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      NLAS4599 單SPDT模擬開關(guān)單電源

      數(shù)據(jù)：

      NLAS4599是一款先進的高速CMOS單刀雙擲模擬開關(guān)，采用硅柵CMOS技術(shù)制造。它實現(xiàn)了高速傳播延遲和低導(dǎo)通電阻，同時保持低功耗。該開關(guān)控制模擬和數(shù)字電壓，這些電壓可能在整個電源范圍內(nèi)變化（從V CC 到GND）。

      設(shè)備的設(shè)計使得導(dǎo)通電阻（R <輸入電壓> sub ）比典型CMOS模擬開關(guān)的R ON 更低且更線性。

      通道選擇輸入與標準CMOS輸出兼容;通過上拉電阻，它與LSTTL輸出兼容。

      無論電源電壓如何，當施加0 V和5.5 V之間的電壓時，通道選擇輸入結(jié)構(gòu)可提供保護。此輸入結(jié)構(gòu)有助于防止由電源電壓引起的器件損壞 - 輸入/輸出電壓不匹配，備用電池，熱插拔等。
      特性
      • 通道選擇輸入過壓容忍5.5 V
      • 快速切換和傳播速度
      • 先斷后合電路
      • 低功耗：I CC = 2 mA（Max），T A = 25°C
      • 通道選擇輸入提供的二極管保護
      • 改善線性度并降低ON輸入電壓上的電阻
      • 閂鎖性能超過300 mA
      • ESD性能：HBM> 2000 V; MM> 200 V，CDM> 1500 V
      • 芯片復(fù)雜性：38個FET

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1） 相關(guān)資料（6）
      元器件購買 NLAS4599 相關(guān)庫存