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      CSD13306W CSD13306W 12V N 通道 NexFET? 功率 MOSFET

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這款8.8mΩ，12V N通道器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的1.5 mm×1mm小外形封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。

      特性

      • 超低導(dǎo)通電阻
      • 低Q g 和Q gd < /sub>
      • 1mm x 1.5mm小尺寸封裝
      • 低高度（高度為0.62mm）
      • 無鉛
      • 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素

      應(yīng)用范圍

      • 電池管理
      • 負(fù)載開關(guān)
        • < li>電池保護(hù)

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      Logic Level
      CSD13306W
      12 ? ?
      Single ? ?
      10.2 ? ?
      44 ? ?
      8.6 ? ?
      3 ? ?
      WLP 1.0x1.5 ? ?
      12.9 ? ?
      10 ? ?
      1 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
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