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FGH30T65UPDT 650V,30A場截止溝道IGBT

數(shù)據(jù):

產(chǎn)品信息

飛兆半導體的新型場截止溝道 IGBT 系列產(chǎn)品采用創(chuàng)新型場截止溝道 IGBT 技術,為光伏逆變器、UPS、和數(shù)字功率產(chǎn)生器等低導通和開關損耗至關重要的應用提供了最佳性能。
  • 最大結溫:T
  • = 175
  • C
  • 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)運行
  • 高電流能力
  • 低飽和電壓:V
  • = 1.65 V(典型值)@ I
  • = 30A
  • 器件100%經(jīng)過I
  • 測試
  • 高輸入阻抗
  • 緊密的參數(shù)分布
  • 符合 RoHS 標準
  • 短路耐用性:> 5us @ 25
  • C

技術文檔

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