為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗，柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 06:17:00
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功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522075 有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動(dòng) 其1柵極驅(qū)動(dòng) 其2應(yīng)用要點(diǎn)緩沖電容器 專用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！ ?. 驅(qū)動(dòng)門極電壓和導(dǎo)通電阻 SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低?！摂?shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測(cè)試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動(dòng)門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
的影響很小。體二極管的通電劣化一般認(rèn)為SiC-MOSFET存在稱為“體二極管的通電劣化”的故障模式。這是正向電流持續(xù)流過MOSFET的體二極管時(shí)，電子-空穴對(duì)的重新復(fù)合能量使稱為“堆垛層錯(cuò)”的缺陷擴(kuò)大
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例1：移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機(jī)，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
）可能會(huì)嚴(yán)重影響全局開關(guān)損耗。針對(duì)此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護(hù)功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當(dāng)電源開關(guān)關(guān)閉時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將會(huì)工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
的模塊，而橙色圓圈表示使用硅晶體管和SiC二極管的模塊?！ ≡谡劦?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的商業(yè)前景時(shí)，房間里的最終大象是一個(gè)代價(jià)。我們對(duì)價(jià)格侵蝕的看法是有利的，主要是由于我們的方法的兩個(gè)方面：首先，我們
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng)，而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用?！皷艠O誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。※該數(shù)據(jù)是ROHM在相同條件下測(cè)試的結(jié)果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅(qū)動(dòng)門極電壓和導(dǎo)通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
IGBT門極驅(qū)動(dòng)器能夠在太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用中，為Mitsubishi生產(chǎn)的New Mega Power Dual IGBT模塊提供高效的驅(qū)動(dòng)。該驅(qū)動(dòng)器具有較高的集成度和優(yōu)越的抗EMI性能，便于實(shí)現(xiàn)緊湊且高可靠性的功率變換器設(shè)計(jì)，是一種靈活且即時(shí)可用的解決方案。
2019-04-20 16:13:50
IGBT/MOSFET等全控型開關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛，相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片集成度也越來(lái)越高，其中欠壓保護(hù)功能由于可以防止開關(guān)管在門極電壓較低時(shí)飽和導(dǎo)通，被各大驅(qū)動(dòng)芯片公司集成到了自家
2019-08-22 04:45:14
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
的影響，而且由于 RG_EXT 是外置電阻，因此也可調(diào)。下面同時(shí)列出公式（1）用以比較。能給我們看一下比較數(shù)據(jù)嗎？這里有雙脈沖測(cè)試的比較數(shù)據(jù)。這是為了將以往產(chǎn)品和具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的 SiC MOSFET
2020-11-10 06:00:00
開關(guān)損耗。測(cè)試中使用的是最大額定值（RDS（on））為 40mΩ的SiC MOSFET。TO-247N封裝的產(chǎn)品（型號(hào)：SCT3040KL）沒有驅(qū)動(dòng)器源極引腳，TO-247-4L（SCT3040KR
2022-06-17 16:06:12
MOSFET的總柵電荷，而∏是高壓側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器上允許的電壓降例如，irf7811的總門電荷約為20nc。對(duì)于200 mV的允許壓降，所需的自舉電容為100 nF。應(yīng)使用高質(zhì)量的陶瓷電容器?！ ∫粋€(gè)
2020-07-21 15:49:18
保持運(yùn)行，并且可以承受60V電源瞬變。LM9061可用于8針小外形表面安裝封裝?！ √卣鳌 ?nèi)置電荷泵，用于高壓側(cè)柵極過驅(qū)動(dòng) 驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用程序 功率MOSFET的無(wú)損保護(hù) 可編程MOSFET保護(hù)
2020-07-14 14:53:05
61000-4-x（EMC測(cè)試）和IEC 60068-2-x（一系列環(huán)境測(cè)試）的預(yù)認(rèn)證。此外，還可提供老化測(cè)試選項(xiàng)。新款門極驅(qū)動(dòng)器在85°C環(huán)境溫度且無(wú)風(fēng)冷時(shí)的額定峰值輸出電流為每通道20A，額定功率為
2021-09-09 11:00:41
，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進(jìn)企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。我們將與
2023-03-29 15:06:13
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點(diǎn)。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
。另外，這里提供的數(shù)據(jù)是在ROHM試驗(yàn)環(huán)境下的結(jié)果。驅(qū)動(dòng)電路等條件不同，結(jié)果也可能不同。關(guān)鍵要點(diǎn):?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導(dǎo)通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流范圍優(yōu)于IGBT。?SiC-MOSFET的開關(guān)損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
失效模式等。項(xiàng)目計(jì)劃①根據(jù)文檔，快速認(rèn)識(shí)評(píng)估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準(zhǔn)備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項(xiàng)目開展，按時(shí)間計(jì)劃實(shí)施，④項(xiàng)目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預(yù)計(jì)成果分享項(xiàng)目的開展，實(shí)施，結(jié)果過程，展示項(xiàng)目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個(gè)評(píng)估板提供了一個(gè)半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動(dòng)電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
項(xiàng)目名稱：三相繼電保護(hù)電源試用計(jì)劃：.根據(jù)此方案研發(fā)電力繼保上使用的電源模塊，根據(jù)此方案進(jìn)行分解，改進(jìn)，2.學(xué)習(xí)使用羅姆的Sic和驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品，和目前使用的一些電源進(jìn)行比較，然后就此研發(fā)新產(chǎn)品
2020-04-24 18:08:59
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們?cè)O(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來(lái)看實(shí)際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測(cè)試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
、根據(jù)評(píng)估版原理圖，分析SIC MOS的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)方案。2、搭建一個(gè)非隔離的半橋結(jié)構(gòu)的雙向DC-DC變換器樣機(jī)。預(yù)期參數(shù)：高壓端400V，低壓端200V，開關(guān)頻率250KHZ，電流10A。3、對(duì)DSP
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
主要由驅(qū)動(dòng)模塊，控制模塊，保護(hù)電路和功率元器件組成，實(shí)際工作中還需安裝散熱器保證器件工作可靠性。散熱器的安裝官方的指導(dǎo)文件還給出了一些測(cè)試版的連接示例，我這里主要關(guān)注了一下后續(xù)要做的雙脈沖測(cè)試和同步整流
2020-05-19 16:03:51
，ID為40A，具體參數(shù)可到羅姆官網(wǎng)下載datsheet，這里不多余介紹。評(píng)估板上默認(rèn)是沒有焊接SIC MOSFET的，預(yù)留了兩種不同封裝的孔位。羅姆推薦評(píng)估的是TO-247-4L封裝的，那么我也同樣先
2020-05-09 11:59:07
項(xiàng)目名稱：電池充放電檢測(cè)設(shè)備試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：現(xiàn)有的充放電設(shè)備的功率密度較低，打算使用SiC來(lái)提供功率密度。 使用項(xiàng)目：電池充放電檢測(cè)設(shè)備計(jì)劃：了解并測(cè)試demo的驅(qū)動(dòng)，現(xiàn)有產(chǎn)品的的驅(qū)動(dòng)是否適用于
2020-04-24 18:09:35
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動(dòng)板Sic Mosfet驅(qū)動(dòng)電路要求1. 對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路來(lái)講，最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
MOSFET驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置保護(hù)，狀態(tài)反饋和門電荷泵。LTC1154由以下功能塊組成：TTL和CMOS兼容輸入LTC1154輸入和關(guān)閉輸入已經(jīng)過設(shè)計(jì)，以適應(yīng)廣泛的邏輯系列。兩個(gè)輸入閾值均設(shè)置為約1.3V，滯后約為
2020-09-08 17:28:16
限度降低柵極損耗。柵極驅(qū)動(dòng)器需要能夠以最小的輸出阻抗和高電流能力，提供 +20 伏和 -2 伏到 -5 伏負(fù)偏壓。尤其當(dāng)開關(guān)速度較快時(shí)，必須特別留意系統(tǒng)的寄生效應(yīng)。具體而言，這指的是硅模塊周圍通常存在
2017-12-18 13:58:36
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動(dòng)器
2018-09-01 09:53:17
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
到低壓側(cè)的柵極MOSFET（LGATE）。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護(hù)，如果在初始啟動(dòng)期間，MOSFET短路。這些驅(qū)動(dòng)器還具有一個(gè)三態(tài)PWM輸入
2020-09-29 17:38:58
轉(zhuǎn)換器評(píng)估板之外，還備有全SiC模塊的柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板等。與以往的Si元器件相比具有優(yōu)異特性的SiC-MOSFET，工作電路也需要優(yōu)化，全部從沒有參考的狀態(tài)進(jìn)行評(píng)估是非常艱苦而細(xì)致的工作。總之，希建議
2018-12-04 10:11:25
為6.8 Ω）。對(duì)于使用VSD的1200V、55A SiC-MOSFET，需要27Ω的柵極電阻才能將dv/dt限制在5V/ns，對(duì)于電流源極驅(qū)動(dòng)器，需要290mA的柵極電流設(shè)置（ROUTREF值為
2023-02-21 16:36:47
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時(shí)間的過流保護(hù)。先進(jìn)的主動(dòng)箝位保護(hù)欠壓和過壓鎖定保護(hù)。兩個(gè) 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器，用于故障信號(hào)通信。IX6611設(shè)計(jì)用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 09:52:17
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
管的反向恢復(fù)導(dǎo)致連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下的高功率損耗，使其不適用于高功率應(yīng)用。隨后，與SiC肖特基二極管并聯(lián)的lGBT被認(rèn)為取代CCM圖騰柱PFC和CLLC轉(zhuǎn)換器中的硅MOSFET［8］。遺憾的是，由于
2023-02-27 09:44:36
電路并使用專門設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器可以說是非常好的方法。到目前為止，我們已經(jīng)以“全SiC模塊的的應(yīng)用要點(diǎn)”為題，探討了柵極驅(qū)動(dòng)、緩沖電路的效果，本次又對(duì)專用柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了介紹?；谶@些補(bǔ)充型部件/電路
2018-11-27 16:36:43
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國(guó)，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
和發(fā)射極。為了操作MOSFET/IGBT，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于器件的源極/發(fā)射極而言）。使用專門驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。本文討論柵極驅(qū)動(dòng)器是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。
2021-01-27 07:59:24
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
to 125IXRFDSM607X2IXYS18+17080 門驅(qū)動(dòng)器 15A Low-Side RF MOSFET DriverUCC5390ECDRTexas Instruments18+17080 門驅(qū)動(dòng)器 10A/10A 3-kVRMS
2018-08-01 09:29:40
MOSFET DriverTC4424COE713Microchip Technology18+9800 門驅(qū)動(dòng)器 3A DualSI8234BB-D-IS1RSilicon Labs18+9800 門驅(qū)動(dòng)器
2018-08-02 09:39:35
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
。BD7682FJ-LB是AC/DC轉(zhuǎn)換器用的準(zhǔn)諧振控制器，是全球首款*專為驅(qū)動(dòng)SiC-MOSFET而優(yōu)化的IC。（*截至2015/3/25的數(shù)據(jù)）您可能已經(jīng)注意到，開關(guān)要使用SiC-MOSFET時(shí)，需要為將
2018-11-27 16:54:24
。這對(duì)于優(yōu)化CLLC轉(zhuǎn)換器的效率非常重要，尤其是在高頻下。直流母線最大電壓為425V，電池為450V?？紤]到降額可靠性要求，在OBC應(yīng)用中最好使用650V SiC MOSFET。為了提供6.6kW
2019-10-25 10:02:58
%。這非常有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
和MOSFET器件的同時(shí)，沒有出現(xiàn)基于SiC的類似器件。
SiC-MOSFET與IGBT有許多不同，但它們到底有什么區(qū)別呢？本文將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。
2017-12-21 09:07:0436486 
羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313515 PI的SIC1182K和汽車級(jí)SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。 SCALE-2門極驅(qū)動(dòng)核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動(dòng)器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進(jìn)行安全有效的設(shè)計(jì)。
2020-08-13 15:31:282476 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:08
30 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011356 
驅(qū)動(dòng)器和 SiC MOSFET 打開電源開關(guān)的大門
2023-01-03 09:45:06434 
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢(shì)，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132876 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實(shí)例。
2023-02-06 14:39:51645 
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后，本篇進(jìn)入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年來(lái)超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來(lái)越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性進(jìn)行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請(qǐng)點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。
2023-02-08 13:43:21860 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21686 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04333 
上一篇文章對(duì)設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行了介紹。本文將介紹設(shè)計(jì)案例的電路。準(zhǔn)諧振方式：上一篇文章提到，電源IC使用的是SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380 
截至上一篇文章，結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容，本文將對(duì)此前介紹過的PCB電路板布局示例進(jìn)行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07398 
此前共用19個(gè)篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例”，本文將作為該系列的最后一篇進(jìn)行匯總。該設(shè)計(jì)案例中有兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。一個(gè)是功率開關(guān)中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化，一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等，顯而易見這些優(yōu)勢(shì)是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進(jìn)一步加深對(duì)SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57737 
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被稱為“寄生二極管”或“內(nèi)部二極管”。對(duì)于MOSFET來(lái)說，體二極管的性能是重要的參數(shù)之一，在應(yīng)用中使用時(shí)，其性能發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處以及可實(shí)現(xiàn)的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
碳化硅 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:028 相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33568 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強(qiáng)的保護(hù)功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能，保護(hù)
2023-12-14 11:37:10288
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