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HMC8073 0.6 GHz 到 3.0 GHz、0.5 dB LSB、6 位硅數(shù)字步進(jìn)衰減器

數(shù)據(jù):

優(yōu)勢和特點(diǎn)

  • 衰減范圍:0.5 dB LSB,步進(jìn)為 31.5 dB
  • 低插入損耗
    • 1.0 GHz 時(shí)為 1.1 dB
    • 2.0 GHz 時(shí)為 1.5 dB
  • 極高的衰減精度
  • 低于 ±0.25 dB(以及 3% 的衰減狀態(tài))
  • 低相移誤差:1.0 GHz 時(shí)相移為 4°
  • 雙向使用:30 dBm 高功率處理能力
  • 在 RFIN/RFOUT 引腳上提供內(nèi)部直流隔斷器
  • 高線性度
    • P1dB:31 dBm(典型值)
    • 輸入 IP3:52 dBm(典型值)
    • 安全狀態(tài)轉(zhuǎn)換
  • TTL/CMOS 串行接口
    • 在單條數(shù)據(jù)總線上連接多達(dá) 8 個(gè)器件
  • 單電源供電:3.3 V 到 5.0 V
  • ESD 靈敏度額定值:1C 級(1 kV 人體模型)
  • 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝:9 mm2

產(chǎn)品詳情

HMC8073 是一款 6 位數(shù)字步進(jìn)衰減器 (DSA),工作頻率范圍為 0.6 GHz 到 3.0 GHz,衰減范圍為 31.5 dB,步進(jìn)為 0.5 dB。

HMC8073 通過硅工藝實(shí)現(xiàn),具有很短的建立時(shí)間、低功耗以及高靜電放電 (ESD) 抗擾性。該器件具有安全狀態(tài)轉(zhuǎn)換功能,從而能夠在不發(fā)生過沖的情況下發(fā)生衰減狀態(tài)變化,該器件還進(jìn)行了優(yōu)化,可以在工作頻率和溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)出色的步進(jìn)精度以及高功率和高線性度。射頻 (RF) 輸入和輸出可在內(nèi)部與 50 Ω 相匹配,不需要任何外部匹配組件。該設(shè)計(jì)是雙向的,RF 輸入和輸出可互換。

利用 HMC8073 的外部地址功能,用戶可以通過單條總線控制多達(dá)八個(gè) DSA。該 DSA 具有一個(gè)片內(nèi)穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器支持 3.3 V 到 5.0 V 的寬電源工作范圍,而不會在電氣特性方面產(chǎn)生性能變化。HMC8073 包含一個(gè)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) - 和晶體管晶體管邏輯 (TTL) - 兼容接口,該接口支持對衰減器進(jìn)行串行(3 線)控制。

HMC8073 采用符合 RoHS 指令的緊湊式 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝。

應(yīng)用

  • 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
  • 微波無線電?
  • 甚小孔徑終端
  • 測試量設(shè)備和傳感器

方框圖





技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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