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      Rohm

      US6K2TR

      MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

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      • 器件參數(shù)
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      US6K2TR 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        1.4 A
      • 額定電壓
        30 V
      • 配置
        Dual
      • 連續(xù)漏極電流
        1.4 A
      • 輸入偏置電容@10V
        70 pF
      • 類型
        2個(gè)N溝道
      • 漏源電阻
        270 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@1.4A,10V
        240 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        240 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@1mA
        2.5 V
      • 柵極電荷@5V
        2 nC
      • 晶體管類型
        2個(gè)N溝道(雙)
      • 接通延遲時(shí)間
        6 ns
      • 導(dǎo)通電阻
        270 mΩ
      • 功率耗散
        1 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        13 ns
      • 下降時(shí)間
        8 ns
      • 上升時(shí)間
        6 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TUMT-6

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      US6K2TR EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      US6K2TR 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Future
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      US6K2TR 圖片

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