NLAS4599 單SPDT模擬開關單電源
數(shù)據(jù):
數(shù)據(jù)表:低壓單電源SPDT模擬開關
NLAS4599是一款先進的高速CMOS單刀雙擲模擬開關,采用硅柵CMOS技術制造。它實現(xiàn)了高速傳播延遲和低導通電阻,同時保持低功耗。該開關控制模擬和數(shù)字電壓,這些電壓可能在整個電源范圍內(nèi)變化(從V CC 到GND)。
設備的設計使得導通電阻(R <輸入電壓> sub )比典型CMOS模擬開關的R ON 更低且更線性。
通道選擇輸入與標準CMOS輸出兼容;通過上拉電阻,它與LSTTL輸出兼容。
無論電源電壓如何,當施加0 V和5.5 V之間的電壓時,通道選擇輸入結構可提供保護。此輸入結構有助于防止由電源電壓引起的器件損壞 - 輸入/輸出電壓不匹配,備用電池,熱插拔等。
| 特性 |
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- 低功耗:I CC = 2 mA(Max),T A = 25°C
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- ESD性能:HBM> 2000 V; MM> 200 V,CDM> 1500 V
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電路圖、引腳圖和封裝圖
