此前三年碳酸鋰現(xiàn)貨價(jià)格高位運(yùn)行,推動(dòng)鋰礦及鋰鹽項(xiàng)目大規(guī)模集中建設(shè)。近期,或出于對(duì)長(zhǎng)期市場(chǎng)的預(yù)期,不少上游鋰鹽企業(yè)仍在堅(jiān)定擴(kuò)產(chǎn)。
2023-11-25 09:47:03
352 經(jīng)歷漫長(zhǎng)的下行周期之后,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格止跌,部分型號(hào)存儲(chǔ)芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈,該行業(yè)的疲軟需求可能終于觸底。
2023-11-14 10:47:57
617 但是,存儲(chǔ)芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說(shuō),已經(jīng)從dram開始的存儲(chǔ)器價(jià)格上升趨勢(shì)正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28
487 美國(guó)OSTUPS不間斷電源TP1101/1KVA800W現(xiàn)貨價(jià)格美國(guó)OSTUPS電源TP1101KVA工業(yè)級(jí)UPS-總代理OSTUPS電源-美國(guó)OST蓄電池(中國(guó))有限公司主營(yíng):OSTbattery
2023-11-09 13:45:51
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于ADS1255的地震信息采集模塊設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-08 08:32:05
3 三星采取此舉的目的很明確,希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng),穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:11
1212 據(jù)了解,現(xiàn)階段海外鋰精礦價(jià)格堅(jiān)挺,外購(gòu)鋰精礦的成本已經(jīng)達(dá)到了16-17萬(wàn)元/噸,無(wú)限逼近現(xiàn)貨價(jià)格。疊加運(yùn)營(yíng)、銷售等多方面支出,碳酸鋰已經(jīng)出現(xiàn)價(jià)格和成本之間的倒掛。
2023-10-13 15:43:53
310 
在芯片供應(yīng)過(guò)剩、需求低迷的情況下,DRAM芯片現(xiàn)貨價(jià)格自2022年2月以來(lái)一直處于下跌狀態(tài)。三星和SK海力士自去年底開始大幅削減芯片產(chǎn)量,導(dǎo)致芯片庫(kù)存資產(chǎn)觸底反彈,芯片價(jià)格持續(xù)走低。價(jià)格依次回升。
2023-10-09 16:35:59
507 震源是地震勘探系統(tǒng)的重要組成部分,其產(chǎn)生信號(hào)的質(zhì)量直接影響地震勘探的效果。電磁驅(qū)動(dòng)的高頻可控震源是-種代咎爆炸震源的新型非破壞性霞源,主要用于城市的地下活動(dòng)構(gòu)造探測(cè),工程質(zhì)量檢測(cè),鐵路、壩基的調(diào)查
2023-09-26 07:49:23
據(jù)媒體報(bào)道,近期已有下游廠商接到存儲(chǔ)原廠通知,第四季度將調(diào)漲合約價(jià)格,其中NAND閃存第四季度合約價(jià)可能漲一至二成,DRAM合約價(jià)漲幅約一成。
2023-09-25 17:11:00
722 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 日前報(bào)告也指出,近期 NAND Flash 現(xiàn)貨市場(chǎng)顆粒報(bào)價(jià)受到晶圓合約價(jià)成功拉漲消息帶動(dòng),部分品項(xiàng)出現(xiàn)較積極詢價(jià)需求。
2023-09-21 11:25:45
317 據(jù)消息人士透露,nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈,到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示:“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:50
503 DDR4是較為常見、主流的DRAM產(chǎn)品。市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢9月13日的報(bào)告指出,本周低價(jià)位DRAM芯片的現(xiàn)貨價(jià)格開始上升,整體DRAM現(xiàn)貨價(jià)格有所企穩(wěn),現(xiàn)貨成交量也有所增加。以主流芯片DDR4 1Gx8 2666MT/s為例,其現(xiàn)貨均價(jià)從上周的1.450美元上漲0.28%至本周的1.454美元。
2023-09-18 15:35:01
293 查看 rtsp 服務(wù)是否實(shí)時(shí)推流
2023-09-18 07:36:13
9月12日,據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo),三星電子近期與客戶(谷歌等手機(jī)制造商)簽署了內(nèi)存芯片供應(yīng)協(xié)議,DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格較現(xiàn)有合同價(jià)格上調(diào)10%-20%。三星電子預(yù)計(jì),從第四季度起存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)或?qū)⒐┎粦?yīng)求。
2023-09-14 10:56:18
206 業(yè)內(nèi)人士說(shuō):“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”,“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大,因此銷售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本,供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營(yíng),擴(kuò)大減產(chǎn),價(jià)格停止下跌,反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17
508 
顯示,存儲(chǔ)芯片行業(yè)頹勢(shì)或?qū)⒂瓉?lái)轉(zhuǎn)機(jī)。 供應(yīng)鏈告消息顯示,減產(chǎn)效益下三星帶頭調(diào)漲NAND Flash價(jià)格策略奏效,近期512Gb顆粒價(jià)格最低價(jià)1.4美元直接拉上1.85美元,現(xiàn)貨價(jià)格甚至喊上2美元,不到一個(gè)月期間,現(xiàn)貨價(jià)格反彈將近40%。 知名分析師分析師郭明錤也在近期發(fā)
2023-09-08 15:01:07
538 近期,受晶圓合約價(jià)格成功上漲的推動(dòng),NAND Flash芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)部分產(chǎn)品的詢價(jià)活躍度有所上升。TrendForce報(bào)告稱,這一增長(zhǎng)主要源于8月底 NAND Flash 供應(yīng)商與中國(guó)主要模塊制造商之間的談判。
2023-09-04 10:55:37
204 
分析閃存控制器的架構(gòu),首先得了解SSD。一般來(lái)說(shuō)SSD的存儲(chǔ)介質(zhì)分為兩種,一種是采用閃存(Flash芯片)作為存儲(chǔ)介質(zhì),另外一種是采用DRAM作為存儲(chǔ)介質(zhì)。我們通常所說(shuō)的SSD就是基于閃存的固態(tài)硬盤
2023-08-29 16:10:09
495 Hosseini預(yù)測(cè)說(shuō):“半導(dǎo)體制造企業(yè)的存儲(chǔ)
芯片庫(kù)存比預(yù)想的要快。庫(kù)存問(wèn)題可能會(huì)持續(xù)到2024年上半年。”他表示:“目前第四季度的供
貨價(jià)格比預(yù)想的要差。以目前的趨勢(shì)很難相信明年的
價(jià)格會(huì)大幅上漲?!?/div>
2023-08-22 12:22:50
571 臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道說(shuō),蘋果公司的新一代iphone可以改善存儲(chǔ)芯片制造商的銷售,但從季節(jié)上看,2023年下半年家電市場(chǎng)的需求不會(huì)大幅增加。世界主要閃存企業(yè)已經(jīng)報(bào)告了2023年上半年業(yè)績(jī)低迷的情況,但第二季度的出貨量正在持續(xù)改善。
2023-08-17 10:40:30
303 考慮到:
● 地震是地球板塊構(gòu)造活動(dòng)的結(jié)果,所以地震的發(fā)生一定和某些構(gòu)造環(huán)境相關(guān)。
● 地震不是孤立發(fā)生的,它只是整個(gè)構(gòu)造活動(dòng)過(guò)程中的一環(huán),在地震發(fā)生之前還會(huì)發(fā)生其他事件。那么,如果能
2023-08-16 11:19:37
344 
8月6日凌晨,山東德州市平原縣發(fā)生5.5級(jí)地震,包括濟(jì)南、天津、北京在內(nèi)的多個(gè)城市有震感。許多網(wǎng)友表示在手機(jī)和電視上看到了地震預(yù)警信息,預(yù)警時(shí)間最長(zhǎng)可達(dá)70秒。據(jù)了解,當(dāng)前華為、小米、榮耀、OPPO
2023-08-15 09:29:37
719 由于地震波作為一種機(jī)械波,其傳播速度要遠(yuǎn)慢于電磁波。所以,在地震發(fā)生時(shí),預(yù)警感應(yīng)裝置在監(jiān)測(cè)到地震波后,將信息傳輸?shù)筋A(yù)警中心,預(yù)警中心通過(guò)計(jì)算確定是否需要發(fā)布預(yù)警信息,一旦地震影響達(dá)到響應(yīng)程度,就可以通過(guò)電視、短信等途徑發(fā)布地震預(yù)警信息,在地震波來(lái)臨時(shí),有一定的預(yù)警時(shí)間。
2023-08-10 11:12:44
572 
?閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。 什么是pSLC pSLC?是一種虛擬的 SLC?技術(shù),通過(guò)采用特殊的控制算法和管理方法,在 MLC?或 TLC?閃存芯片上模擬 SLC?存儲(chǔ)單元。 1、pSLC技術(shù)的可靠性介于SLC和MLC之間,其性能接近于SLC; 2、透過(guò)Flash控制器的創(chuàng)新性設(shè)
2023-08-02 15:16:59
3365 
據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢,很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24
762 的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。什么是pSLCpSLC是一種虛擬的SLC技術(shù),通過(guò)采用特殊的控制算法和管理方法,在MLC或TLC閃存芯片上模擬SLC存儲(chǔ)單元。1
2023-08-02 08:15:35
790 
這是一個(gè)超靈敏的地震探測(cè)器電路,可以感知地震振動(dòng)。
2023-07-27 18:19:33
891 
蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù),但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的,使用NAND(非易失性閃存)芯片技術(shù),而SSD可以是通用的,采用不同類型的閃存芯片,如NAND、MLC(多級(jí)單元)或TLC(三級(jí)單元)。
2023-07-19 15:21:37
2101 泛林集團(tuán)如何利用MEMS+?仿真模型設(shè)計(jì)地震儀
2023-07-11 15:24:33
230 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《戶外氣象地震監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的構(gòu)建.zip》資料免費(fèi)下載
2023-07-10 09:46:13
0 全球半導(dǎo)體景氣度正待回升中,今年2月,有消息傳出上游硅晶圓(也稱硅片)現(xiàn)貨價(jià)開始轉(zhuǎn)跌,終止連續(xù)三年漲勢(shì),甚至合約價(jià)也面臨松動(dòng),這透露著整體的晶圓制造端需求比預(yù)期還要弱。近期,12英寸硅晶圓供過(guò)于求的消息一經(jīng)傳出,整個(gè)業(yè)界雜音生起,半導(dǎo)體又有一個(gè)領(lǐng)域撐不住了?
2023-06-30 09:20:57
381 、應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)和圖像等,eMMC芯片是否支持某種特定功能,取決于控制器和閃存芯片的規(guī)格和設(shè)計(jì)。
eMMC芯片的主要特點(diǎn)
集成度高
eMMC芯片集成了一個(gè)控制器,用于管理閃存芯片,簡(jiǎn)化了產(chǎn)品設(shè)計(jì)過(guò)程,并加速
2023-06-28 15:21:00
全電量競(jìng)價(jià)的特點(diǎn)在于發(fā)電側(cè)市場(chǎng)主體各機(jī)組所發(fā)電量全部參與電力現(xiàn)貨市場(chǎng)競(jìng)價(jià),中長(zhǎng)期交易電量、優(yōu)先發(fā)電(包括可再生能源、省外購(gòu)電、“保安全”、供熱機(jī)組“以熱定電”等)和基數(shù)電量以差價(jià)合約的方式結(jié)算。
2023-06-26 15:46:01
7169 
,也是最關(guān)鍵最重要的設(shè)備,而模數(shù)轉(zhuǎn)換器又是地震數(shù)據(jù)采集中最核心的部分,它的性能直接影響采集數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,關(guān)系到地質(zhì)分析的正確性,本文推薦使用芯熾SC1644低功耗、8/16通道高集成度的多路復(fù)用模數(shù)轉(zhuǎn)換器,該芯片為國(guó)產(chǎn),可以完美替代AD7173。
2023-06-12 14:53:10
321 
value: 0
我不明白No boot這個(gè)選項(xiàng)。我的意思是無(wú)論閃存如何,內(nèi)部 ROM 都有引導(dǎo)加載程序。
為什么需要在閃存中生成額外的引導(dǎo)選項(xiàng)或第二階段引導(dǎo)選項(xiàng)?
2023-06-12 07:56:12
目前需要使用1126 rtsp推流,有沒(méi)有什么方向能夠減少直播過(guò)程中的延時(shí)
2023-06-08 16:40:51
業(yè)界對(duì)DDR5 DRAM的市場(chǎng)預(yù)期不太樂(lè)觀。
2023-06-05 10:36:31
302 
ESP8285 芯片(Soc)是否帶有內(nèi)置閃存?如果是,我們可以使用帶有內(nèi)置閃存的 ESP8285 芯片(Soc)通過(guò) ESP8285 芯片(Soc)的 UART 配置使其作為 WiFi 連接
2023-06-05 08:31:11
的 v1.1)中,我總是將閃存工具設(shè)置為使用 32Mb 閃存大小,因?yàn)檫@是閃存工具報(bào)告的安裝 - 這與芯片 ID 25Q32 一致。
然而,當(dāng)我開始嘗試 v1.7 時(shí),自述文件說(shuō)要使
2023-06-02 06:38:16
。 恰恰此時(shí),鹽湖放貨價(jià)格卡在30萬(wàn)元/噸的點(diǎn)位,無(wú)疑加劇產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)博弈態(tài)勢(shì),使得后市價(jià)格走勢(shì)愈發(fā)撲朔迷離...... 2023年5月30日,SMM電池級(jí)碳酸鋰報(bào)價(jià)為28.2-31.3萬(wàn)元/噸,均價(jià)為29.75萬(wàn)元/噸,環(huán)比上一交易日上漲0.25萬(wàn)元/噸。 重點(diǎn)事件: 【鹽湖放貨】據(jù)
2023-06-01 09:51:10
277 我需要為生產(chǎn)目的對(duì) ESP8285 IC 進(jìn)行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內(nèi)完成此操作的 SPI 閃存編程器,而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎?
2023-05-31 10:11:19
是 GPIO13 和 GPIO15。
但我們應(yīng)該下拉 GPIO15 以從閃存啟動(dòng)...
我如何使用第二個(gè) UART 引腳,同時(shí)確保如果我的模塊重置它將從閃存啟動(dòng)(而不是從 SD 卡)?
2023-05-31 08:53:23
有沒(méi)有人成功地將 ESP8266EX 連接到 EEPROM 芯片而不是閃存?在我住的地方,沒(méi)有人出售大于 512k 的閃存芯片,我至少需要 4 個(gè)。如果可以使用 EEPROM,我不想從美國(guó)進(jìn)口。
2023-05-30 11:10:19
有沒(méi)有我可以加載到我的 ESP 中并讓它告訴我真正的閃存大小的程序/草圖?我有幾塊板可以正常工作,但后來(lái)我用相同的程序加載另一塊板,但它失敗了。我懷疑是假的或壞的閃存,但我沒(méi)有辦法證明這一點(diǎn)。
2023-05-30 09:16:50
我正在尋找?guī)椭O(shè)置第二個(gè) spi 閃存芯片的鏈接。
這第二個(gè)芯片將在其他 spi 端口之一上。
第二個(gè)芯片不會(huì)與引導(dǎo)存儲(chǔ)器芯片并聯(lián)。
2023-05-30 07:50:13
有人可以分享有關(guān)如何在 IMXRT1010-EVK 開發(fā)板上對(duì)閃存進(jìn)行編程的應(yīng)用說(shuō)明或其他文檔的鏈接。
當(dāng)鏈接到 RAM 時(shí),我的工作代碼運(yùn)行良好,但我似乎無(wú)法從閃存 XiP 獲得任何程序或運(yùn)行。
2023-05-29 08:37:31
時(shí)下載最新的固件。
然后,OTA 引導(dǎo)加載程序?qū)⒂煞咒N商閃存到芯片上(digikey 對(duì)此報(bào)價(jià)為每個(gè)芯片約 0.15 美元......但可能會(huì)繼續(xù)尋找更便宜的......)所以我們將通過(guò)卷軸收到
2023-05-29 08:21:45
如上圖所示,這是程序試圖擦除內(nèi)部閃存的代碼,但問(wèn)題是它已被正確擦除,無(wú)法證明它是可以正確編程的代碼。
或者,如何讀取或攜帶閃存中存儲(chǔ)的內(nèi)容?未來(lái)我們計(jì)劃通過(guò)串口通信接收數(shù)據(jù),存儲(chǔ)在flash中,運(yùn)行bootloader。
2023-05-19 06:01:16
。那么華為芯片斷供解決了嗎,來(lái)聽I(yíng)C現(xiàn)貨安瑪科技小編怎么說(shuō)。 ? ? 其實(shí),華為并沒(méi)有放棄解決這一問(wèn)題,而是采取了一系列應(yīng)對(duì)芯片供應(yīng)斷供的措施。首先,華為正在積極尋找替代品,尋求在國(guó)內(nèi)和國(guó)際市場(chǎng)購(gòu)買芯片。華為加大自主研發(fā)
2023-05-18 17:54:02
10566 
我們想同時(shí)使用 M7 和 A53 的 QSPI 閃存,這兩個(gè)內(nèi)核都有自己的內(nèi)存區(qū)域,驅(qū)動(dòng)程序目前支持這種情況嗎?
如果是這樣,我們可以研究任何參考或示例嗎?我們是否需要在應(yīng)用程序中實(shí)現(xiàn)信號(hào)量或其他
2023-05-18 07:47:18
其實(shí)是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。那么電子芯片可以回收嗎?下面安瑪科技IC現(xiàn)貨小編為大家講解。 隨著“芯荒”的加劇,那些廢舊芯片在回收后將被簡(jiǎn)單地拋光,然后重新打上品牌進(jìn)行銷售。有芯片代理商甚至表示,電子領(lǐng)域一直流淌著假冒或
2023-05-11 18:01:35
2654 
年Q1營(yíng)收43.79億美元,較去年同期的49.05億美元同比下降11%。
通用型號(hào)庫(kù)存充足,常規(guī)物料現(xiàn)貨價(jià)格逐漸回歸至21年下半年左右現(xiàn)貨價(jià)格,客戶保持持續(xù)觀望態(tài)度,訂單量銳減。但MSP為首的MCU
2023-05-10 10:54:09
`TUDORbattery德國(guó)TUDOR蓄電池TG系列型號(hào)價(jià)格表TUDORbatteryTUDOR蓄電池(電瓶)TG/TE/TF系列TUDORbattery,TUDOR蓄電池,汽車蓄電池、船舶蓄電池
2023-05-08 16:23:28
主要是給學(xué)生用,價(jià)格最好500左右或更低
2023-05-03 07:37:18
無(wú)法使用 Segger J-Flash 工具(使用 J-Link Plus 工具)讀取或寫入 MCU 閃存。
成功可以連接到MCU。
讀取閃存沒(méi)有發(fā)生,錯(cuò)誤信息如下所示。
需要您的支持來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題
2023-04-28 06:20:00
如今,IC現(xiàn)貨芯片作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心技術(shù)產(chǎn)品,在諸多領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。IC現(xiàn)貨芯片產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣,被廣泛應(yīng)用于軍工、國(guó)防、交通、通訊等領(lǐng)域。一個(gè)芯片的誕生要經(jīng)過(guò)三個(gè)環(huán)節(jié):芯片設(shè)計(jì)、芯片制造
2023-04-19 18:07:46
650 
(SST26VF032BA-104I/MF) 的外部閃存。從這個(gè)特定的外部閃存進(jìn)行編程或引導(dǎo)時(shí),我們需要考慮什么嗎?我們是否需要特定于 Microchip 閃存的 LinkServer 閃存驅(qū)動(dòng)程序
2023-04-14 08:35:18
是否可以使用外部閃存繞過(guò) C3FN4 或 C3FH4 中的內(nèi)部嵌入式閃存?我的意思是作為指令(引導(dǎo))閃存當(dāng)然,不僅僅是數(shù)據(jù)閃存。
2023-04-12 06:15:17
閃存+eMMC)一起工作?當(dāng)我閱讀 ESP32 數(shù)據(jù)表第 18 頁(yè)時(shí),在表 2 上方,它指出“表 2 列出了芯片與嵌入式閃存/PSRAM 之間的引腳到引腳映射。不建議將此處列出的芯片引腳用于其他
2023-04-12 06:01:59
我最近使用 ESP32-C3 MCU 而不是 SOC 制作了定制 PCB。由于尺寸限制,我沒(méi)有包括 SOC 原理圖上顯示的外部閃存芯片。所以我的問(wèn)題是 ESP32-C3 是否需要外部閃存芯片?或者
2023-04-11 09:59:50
我正在使用 EVK 套件 MIMXRT1024。當(dāng)我嘗試調(diào)試時(shí)出現(xiàn)以下錯(cuò)誤閃存驅(qū)動(dòng)程序 V.2 啟動(dòng)失敗 - rc Ef(34):初始化閃存超時(shí)。芯片初始化失敗 - Ef(34):初始化閃存超時(shí)
2023-04-11 06:37:52
評(píng)論