本文將介紹一種門極驅(qū)動器利用SiC-MOSFET的檢測端子為其提供全面保護(hù)的先進(jìn)方法。所提供的測試結(jié)果包括了可調(diào)整過流和短路檢測以及軟關(guān)斷和有源鉗位（可在關(guān)斷時主動降低過壓尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:57
14243 發(fā)現(xiàn)，像 Arduino 或樹莓派這樣的設(shè)備不能直接驅(qū)動重負(fù)載。在這種情況下，我們需要一個“驅(qū)動器”，也就是一個可以接受來自微控制器的控制信號，并且具有足夠功率來驅(qū)動負(fù)載的電路。在許多情況下，MOSFET
2023-10-16 09:19:234270 
的 FET 和柵極驅(qū)動器。GaN FET 的開關(guān)速度比硅質(zhì) FET 快得多，而將驅(qū)動器集成在同一封裝內(nèi)可減少寄生電感，并且可優(yōu)化開關(guān)性能以降低功率損耗，從而有助于設(shè)計(jì)人員減小散熱器的尺寸。節(jié)省的空間
2018-10-31 17:33:14
到低壓側(cè)的柵極MOSFET（LGATE）。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護(hù)，如果在初始啟動期間，MOSFET短路。這些驅(qū)動器還具有一個三態(tài)PWM輸入
2020-09-29 17:38:58
,信號的電平高于穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值輸入PWM芯片的保護(hù)腳截止振蕩工作的保護(hù)方式。這種電路的缺點(diǎn)是:響應(yīng)速度慢,動作遲緩,對短路性電流增長過快下,可能來不及動作。而采用電子高速檢測保護(hù)電路,則過流動作響應(yīng)速度極快,可靠性高,效果好,是一種理想的保護(hù)電路,克服了利用互感器的一些不足。
2009-08-23 13:17:36
分別設(shè)計(jì)一個過壓 過溫 過流的保護(hù)電路模塊，完成過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)，要求，當(dāng)電流超過4.2A時保護(hù)電路輸出高電平，當(dāng)電流重新降至3.6A時保護(hù)電路的輸出端重新回到低電平；完成過壓保護(hù)電路設(shè)計(jì)，要求，當(dāng)
2020-06-20 15:23:57
保護(hù)負(fù)載時，任何輸入電壓、輸出電流超過閾值。超溫保護(hù)（OTP）功能監(jiān)控芯片溫度以保護(hù)設(shè)備。PW2601還可以保護(hù)系統(tǒng)的電池充電過度持續(xù)監(jiān)控電池電壓。設(shè)備像線性穩(wěn)壓器一樣工作，保持5.1V輸出，輸入電壓
2021-01-25 17:46:48
Figure 4 是具有驅(qū)動器源極引腳的 MOSFET 的驅(qū)動電路示例。它與以往驅(qū)動電路（Figure 2）之間的區(qū)別只在于驅(qū)動電路的返回線是連接到驅(qū)動器源極引腳這點(diǎn)。從電路圖中可以一目了然地看出
2020-11-10 06:00:00
ns的傳播延遲和30 ns的轉(zhuǎn)換時間驅(qū)動3000 pf負(fù)載。其中一個司機(jī)可以自舉，用于處理高壓與“浮動”高側(cè)門驅(qū)動器相關(guān)的回轉(zhuǎn)率。這個ADP3412包括重疊驅(qū)動保護(hù)（ODP），以防止外部mosfet中
2020-07-21 15:49:18
`內(nèi)置三功能：100%→25%→爆閃電源ICAP5186是一款集成三功能的開關(guān)降壓型LED恒流IC驅(qū)動器。通過電源的接通與關(guān)斷可實(shí)現(xiàn)功能之間的切換：100%全亮→25%暗亮→爆閃。AP5186內(nèi)部還
2019-02-25 11:16:10
。BP6118 可進(jìn)行恒定速度控制。BP6118 具有正反轉(zhuǎn)控制使能和剎車功能。BP6118 具有多重保護(hù)功能，包括欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、堵轉(zhuǎn)保護(hù)、過溫保護(hù)等。特點(diǎn)? 6V-30V 工作電壓? 直接驅(qū)動
2017-11-16 18:33:09
(TFP)/過溫保護(hù) (OTP)SO-7 封裝符合 RoHS 指令應(yīng)用： 線路電源可調(diào)光 LED 燈/離線 LED 電源驅(qū)動器相應(yīng)產(chǎn)品信息請點(diǎn)擊這里查閱；更多資料請點(diǎn)擊這里查閱；`
2019-02-16 10:26:04
損壞器件之前，將IGBT關(guān)斷來避免開關(guān)管的損壞。 3 IGBT的驅(qū)動和過流保護(hù)電路分析 根據(jù)以上的分析．本設(shè)計(jì)提出了一個具有過流保護(hù)功能的光耦隔離的IGBT驅(qū)動電路，如圖2。圖2 IGBT驅(qū)動和過流
2012-07-18 14:54:31
MOS柵極驅(qū)動能力及最高600V工作電壓下，可提供200mA/300mA的驅(qū)動電流。它有三個互相獨(dú)立的高邊和低邊輸出通路以及全保護(hù)功能。此外還有一個用于PFC 或 Brake IGBT驅(qū)動的低邊驅(qū)動器
2021-05-18 07:25:34
描述JW? 19818 是一款集成 500V MOSFET，單段線性LED 驅(qū)動器。輸出峰值電流的大小通過外部采樣電阻來設(shè)定，受專利保護(hù)的電流控制技術(shù)以確保精確的電流控制精度。系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡單，外圍
2022-01-27 14:42:13
設(shè)計(jì)的輕型發(fā)動機(jī)和燈具具有更高的亮度。特征：?集成橋式整流器和 MOSFET 驅(qū)動器? LED 驅(qū)動器? 最 高達(dá) 310 Vac ?50mA 直流輸出電流 ?熱降壓保護(hù) ? 高壓關(guān)機(jī)保護(hù)?熱增強(qiáng)型8引腳 SOIC 散熱片?三端雙向交流開關(guān)可調(diào)光、可編程
2019-04-17 15:55:25
保持運(yùn)行，并且可以承受60V電源瞬變。LM9061可用于8針小外形表面安裝封裝?！ √卣鳌 ?nèi)置電荷泵，用于高壓側(cè)柵極過驅(qū)動 驅(qū)動器應(yīng)用程序 功率MOSFET的無損保護(hù) 可編程MOSFET保護(hù)
2020-07-14 14:53:05
檢測降壓型高精度高亮度LED恒流驅(qū)動控制器。OC5011通過一個外接電阻設(shè)定輸出電流，最大輸出電流可達(dá)5A；電流精度±3%；外圍只需很少的元件就可實(shí)現(xiàn)降壓、恒流驅(qū)動功能，并可以通過DIM引腳實(shí)現(xiàn)輝度控制
2020-07-10 10:22:10
開關(guān)頻率為 140KHz。輕載時 會自動降低開關(guān)頻率以獲得高轉(zhuǎn)換效率。 OC5806L 內(nèi)部集成軟啟動以及過溫 保護(hù)電路，輸出短路保護(hù)，限流保護(hù)等功 能，提高系統(tǒng)可靠性。 OC5806L 采用
2020-05-22 11:07:17
都很高，高達(dá)96%?±3%LED電流精度? 高側(cè)PMOS調(diào)光FET柵極驅(qū)動器? 開關(guān)頻率范圍為200 kHz至700 kHz具有自動擴(kuò)頻功能? 模擬和PWM調(diào)光（嵌入式或外部）?LED和輸入電流
2024-07-31 15:09:05
模式之間無縫轉(zhuǎn)換。 PC9248 集成了高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器，并為兩個驅(qū)動軌提供 UVLO 保護(hù)。它還支持非同步降壓操作。它提供可編程輸入電流限制和精確的LED 電流調(diào)節(jié)。 LED 開路和短路檢測功能
2024-08-29 09:46:16
，采用小型封裝。該器件包括過流、過熱和欠壓鎖定保護(hù)電路。另外，該器件還內(nèi)置具有電流調(diào)節(jié)功能的高壓自舉二極管。該器件為廣泛的應(yīng)用提供一種最佳的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)。通過將該電機(jī)驅(qū)動器與ROHM BD6201控制器
2019-12-28 09:47:29
保護(hù)VDD 過壓保護(hù)過溫保護(hù)逐周期電流限制 4 規(guī)格 RT7310 是一款高功率因子的定電流 LED 驅(qū)動器，其設(shè)計(jì)針對切相式調(diào)光器的兼容問題進(jìn)行了優(yōu)化。它可在寬輸入電壓范圍內(nèi)支持高功率
2019-09-05 15:09:58
PWM直驅(qū)與SPI寄存器配置，滿足從簡單開關(guān)到復(fù)雜調(diào)速的靈活需求。
可調(diào)驅(qū)動強(qiáng)度：每路支持 1mA~100mA峰值拉/灌電流（多檔可調(diào)），精準(zhǔn)適配不同功率MOSFET。
多重保護(hù)，安全可靠
內(nèi)置全棧式
2025-07-09 09:16:52
USB過流保護(hù)芯片,USB過流保護(hù)芯片,USB過流保護(hù)芯片,USB過流保護(hù)芯片PW1503是超低RDS（ON）開關(guān)，具有可編程的電流限制，以保護(hù)電源源于過電流和短路保護(hù)。它具有超溫保護(hù)以及反向閉鎖
2021-01-27 10:46:46
電池組應(yīng)用。XB5352具有過充，過放，過流，過溫及短路等所有的電池所需保護(hù)功能，并且工作時功耗非常低。該芯片不僅僅是為手機(jī)而設(shè)計(jì)，也適用于一切需要鋰離子或鋰聚合物可充電電池長時間供電的各種信息產(chǎn)品的應(yīng)用場合，如智能手環(huán)、手表、藍(lán)牙耳機(jī)等產(chǎn)品。
2021-11-06 15:34:54
MOSFET驅(qū)動器內(nèi)置保護(hù)，狀態(tài)反饋和門電荷泵。LTC1154由以下功能塊組成：TTL和CMOS兼容輸入LTC1154輸入和關(guān)閉輸入已經(jīng)過設(shè)計(jì)，以適應(yīng)廣泛的邏輯系列。兩個輸入閾值均設(shè)置為約1.3V，滯后約為
2020-09-08 17:28:16
STK984-091AGEVB，STK984-091A-E評估板是由前置驅(qū)動器和功率MOSFET組成的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動器混合IC。它內(nèi)置了分流電阻和熱敏電阻。因此，它包含了針對過溫，過流，過壓和低壓的各種保護(hù)功能。您可以輕松設(shè)計(jì)BLDC電機(jī)驅(qū)動電路并減少PCB面積
2020-05-20 06:09:29
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動器
2018-09-01 09:53:17
概述:
YB4618 具有充電前端過電壓和過溫保護(hù)功能。支持 3V 到 40V 的寬輸入電壓工作范圍。過壓保護(hù)閾值可以外部設(shè)置或采用內(nèi)部默認(rèn)設(shè)置。超快的過壓保護(hù)響應(yīng)速度能夠確保后級電路的安全。集成
2023-10-11 14:47:56
概述：（兼用UCC27301A-Q1）PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動器，具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A，能夠最小化開關(guān)損耗地驅(qū)動大功率MOSFET。高側(cè)和低側(cè)兩個通道完全獨(dú)立，其導(dǎo)
2025-03-03 11:27:14
概述：MAX4880過壓保護(hù)控制器具有內(nèi)部限流開關(guān)，可配置為低成本電池充電器。如果輸入電壓大于過壓斷路電平(5.7V)，或者低于欠壓鎖定電平(4.2V)時，MAX4880會斷開外部n溝道MOSFET
2021-05-17 06:12:48
+下橋)。高耐壓42V，大電流4.3A(峰值，實(shí)際應(yīng)用中不超過40V,4A)。具有電源指示、控制輸出指示LED燈。雙全橋MOSFET驅(qū)動THB8128步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器實(shí)物截圖：雙全橋MOSFET驅(qū)動
2019-11-12 07:00:00
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動器。請問mosfet驅(qū)動器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達(dá)到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
MBI1801的溫度狀態(tài)；當(dāng)MBI1801溫度超過165℃時，過熱保護(hù)功能會關(guān)閉電流，防止驅(qū)動器的溫度過高。MBI1801已在TO-265封裝體上增加散熱能力，以達(dá)到安全處理高輸出電流。芯片特點(diǎn)：恒流輸出
2020-10-21 09:29:20
概述：MAX16834是電流模式高亮度LED (HB LED)驅(qū)動器，可實(shí)現(xiàn)升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。除了驅(qū)動由開關(guān)控制器控制的n溝道功率MOSFET開關(guān)，該器件還可驅(qū)動n溝道
2021-05-17 06:49:06
在開啟時提供此功能。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證表明，在高負(fù)載范圍和低開關(guān)速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅(qū)動與傳統(tǒng)方法相比，導(dǎo)通損耗降低了26%。在電機(jī)驅(qū)動器等應(yīng)用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅(qū)動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時間的過流保護(hù)。先進(jìn)的主動箝位保護(hù)欠壓和過壓鎖定保護(hù)。兩個 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動器，用于故障信號通信。IX6611設(shè)計(jì)用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
開關(guān)管保持正常開關(guān)。相對地短路。驅(qū)動器系統(tǒng)過溫或者過壓導(dǎo)致電機(jī)繞組絕緣擊穿，對地短路。這種過流現(xiàn)象可能會損壞電機(jī)線纜。相間短路。驅(qū)動器系統(tǒng)過溫或者過壓導(dǎo)致電機(jī)繞組絕緣擊穿，導(dǎo)致相對相短路。這種過流現(xiàn)象
2022-11-03 06:23:01
開關(guān)管，采用高D電流檢測電路，支持PWM糢式調(diào)光，輝度可達(dá)65536級。H6118內(nèi)置過溫保護(hù)電路，當(dāng)芯片達(dá)到過溫保護(hù)點(diǎn)進(jìn)入過溫保護(hù)糢式，輸出電流逐漸下降以提高系統(tǒng)可靠性。H6118電路架構(gòu)使得在低壓差
2020-10-21 16:13:22
ΩPMOS? 6.5-30V 輸入電壓范圍? 輸入沖擊電壓高達(dá) 40V? 開關(guān)頻率可編程? 具有使能關(guān)斷功能? 可持續(xù)短路保護(hù)、過溫保護(hù)，自恢復(fù)? 芯片工作溫度-40℃~+125℃? ESOP8 增強(qiáng)
2022-11-11 14:44:13
、速度反應(yīng)快的特點(diǎn)，具備能量回饋功能，充電后續(xù)航里程遠(yuǎn)。并有限流、過流、過溫、堵轉(zhuǎn)等保護(hù)功能。 專業(yè)工業(yè)驅(qū)動電源廠家，其驅(qū)動器具有以下特點(diǎn)：1、 異步電機(jī)驅(qū)動，大力矩、高可靠、防水等級比永磁機(jī)高兩個等級
2016-06-23 22:15:34
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
過溫保護(hù)電路，輸出短路保護(hù)，限流保護(hù)等功能，提高系統(tǒng)可靠性。OC5808L 采用ESOP8 封裝，散熱片內(nèi)置接VIN 腳。。特點(diǎn)寬輸入電壓范圍：8V~90V輸出電壓從4.2V 到30V 可調(diào)支持輸出
2020-05-19 11:02:33
MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT，開關(guān)頻率高達(dá) 500kHz緊湊高效的內(nèi)置隔離式偏置電源（具有 15V 和 –4V 輸出）分立式兩級關(guān)斷功能可實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)，具有可調(diào)的電流限制和延遲（消隱）時間提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增強(qiáng)的 8kV 峰值電壓和 5.7kV RMS 電壓隔離
2018-10-16 17:15:55
直流無刷驅(qū)動器具有功率密度大，轉(zhuǎn)速高，調(diào)速范圍寬，力矩大，效率高等的優(yōu)點(diǎn)，也具有自身損耗小，效率高，溫升低，因此體積小，易安裝、多種完善保護(hù)等功能?！ τ陔姍C(jī)驅(qū)動我們一般都會有保護(hù)措施，當(dāng)
2016-06-21 14:52:06
的最大結(jié)溫。驅(qū)動器IC的控制與診斷功能包括生成死區(qū)時間，可防止兩個MOSFET同時實(shí)現(xiàn)開關(guān)。死區(qū)時間自動與所選的邊沿斜率對應(yīng)。利用外部電阻器改變MOSFET開關(guān)速度，從而優(yōu)化EMC性能。驅(qū)動器IC的狀態(tài)
2018-12-07 10:14:08
輸入電壓、輸出電流超過閾值時，器件都會關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開輸入到輸出，以保護(hù)負(fù)載。過溫保護(hù)（OTP）功能監(jiān)控芯片溫度以保護(hù)設(shè)備。PW2602還可以通過連續(xù)監(jiān)測電池電壓來防止系統(tǒng)電池過度充電。該設(shè)備
2021-01-28 13:23:49
DC2307A，演示電路2307A是一款采用LT1910ES8的高輸入電壓保護(hù)高側(cè)MOSFET驅(qū)動器。該演示板具有8V至48V的寬輸入電壓范圍，能夠保護(hù)電壓源免受短路影響。 LT1910具有50mV
2019-06-27 08:17:32
關(guān)閉MOSFET。OVP閾值可通過電阻器外部調(diào)節(jié)。此外，開關(guān)的內(nèi)部設(shè)置電流限制高達(dá)5.5A。當(dāng)過載情況發(fā)生時，它進(jìn)入打嗝模式以保護(hù)IC免于過熱。它還具有過溫保護(hù)功能，可關(guān)閉MOSFET
2021-08-27 20:16:55
過壓保護(hù)（OVP）具有電阻很低的35mohm，只有改變外部連接。它可以作為一個過壓保護(hù)裝置或高壓開關(guān)。ETA7014由一個電荷泵，一個可配置的電源MOSFET，電壓基準(zhǔn)，柵極驅(qū)動器和一些邏輯保護(hù)模塊
2021-04-13 20:15:15
效率最高可達(dá) 98%以上，輸入電壓可兼容到 100V以上，系統(tǒng)體積小，內(nèi)置過溫保護(hù)，開路保護(hù)，過流保護(hù)，短路保護(hù)，輸入過壓保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路。XLSEMI LED驅(qū)動芯片支持直流穩(wěn)壓電源
2015-12-07 16:38:05
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時，驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
和柵極驅(qū)動器方案的50%。同時，它所具有的過壓和欠壓保護(hù)、過溫保護(hù)、限流和短路保護(hù)等保護(hù)功能，也有助于系統(tǒng)的優(yōu)化，簡化系統(tǒng)的控制概念。整個系統(tǒng)由兩個集成式半橋、微控制器、穩(wěn)壓器和通信組件構(gòu)成，見圖 4。圖
2018-12-07 10:11:19
過熱保護(hù)電路 過溫保護(hù)電路 軸溫
長期連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)的機(jī)電設(shè)備都離不開軸承、軸瓦。因軸溫過熱引起的故障時有發(fā)生。采用軸溫過熱保護(hù)電路
2008-04-24 12:45:582283 
MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動器，用于HB LED驅(qū)動器和DC-DC應(yīng)用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅(qū)動器，高壓應(yīng)用中可工作在較高的開關(guān)頻率
2010-01-28 08:43:042216 
功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-03-05 15:56:44
134 功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動器的功
2012-10-10 16:32:585706 
的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 .由于P溝高邊開關(guān)不需要充電泵,因此最小化EMI;由于集成的驅(qū)動器IC,具有邏輯電平輸入,電流檢測診斷,轉(zhuǎn)換速率調(diào)整,死區(qū)時間產(chǎn)生和對超溫,欠壓和過流與短路的保護(hù),因此和MCU的接口變得很容易
2019-05-01 15:32:008465 
LT1161：四保護(hù)高端MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-08 14:19:269 LT1910：受保護(hù)高端MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-08 16:44:1710 速度較慢，開關(guān)損耗較大。SiC MOSFET的高耐壓、高開關(guān)速度能有效提升電機(jī)驅(qū)動器的功率和效率，但更高的開關(guān)速度和更大的功率對驅(qū)動器的快速響應(yīng)能力和故障快速保護(hù)能力提出了更高的要求。此外，舵機(jī)控制器
2022-04-29 16:34:105811 針對此應(yīng)用需求，Holtek 推出 UVC LED 驅(qū)動器應(yīng)用范例，以升壓恒流方式驅(qū)動，可驅(qū)動正
向電壓比輸入電源高的 UVC LED，并具有欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、過壓保護(hù)及過溫保護(hù)。Holtek
2022-06-26 15:31:001 具有集成式驅(qū)動器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
2022-10-28 12:00:200 驅(qū)動器和 SiC MOSFET 打開電源開關(guān)的大門
2023-01-03 09:45:061403 
MOSFET和IGBT等的開關(guān)損耗問題，那就是帶有驅(qū)動器源極引腳（所謂的開爾文源極引腳）的新封裝。在本文——“通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗”中，將介紹功率開關(guān)產(chǎn)品具有驅(qū)動器源極引腳的效果以及使用注意事項(xiàng)。
2023-02-09 10:19:181670 
過溫保護(hù)電路沒有想象中那么復(fù)雜，可以通過使用熱敏電路和其他分立器件來設(shè)計(jì)。
2023-06-05 09:51:412994 
安森美 NCV8415自保護(hù)低側(cè)MOSFET驅(qū)動器是三端保護(hù)的智能分立FET，適用于嚴(yán)苛的汽車環(huán)境。NCV8415元件具有各種保護(hù)特性，包括用于Delta熱關(guān)斷、過電流、過溫、ESD和用于過壓保護(hù)的集成漏極-柵極鉗位。該器件還通過柵極引腳提供故障指示。下面AMEYA360電子元器件采購網(wǎng)詳細(xì)介紹。
2023-07-04 16:24:151262 
）。LED驅(qū)動器電源的輸出大多是恒流源，可以隨著LED正向壓降的變化而改變電壓。LED電源的核心元件包括開關(guān)控制器、電感器、開關(guān)元件（MOSFET）、反饋電阻、輸入濾波器件、輸出濾波器等。根據(jù)不同場合的要求，必須有輸入過壓保護(hù)電路、輸入欠壓保護(hù)電路、LED開路保護(hù)、過流保護(hù)電路等。
2023-07-04 16:38:268117 、兩個自舉供電的高側(cè)柵極驅(qū)動器、兩個 VDD 供電的低側(cè)柵極驅(qū)動器和過流保護(hù)電路（不使用電流檢測電阻）組成。高側(cè)和低側(cè)的過流保護(hù)閾值均可單獨(dú)通過電阻編程。
2023-07-28 16:20:502257 
緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅(qū)動器還具有高級有源鉗位(AAC)功能，可保護(hù)開關(guān)在關(guān)斷期間免受過壓
2023-12-14 11:37:101162 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有反極性保護(hù)、短路保護(hù)和診斷功能的100V、汽車類、低IQ 高側(cè)驅(qū)動器TPS4800-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:45:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有有源保護(hù)特性的高CMTI 2.5A和5A隔離式IGBT、 MOSFET柵極驅(qū)動器ISO5851數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-26 09:11:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有短路保護(hù)和診斷功能的45V、汽車類低IQ、背靠背MOSFET智能高側(cè)驅(qū)動器TPS1210-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-26 09:23:110 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有保護(hù)和診斷功能的45V汽車智能高側(cè)驅(qū)動器TPS1211-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-26 10:47:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有反極性保護(hù)和過壓保護(hù)功能的低IQ高側(cè)開關(guān)控制器LM74502，LM74502H數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-26 14:20:232 集成過流保護(hù)單通道低邊柵驅(qū)動器——AiP44175
2024-07-09 09:43:001382 
MOSFET驅(qū)動器是一種用于驅(qū)動MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的電路設(shè)備。MOSFET作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用，特別是在需要高頻、高電壓、大電流控制的場合
2024-07-24 16:21:071852 DC-DC隔離電源芯片的過溫保護(hù)原理是電源設(shè)計(jì)中的一個重要環(huán)節(jié)。 一、過溫保護(hù)的概念 1.1 過溫保護(hù)的定義 過溫保護(hù)是指在電源系統(tǒng)中，當(dāng)溫度超過設(shè)定的安全閾值時，通過某種方式使電源系統(tǒng)停止工作或
2024-08-06 10:55:254308 MOSFET驅(qū)動器功耗 MOSFET驅(qū)動器的功耗包含三部分： 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。 MOSFET 驅(qū)動器交越導(dǎo)通（穿通
2024-10-29 10:45:212502 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN53-微功耗高側(cè)MOSFET驅(qū)動器.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-09 14:02:310 LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零
2025-02-25 14:16:45702 
TPS48000-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 100V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V–95V 的寬工作電壓范圍，適用于 12V、24V 和 48V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該器件可以承受并
2025-05-06 13:37:11594 
TPS48100-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 100V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V–95V 的寬工作電壓范圍，適用于 12V、24V 和 48V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該器件可以承受并
2025-05-06 13:44:09686 
TPS12000-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 45V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V–40V 的寬工作電壓范圍，適用于 12V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至
2025-05-06 13:51:19600 
TPS48130-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 100V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V–95V 的寬工作電壓范圍，專為 12V、24V 和 48V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)。該器件可以
2025-05-06 14:38:32628 
TPS12130-Q1 是一款具有保護(hù)和診斷功能的 45V 低 IQ 智能高側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V–40V 的寬工作電壓范圍，專為 12V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì)。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至
2025-05-06 17:01:24717 
UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強(qiáng)度柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護(hù)，例如基于分流電阻器
2025-05-15 11:32:02821 
UCC5880-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強(qiáng)度柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護(hù)，例如基于分流電阻器
2025-05-15 16:48:57870 
UCC5871-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶體管保護(hù)，例如基于分流電阻器的過流
2025-05-16 14:02:45594 
Ω上拉驅(qū)動能力可驅(qū)動高壓MOSFET的大柵極電容，在高開關(guān)頻率應(yīng)用中具有較短的轉(zhuǎn)換時間。自適應(yīng)擊穿保護(hù)，專為優(yōu)化效率和MOSFET跨導(dǎo)保護(hù)而設(shè)計(jì)。Analog Devices LTC7065還在V~CC~ 電源和浮動驅(qū)動器電源上包含欠壓鎖定電路，該電路在激活時關(guān)閉外部MOSFET。
2025-06-06 16:00:49911 
診斷的保護(hù)功能，例如欠壓和過壓監(jiān)控器、離線開路負(fù)載和短路診斷，以及基于區(qū)域的熱監(jiān)控和關(guān)斷保護(hù)。該器件具有 6 個集成半橋（2 個高側(cè)交替模式）、6 個集成高側(cè)驅(qū)動器、一個用于加熱器的外部高側(cè)柵極驅(qū)動器、一個用于電致變色電荷的外部高側(cè)柵極驅(qū)動器和一個用于電致變色負(fù)載放電的集成低側(cè)驅(qū)動器。
2025-10-11 11:10:04661 
安森美NCV84160自保護(hù)高側(cè)MOSFET驅(qū)動器是一款單通道驅(qū)動器，可用于開關(guān)螺線管、燈泡和執(zhí)行器等負(fù)載。該MOSFET驅(qū)動器具有~VD~ 輸出短路檢測、斷態(tài)開路負(fù)載檢測、用于電感開關(guān)的集成鉗位
2025-11-25 11:02:48313 
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