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      Infineon

      BSO150N03MDGXUMA1

      MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO

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      BSO150N03MDGXUMA1 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        2 V
      • 連續(xù)漏極電流
        8 A
      • 輸入偏置電容@15V
        1.3 nF
      • 類型
        2個N溝道
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻@9.3A,10V
        15 mΩ
      • 柵源電壓
        16 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2 V
      • 柵極電荷@10V
        17 nC
      • 晶體管類型
        2個N溝道(雙)
      • 功率耗散
        1.4 W
      • 元件數量
        2
      • 上升時間
        3.8 ns
      • FET功能
        Logic Level Gate

      Physical

      • 觸點鍍層
        Tin
      • 引腳數
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOP-8

      Compliance

      • 無鉛
        Y
      • RoHS
        yes

      BSO150N03MDGXUMA1 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BSO150N03MDGXUMA1 數據手冊

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      • BSO150N03MD_rev1.0.pdf
        1年前
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      • 1年前
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