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      DS1265AB adi

      數(shù)據(jù)：

      在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)沒有寫次數(shù)限制低功耗CMOS操作70ns的讀寫存取時(shí)間 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)±10% VCC工作范圍(DS1265Y) 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1265AB)可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為IND DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。