SuperSOT?-3 N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專(zhuān)有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專(zhuān)為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 這些器件特別適合筆記本電腦、手提電話、PCMCIA卡和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用，此類(lèi)應(yīng)用需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中提供快速開(kāi)關(guān)和低線路內(nèi)功率損耗。

• 2.2 A，30 V，R
• = 0.065 Ω @ V
• = 4.5 V，R
• = 0.082 Ω @ V
• = 2.5 V。
• 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形SOT-23表面貼裝封裝采用專(zhuān)有的SuperSOT?-3設(shè)計(jì)，具有優(yōu)異的熱性能和電氣性能。
• 采用高密度單元設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)極低的R
• 。
• 出色的導(dǎo)通阻抗和最大的DC電流能力。