手機(jī)/平板漸融合　通用型PMIC加速發(fā)展

　　奧地利微電子（Austria Microelectronics）市場(chǎng)經(jīng)理Don Travers（圖4）表示，以往手機(jī)、平板PMIC規(guī)格有所差異，隨著產(chǎn)品尺寸日益多元，上市時(shí)程壓力劇增，品牌和處理器業(yè)者均希望盡量縮減設(shè)計(jì)改變幅度和成本，并達(dá)到新產(chǎn)品快速上市的目標(biāo)，已刺激手機(jī)、平板通用型PMIC方案崛起。

　　此外，行動(dòng)裝置處理器與PMIC之間溝通緊密，傳統(tǒng)設(shè)計(jì)上大多將兩顆晶片的距離拉近，以減輕資料傳輸負(fù)擔(dān)與功耗，卻也引發(fā)熱源集中的問(wèn)題，反而影響系統(tǒng)效率。為改進(jìn)散熱問(wèn)題，PMIC業(yè)者競(jìng)相提出新的系統(tǒng)布局模式，并針對(duì)大尺寸手機(jī)更加復(fù)雜的多核心處理器、背光模組功率管理需求，取法平板電源控制的優(yōu)點(diǎn)，以兼顧手機(jī)效能與續(xù)航力。

　　Travers強(qiáng)調(diào)，因應(yīng)市場(chǎng)需求，奧地利微電子即跳脫一般PMIC商專(zhuān)攻手機(jī)或平板的單線(xiàn)發(fā)展模式，除積極擴(kuò)張手機(jī)、平板通用型PMIC陣容外，近期更發(fā)布一項(xiàng)PMIC遠(yuǎn)端回饋線(xiàn)路專(zhuān)利，大幅簡(jiǎn)化行動(dòng)裝置系統(tǒng)設(shè)計(jì)與散熱問(wèn)題。

　　據(jù)悉，該方案目標(biāo)係簡(jiǎn)化電源管理系統(tǒng)布線(xiàn)，并拉開(kāi)處理器與PMIC的距離以分散熱源，透過(guò)在處理器端外掛一顆功率級(jí)（Power Stage）模組，再以遠(yuǎn)端回饋線(xiàn)路串連高整合度PMIC，可因應(yīng)處理器動(dòng)態(tài)電源負(fù)載變化做出迅速反應(yīng)，同時(shí)提供較高的轉(zhuǎn)換效率及更靈活的印刷電路板 （PCB）布局。

　　隨著PMIC整合更多控制元件與電路，并引進(jìn)數(shù)位設(shè)計(jì)拓?fù)涮嵘剩A代工廠和電源晶片商也研擬導(dǎo)入先進(jìn)製程，開(kāi)發(fā)新一代異質(zhì)功能整合PMIC，滿(mǎn)足復(fù)雜的系統(tǒng)電源管理需求。

　　邁向異質(zhì)功能整合　PMIC加速制程演進(jìn)腳步

　　聯(lián)電市場(chǎng)行銷(xiāo)處技術(shù)經(jīng)理?xiàng)畹翘模▓D5）表示，高通、戴樂(lè)格（Dialog）正積極布局整合MCU及DSP核心的下世代PMIC，藉以提升晶片整合度，讓行動(dòng)裝置業(yè)者有更多設(shè)計(jì)空間塞進(jìn)新應(yīng)用功能，并提高電源管理效率。隨著類(lèi)比/數(shù)位異質(zhì)晶片融合需求浮現(xiàn)，PMIC晶片商將改變以往類(lèi)比IC不追求先進(jìn)製程的概念，加速?gòu)默F(xiàn)階段主流的0.18微米製程，跨入0.13/0.11微米，甚至在1？2年內(nèi)朝90、65/55奈米邁進(jìn)。

　　不同于數(shù)位晶片、隨機(jī)存取記憶體（RAM）均須倚賴(lài)奈米先進(jìn)制程，才能提高邏輯密度及運(yùn)算效能，同時(shí)減輕功耗、尺寸及生產(chǎn)成本；PMIC等各種類(lèi)比晶片對(duì)電晶體密度的要求則較低，反而著重在晶圓后段導(dǎo)線(xiàn)製作或深溝層隔離（Deep Trench Isolation， DTI）等技術(shù)，以改善導(dǎo)通電阻（RDS（ON））及各種操作特性，因此主流製程仍停留在0.18微米以上，晶圓尺寸也還在用六吋、八吋方案，每2年晶片體積微縮比率僅有10~25%。

　　然而，楊登棠分析，目前行動(dòng)裝置PMIC內(nèi)部至少都有二十到五十個(gè)功能區(qū)塊，且接腳數(shù)超過(guò)兩百個(gè)；加上晶片商正致力研發(fā)類(lèi)比/數(shù)位異質(zhì)晶片整合型 PMIC，而新增的MCU、DSP、雜訊消除IC等數(shù)位核心一定要以先進(jìn)製程來(lái)做才能發(fā)揮經(jīng)濟(jì)效益，在PMIC整合度不斷翻升之下，朝奈米製程演進(jìn)的需求已開(kāi)始涌現(xiàn)。同時(shí)，相關(guān)大廠考量先進(jìn)製程成本較高，更研擬在2？3年內(nèi)全面改搭12吋晶圓生產(chǎn)，將晶片產(chǎn)出數(shù)量提升兩倍以上，進(jìn)而縮減10%左右的量產(chǎn)成本。

　　因應(yīng)新世代PMIC製作需求，楊登棠透露，聯(lián)電將部署0.11微米、65/55奈米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）等多元製程。其中，0.11微米方案已開(kāi)始試產(chǎn)，今年底將正式上線(xiàn)，該公司旗下七個(gè)八吋晶圓廠將有五個(gè)支援此製程節(jié)點(diǎn)，至于65/55奈米BCD方案則是未來(lái)主攻重點(diǎn)，將持續(xù)加碼投資。此外，聯(lián)電近期還與一家晶片廠攜手合作90奈米客製化PMIC製程，并已進(jìn)入測(cè)試階段。

　　事實(shí)上，行動(dòng)裝置品牌廠不僅希望節(jié)省晶片耗電，也須要開(kāi)闢更多電力來(lái)源，以滿(mǎn)足用戶(hù)行動(dòng)運(yùn)算的需求，因而帶動(dòng)晶片商投入發(fā)展微型、高效率交流對(duì)直流（AC-DC）充電方案。

　　確保充電快又準(zhǔn)　充電器/測(cè)試方案翻新

　　恩智浦（NXP）電源方案資深產(chǎn)品行銷(xiāo)經(jīng)理張錫亮（圖6）強(qiáng)調(diào)，EuP Lot 6節(jié)能規(guī)範(fàn)施行后，行動(dòng)裝置業(yè)者已面臨更嚴(yán)格的產(chǎn)品功耗要求，包括在待機(jī)模式下不得超過(guò)1瓦（W）；而關(guān)機(jī)模式則須低于0.5瓦耗電量等規(guī)範(fàn)，因而須導(dǎo)入更新一代的電源轉(zhuǎn)換器晶片方案，提高電源轉(zhuǎn)換效率。

　　張錫亮分析，要降低待機(jī)功耗的首要關(guān)鍵就是減少系統(tǒng)零組件用量，因此電源晶片商正競(jìng)相發(fā)展一次側(cè)回授（PSR）、同步整流AC-DC拓?fù)湓O(shè)計(jì)方案，將充電器的零組件控制在叁十顆以下，并滿(mǎn)足各種國(guó)際節(jié)能規(guī)範(fàn)的電源效率要求。

　　尤其近來(lái)手機(jī)和平板充電器共用的設(shè)計(jì)趨勢(shì)成形，更將驅(qū)動(dòng)AC-DC電源設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變。張錫亮指出，由于手機(jī)充電功率為5瓦，而平板多在11瓦左右，因此新一代充電器須偵測(cè)裝置所需電壓，以辨別并切換手機(jī)或平板充電模式。目前恩智浦已開(kāi)發(fā)一套小型化AC-DC解決方案，可透過(guò)在二次側(cè)偵測(cè)負(fù)載變化，動(dòng)態(tài)調(diào)整一次側(cè)的開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）控制器，同步支援平板、手機(jī)充電。

　　隨著行動(dòng)裝置充電技術(shù)革新，新興系統(tǒng)與電池電流量測(cè)方案的需求也開(kāi)始涌現(xiàn)。安捷倫應(yīng)用工程部資深專(zhuān)案經(jīng)理祁子年（圖7）表示，手機(jī)廠在開(kāi)發(fā)軟硬體時(shí)須執(zhí)行一系列標(biāo)竿測(cè)試，包括評(píng)估整體裝置與電路的電池消耗，以及驗(yàn)證應(yīng)用程式對(duì)系統(tǒng)電力供應(yīng)的影響等。

　　祁子年指出，行動(dòng)裝置大多皆導(dǎo)入省電模式，以短叢發(fā)的發(fā)訊方式運(yùn)作節(jié)省電力，由于裝置在此模式下耗電流非常低，傳統(tǒng)量測(cè)方案的動(dòng)態(tài)範(fàn)圍無(wú)法準(zhǔn)確測(cè)量出系統(tǒng)功耗變化，因此業(yè)界正興起互補(bǔ)累計(jì)分布函數(shù)（CCDF）量測(cè)方案，并搭配脈衝式電流抽取技術(shù)，同時(shí)擴(kuò)充儀器的動(dòng)態(tài)電流範(fàn)圍，從而分析并最佳化行動(dòng)裝置省電模式的運(yùn)作模式。

　　增加手機(jī)電力來(lái)源　電池廠競(jìng)逐新材料技術(shù)

　　儘管系統(tǒng)節(jié)能設(shè)計(jì)功夫已有長(zhǎng)足進(jìn)步，但手機(jī)廠最終的期待仍是擴(kuò)充電池容量，工研院IEK產(chǎn)業(yè)分析師呂學(xué)?。▓D8）表示，手機(jī)電池效能每年提升比重僅約 5~8%，遠(yuǎn)不及新產(chǎn)品功能演進(jìn)速度，因此，電池業(yè)者已規(guī)畫(huà)從電池正負(fù)極材料、驅(qū)動(dòng)電壓和極板設(shè)計(jì)叁方面著手，期能兼顧電池體積、容量和成本。

　　呂學(xué)隆透露，叁星SDI近期已在電池表面鍍上新材料，開(kāi)發(fā)出4.4伏特（V）高壓驅(qū)動(dòng)的鋰電池方案，藉以改善電流耗損過(guò)多的問(wèn)題，并妥善利用每一分電力；同時(shí)，該公司也利用涂布製程及特殊復(fù)合材料，提高電池極板的能量密度。至于樂(lè)金化學(xué)（LG Chemical）和日本戶(hù)田工業(yè)等日韓電池材料大廠，則投入開(kāi)發(fā)下世代正負(fù)極材料，將以鋰叁元系、氧化硅等方案增加蓄電量。

　　顯而易見(jiàn)，隨著行動(dòng)裝置功能規(guī)格迅速攀升，晶片商、電池和量測(cè)業(yè)者均不遺余力發(fā)展「開(kāi)源節(jié)流」的解決方案。其中，由于PMIC掌管系統(tǒng)供電，對(duì)新一代行動(dòng)裝置的發(fā)展尤其重要，產(chǎn)值可望從2012年的15億美元，飆升至2016年的24億美元，為相關(guān)業(yè)者帶來(lái)更多商機(jī)。