SuperFET?IIMOSFET是安森美半導(dǎo)體全新的高壓超結(jié)（SJ）MOSFET系列，利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極充電性能。該技術(shù)專為最小化傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，dv / dt速率和更高的雪崩能量而量身定制。因此，SuperFET II MOSFET非常適用于開關(guān)電源應(yīng)用，如PFC，服務(wù)器/電信電源，F(xiàn)PD電視電源，ATX電源和工業(yè)電源應(yīng)用。 650 V，TJ = 150°C 最大。 RDS（on）=600mΩ 超低柵極電荷（典型值Qg = 20 nC） 低效輸出電容（典型值Coss.eff = 74 pF） 100％雪崩測試 ESD改進容量