(zhǎng)期深耕汽車(chē)電子市場(chǎng)。此次獲獎(jiǎng)的 TrustME W77T安全閃存 是華邦電子安
2025-08-01 11:52:491211 
我有一個(gè)應(yīng)用程序，有時(shí)為 14KB，有時(shí)為 18KB，這取決于我們是否啟用或禁用某些功能。18KB 應(yīng)用程序應(yīng)加載到 XMC1302t028x0032（32KB 閃存 MCU），14KB 應(yīng)用程序
2025-07-30 08:02:59
手機(jī)過(guò)熱卡死可能是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">閃存先扛不?。晃锫?lián)網(wǎng)設(shè)備降頻運(yùn)行，可能是沒(méi)熬過(guò)存儲(chǔ)溫度紅線；車(chē)載 ECU 報(bào)錯(cuò)，日志中顯示 "Thermal Shutdown"。
2025-07-29 09:54:24747 k230運(yùn)行容易卡死，可以請(qǐng)教各位大佬怎么刪除閃存的代碼嗎
2025-07-23 07:21:51
近日，由DOIT傳媒主辦的“存力覺(jué)醒 AI未來(lái)——2025全球閃存峰會(huì)”在南京盛大召開(kāi)。此次峰會(huì)匯聚了全球存儲(chǔ)領(lǐng)域精英，深入探討在人工智能浪潮中，閃存技術(shù)如何賦能數(shù)字化轉(zhuǎn)型，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展邁向新高度。
2025-07-15 13:55:441607 近日，由DOIT傳媒主辦的2025全球閃存峰會(huì)（FMW 2025） 在南京盛大開(kāi)幕。本屆峰會(huì)以“存力覺(jué)醒 AI未來(lái)”為主題，聚焦以閃存和內(nèi)存芯片為核心的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài)創(chuàng)新與變革。作為國(guó)內(nèi)CXL技術(shù)
2025-07-11 16:12:501420 全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者Kioxia Corporation今日宣布，已開(kāi)始提供全新的通用閃存存儲(chǔ)(2)?(UFS) 4.1版本嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備樣品，進(jìn)一步鞏固其在高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這些新設(shè)
2025-07-10 14:35:24695 2025年7月9日，F(xiàn)MW2025全球閃存峰會(huì)即將在南京上演！紫光閃芯C9展位將攜企業(yè)級(jí)、消費(fèi)級(jí)SSD及全系列閃存產(chǎn)品亮相，硬核科技直接拉滿！
2025-07-05 16:53:162264 我嘗試在藍(lán)牙模塊CYBT-343026-01（CYW20706）上下載應(yīng)用程序到串行閃存，但失敗了。
第一步是按照 AIROC? HCI UART 控制協(xié)議文檔（見(jiàn)下文）的指示向模塊發(fā)送
2025-07-04 06:49:09
電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤(pán)，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類(lèi)便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。
分類(lèi)
NOR和NAND是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。
在1984年，東芝公司
2025-07-03 14:33:09
CYW920835M2EVB-01 設(shè)計(jì)上有串行閃存GD25WD80CEIG 。
是否可以使用 CYW20835 更改串行閃存供應(yīng)商以進(jìn)行 CoB 設(shè)計(jì)？
參考設(shè)計(jì)中有其他供應(yīng)商名單嗎？
2025-07-02 06:52:40
的ID標(biāo)識(shí)，即發(fā)送指令0X9F，見(jiàn)圖3所示的說(shuō)明。
對(duì)于不同的廠商，其ID是有所差異的，對(duì)于華邦的閃存，其廠商的ID是0xEF，其設(shè)備ID則是0x17。
按程序的注釋?zhuān)瑢?duì)于GD的閃存，其廠商的ID應(yīng)是
2025-06-30 16:28:52
您好，我正在嘗試使用 CYBT-343026 構(gòu)建一塊電路板。
我想將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)簡(jiǎn)單的數(shù)組中。T
即使斷電，數(shù)據(jù)也應(yīng)該保留。我可以使用EEPROM，但由于數(shù)據(jù)非常簡(jiǎn)單，所以我想使用內(nèi)部閃存。
有沒(méi)有辦法在內(nèi)部閃存中存儲(chǔ)大約20個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)？
它應(yīng)該是可讀和可寫(xiě)的。
2025-06-25 06:33:23
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）在AI玩具迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)的當(dāng)下，其功能也在不斷豐富，如語(yǔ)音交互、情感陪伴等，對(duì)存儲(chǔ)容量和速度的要求也在提升，這直接推動(dòng)了閃存市場(chǎng)的需求增長(zhǎng)。 ? 并且除了傳統(tǒng)的玩具功能
2025-06-25 00:22:007024 全球著名技術(shù)分析機(jī)構(gòu)DCIG（Data Center Intelligence Group）發(fā)布報(bào)告《DCIG 2025-26安全NAS存儲(chǔ)（容量10PB以上）TOP5》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“報(bào)告”），華為OceanStor Dorado全閃存憑借領(lǐng)先的數(shù)據(jù)安全和NAS能力，榮登TOP5榜單。
2025-06-24 15:44:53972 在智能家居日益普及的今天，智能門(mén)鎖作為家庭安全的第一道防線，其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。然而，不少用戶(hù)在使用智能門(mén)鎖時(shí)，常常會(huì)遇到各種問(wèn)題，這些問(wèn)題很大程度上與門(mén)鎖控制器中的閃存芯片性能密切相關(guān)。鈞敏
2025-06-05 09:21:181172 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Micron-MT29F系列NAND閃存規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-05-30 16:35:44
8 請(qǐng)介紹一下 CYPM1111。
CYPM1111 配備了 SROM。 這個(gè) SROM 是普通閃存嗎？ 另外，請(qǐng)告訴我這個(gè) SROM 的作用。
數(shù)據(jù)表中只有以下文字，我無(wú)法完全理解。
\"提供包含啟動(dòng)和配置例程的監(jiān)控 ROM\"。
2025-05-23 08:03:52
我對(duì) PMG1 閃光燈有疑問(wèn)。
1.微控制器讀取閃存中的軟件信息時(shí)，軟件信息部署在哪里？ 是 SRAM 嗎？
2.微控制器加載軟件時(shí)，在部署之前是否檢查 SRAM 是否復(fù)位？
2025-05-23 06:22:31
你好，
EZ-USB SX3 CYUSB3017 設(shè)備需要哪種大小的 SPI 外部閃存？
A25P040 4Mbit / 512KByte部件可以嗎？
2025-05-20 06:08:53
我想通過(guò)I2C訪問(wèn)閃存來(lái)測(cè)試對(duì)cy7c6541的訪問(wèn)，但是訪問(wèn)結(jié)果好像與datasheet不一樣。
是否有關(guān)于 cy7c6541 閃存或 eeprom 的數(shù)據(jù)表？ 或者有其他方法可以幫我完成訪問(wèn)測(cè)試（讀取rom/flash里的值然后和標(biāo)準(zhǔn)值對(duì)比）？
2025-05-19 06:44:30
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MAX32555 Cortex-M3閃存微控制器英文數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-04-25 16:40:501 大好春光，怎能宅家辜負(fù)？當(dāng)你奔赴花海，手機(jī)咔咔不停，是不是常被數(shù)據(jù)存儲(chǔ)難題搞得心煩意亂？別愁啦，紫光閃存 UNIS PN C2 PSSD 來(lái)救場(chǎng)咯！
2025-04-15 16:44:44818 我們正在調(diào)查閃存的特定部分未按預(yù)期擦除的兩個(gè)問(wèn)題。
我們使用的是 v.1.1.0 c-array 軟件驅(qū)動(dòng)程序，直到構(gòu)建了新一批硬件，才觀察到此問(wèn)題。MCU 具有掩碼集 1N15P 和日期代碼
2025-04-10 06:55:58
以下是目前市場(chǎng)上主流的LLC+PFC組合IC（二合一控制器）匯總，涵蓋國(guó)內(nèi)外廠商的典型型號(hào)及其特點(diǎn)： 國(guó)際廠商方案 MPS（芯源系統(tǒng)） HR1200/HR1203/HR1211/HR1270
2025-04-08 16:31:323480 3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì)，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392037 
我在我的項(xiàng)目中使用了 RT1166，但是，其中一個(gè)要求是芯片應(yīng)該具有可被 JTAG/SWD 訪問(wèn)的內(nèi)部閃存。 RT1166 有，但 RT1064 有 4MB 的內(nèi)部 Flash。
我可以使用 JTAG/SWD 存儲(chǔ)和檢索其閃存上的數(shù)據(jù)嗎？
2025-04-07 06:29:21
當(dāng)前市場(chǎng)上主流的端側(cè)AI MPU（Micro Processing Unit，微處理器）品牌及型號(hào)盤(pán)點(diǎn)，涵蓋不同應(yīng)用場(chǎng)景（如物聯(lián)網(wǎng)、邊緣計(jì)算、嵌入式設(shè)備等）的芯片選擇： ? 1. 國(guó)際品牌
2025-04-02 17:44:403640 我需要使用 JTAG 將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到內(nèi)部閃存中。我能夠使用 JTAG/SWD 工具 ARM J-Link 將它們存儲(chǔ)在 FlexSPI1 連接的外部閃存上，并且可以通過(guò)地址0x30000000訪問(wèn)
2025-04-01 06:54:18
使用 MCX N ROM API 進(jìn)行內(nèi)部閃存擦除/編程
2025-03-27 07:04:43
通過(guò) JTAG 進(jìn)行MPC5746C閃存編程
2025-03-27 06:44:13
隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，NAND閃存和eMMC作為主流存儲(chǔ)介質(zhì)，其使用壽命受到廣泛關(guān)注。本文將探討其損壞的軟件原因，并提供延長(zhǎng)使用壽命的實(shí)用方法。前言長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后出現(xiàn)NAND或者eMMC損壞，可能
2025-03-25 11:44:242589 
近日，CFMS | MemoryS 2025中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“MemoryS 2025”）在深圳前海舉辦。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)主控芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，得一微電子（YEESTOR）聚焦AI時(shí)代存儲(chǔ)
2025-03-25 09:44:191376 近日，備受矚目的CFMS2025中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)在深圳盛大召開(kāi)。作為存儲(chǔ)行業(yè)的頂級(jí)盛會(huì)，本屆峰會(huì)以“存儲(chǔ)格局?價(jià)值重塑”為主題，吸引了來(lái)自全球的半導(dǎo)體廠商、終端品牌、行業(yè)專(zhuān)家及投資機(jī)構(gòu)等千余名代表
2025-03-20 10:44:091522 我正在使用 FRDM-MXCN947 板，并在 MCUXpresso IDE 中調(diào)試期間嘗試從下載寫(xiě)入 QSPI 閃存，但出現(xiàn)以下錯(cuò)誤。
閃存驅(qū)動(dòng)程序使用 MCXN9xx_SFDP_FlexSPI.cfx。
我需要修改驅(qū)動(dòng)程序嗎？
謝謝。
2025-03-17 07:13:20
、毫秒級(jí)延遲響應(yīng)、EB級(jí)存儲(chǔ)容量?，這就需要更高性能、更大容量和更加穩(wěn)定可靠的存儲(chǔ)產(chǎn)品，閃存存儲(chǔ)由此也得到了飛速的發(fā)展。 在3月12日舉辦的CFMS | MemoryS 2025上，閃迪攜多樣化閃存解決方案亮相本次盛會(huì)。峰會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，閃迪圍繞閃存市場(chǎng)趨勢(shì)
2025-03-14 12:39:27909 
NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤(pán)、USB閃存盤(pán)和手機(jī)存儲(chǔ)中，具有高速讀寫(xiě)和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145317 
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日對(duì)2025年NAND閃存價(jià)格走勢(shì)進(jìn)行了預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)全年價(jià)格將呈現(xiàn)V型波動(dòng)。 據(jù)TrendForce分析，2025年一季度，NAND閃存價(jià)格預(yù)計(jì)將下滑13%-18
2025-02-18 11:03:002814 ，但是找不到下載的地方。
如何對(duì) SPI 閃存進(jìn)行編程？
終端客戶(hù)將在 PCB 組裝之前或組裝后通過(guò) Xilinx 工具對(duì) SPI 閃存進(jìn)行編程。
2025-02-17 07:31:51
特點(diǎn)W25X10CL（1M位）串行閃存為容量有限的系統(tǒng)提供了一種存儲(chǔ)解決方案空間、引腳和電源。25X系列提供的靈活性和性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了普通串行閃存設(shè)備。它們是代碼下載應(yīng)用程序以及存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)
2025-02-15 15:25:20
MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112是一款高性能的NAND閃存存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足各類(lèi)電子設(shè)備的存儲(chǔ)需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)密度和快速的讀寫(xiě)速度，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)
2025-02-14 07:36:52
MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109是一款高性能的NAND閃存存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足各類(lèi)電子設(shè)備的存儲(chǔ)需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)密度和快速的讀寫(xiě)速度，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)
2025-02-14 07:34:35
MT28EW256ABA1LJS-0SIT是一款高性能的NOR閃存存儲(chǔ)器，由MICRON制造，專(zhuān)為滿足各種電子設(shè)備的存儲(chǔ)需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)密度和快速的讀寫(xiě)速度，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。目前
2025-02-14 07:29:58
黑客攻擊？高溫考驗(yàn)？駕駛安全？通通沒(méi)在怕的！1月15日，華邦電子舉辦了“安全閃存強(qiáng)化車(chē)用電子安全性”為主題的線上研討會(huì)。為了讓沒(méi)能參加這場(chǎng)線上研討會(huì)的邦友們也可以清晰 Get 安全閃存關(guān)鍵知識(shí)點(diǎn)，邦
2025-02-12 18:15:031214 據(jù)外媒最新報(bào)道，為了應(yīng)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)的供應(yīng)過(guò)剩問(wèn)題，三星電子與SK海力士?jī)纱蟀雽?dǎo)體巨頭已悄然采取措施，通過(guò)工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，自去年年底以來(lái)，三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13856 TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
2025-02-08 16:41:02930 FORESEE eMMC 是一款采用球柵陣列（BGA）封裝設(shè)計(jì)的嵌入式存儲(chǔ)解決方案。FORESEE eMMC 由 NAND 閃存和 eMMC 控制器組成。該控制器能夠管理接口協(xié)議、耗損均衡、壞塊管理
2025-02-08 14:06:20
近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面，消費(fèi)者需求在春節(jié)過(guò)后依然沒(méi)有顯著回暖，市場(chǎng)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)
2025-02-07 17:08:291017 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD32G5x3閃存讀寫(xiě)(RWW)特性介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-07 14:41:330 般回暖，反而持續(xù)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)。這一趨勢(shì)直接導(dǎo)致了DDR4現(xiàn)貨價(jià)格的持續(xù)下滑，盡管市場(chǎng)上存在部分買(mǎi)家對(duì)DDR5產(chǎn)品有特殊需求，并一度引發(fā)了其價(jià)格的臨時(shí)上漲，但整體來(lái)看，DRAM市場(chǎng)的低迷氛圍并未因此得到根本性的改善。 集邦咨詢(xún)的數(shù)據(jù)顯示，目前DDR4主流芯片(例如
2025-02-06 14:47:47930 影響25Q20D閃存芯片寫(xiě)入速度和使用壽命的因素有哪些？首先我們來(lái)談?wù)動(dòng)绊憣?xiě)入速度九個(gè)方面：存儲(chǔ)容量和架構(gòu)：存儲(chǔ)容量的增加會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復(fù)雜，從而影響寫(xiě)入速度。較大的閃存芯片在寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，需要更多時(shí)間來(lái)定位和管理數(shù)據(jù)。此外，如果閃存的存儲(chǔ)架構(gòu)未經(jīng)優(yōu)化，同樣會(huì)限制寫(xiě)入速度。
2025-01-22 16:48:251099 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-39：將5V閃存與ADSP-218x接口（字節(jié)編程算法）.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-15 16:11:510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-1310：通過(guò)MDIO實(shí)現(xiàn)閃存編程—協(xié)議類(lèi)型8.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-14 15:13:480 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前，全球NAND閃存市場(chǎng)面臨供過(guò)于求的局面，預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24866 近日，三星電子宣布將對(duì)其在中國(guó)西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施，以應(yīng)對(duì)全球NAND市場(chǎng)供過(guò)于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢(shì)。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過(guò)10%，預(yù)計(jì)每月
2025-01-14 10:08:09851 全球NOR Flash市場(chǎng)由四家主要制造商主導(dǎo)，除巨頭之外，還有華芯邦等廠商在市場(chǎng)上也占有一席之地，主要為藍(lán)牙、音頻、WIFI等SoC主控芯片生產(chǎn)商供貨，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子品牌。例如HT25Q20D廣泛應(yīng)用在汽車(chē)電子領(lǐng)域中。
2025-01-13 15:20:411311 影響HT25Q20D閃存芯片寫(xiě)入速度和使用壽命的因素有哪些？
2025-01-08 16:05:031429 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-278：NAND閃存與ADSP-21161 SHARC處理器接口.pdf》資料免費(fèi)下載
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2025-01-05 10:10:590 
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