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      3天內(nèi)不再提示

      CSD88539ND 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88539ND

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款雙路小外形尺寸（SO）-8,60V，23mΩNexFET功率MOSFET被設(shè)計運(yùn)行為低電流電機(jī)控制應(yīng)用中的半橋。

      頂視圖R θJA = 60°C /W，這是在一個厚度0.06英寸環(huán)氧樹脂（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸 2 ，2盎司的銅過渡墊片上測得的典型值脈沖持續(xù)時間≤300μs，占空比≤2％

      特性

      • 超低Q g 和Q gd
      • 雪崩額定值
      • 無鉛
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素

      應(yīng)用范圍

      • 用于電機(jī)控制的半橋
      • 同步降壓轉(zhuǎn)換器

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET

      ?
      VDS (V)
      Logic Level
      RDS(on) Typ at VGS=10V (Typ) (mOhm)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      QG Typ (nC)
      Configuration
      Package (mm)
      Operating Temperature Range (C)
      QGS Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      CSD88539ND CSD88537ND
      60 ? ? 60 ? ?
      No ? ? No ? ?
      23 ? ? 12.5 ? ?
      28 ? ? 15 ? ?
      46 ? ? 62 ? ?
      11.7 ? ? 16 ? ?
      14 ? ? 14 ? ?
      Dual ? ? Dual ? ?
      SO-8 ? ? SO-8 ? ?
      -55 to 150 ? ? -55 to 150 ? ?
      4.6 ? ? 4.6 ? ?
      2.3 ? ? 2.3 ? ?
      20 ? ? 20 ? ?
      3 ? ? 3 ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
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