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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>合科泰NMOS管HKTQ50N03與HKTQ80N03應(yīng)用案例

合科泰NMOS管HKTQ50N03與HKTQ80N03應(yīng)用案例

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2024-08-01 11:22:181430

PMOSAO4435的特性和應(yīng)用

P型硅的襯底上,通過選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū),作為NMOS的源漏區(qū);PMOS是在N型硅的襯底上,通過選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū),作為PMOS的源漏區(qū)。本期,給大家介紹一款應(yīng)用廣泛的P溝道MOSAO4435,可用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。
2024-09-13 09:14:582274

NMOSHKTG50N03的特性和應(yīng)用

電路以及功率電子應(yīng)用中得到廣泛應(yīng)用,具體包括邏輯門電路、放大器、開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電路等。N溝道制作的MOS由P型襯底和兩個(gè)高濃度P擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成,管子導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度N擴(kuò)散區(qū)間形成N型導(dǎo)電溝道。本期,給大家介紹一款采用N溝道制作的MOSHKTG50N03,帶大家熟悉這款產(chǎn)品的特性和應(yīng)用。
2024-09-13 09:20:161648

NMOSHKTD20N06的應(yīng)用場景

本期,給大家介紹一款性能強(qiáng)大的NMOSHKTD20N06,它可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源模塊等產(chǎn)品中,具有非常好的使用穩(wěn)定性。
2024-10-12 09:12:441301

NMOSHKTD70N04產(chǎn)品概述

作為一種重要的電子元件,MOS在電子電路中扮演著關(guān)鍵角色,MOS由源極、柵極、漏極組成,MOS在開關(guān)電路中,通過柵極控制源極和漏極的通斷,它具有高輸入阻抗、使用靈活方便等特點(diǎn),非常適合高度集成化的應(yīng)用。本期,給大家介紹一款NMOS,它在開關(guān)和穩(wěn)壓電路上具有非常多的應(yīng)用。
2024-10-21 09:39:271068

MOSHKTQ30P03的應(yīng)用場景

MOS的高集成度、低功耗、高速度、制造工藝成熟、設(shè)計(jì)靈活性、可靠性和熱噪聲等特點(diǎn),成為很多電子產(chǎn)品的標(biāo)配。本期,給大家介紹一款應(yīng)用廣泛的MOS產(chǎn)品HKTQ30P03,其產(chǎn)品可靠性和廣泛適用性,成為很多工程師的喜歡的MOS之一。
2024-10-27 14:25:261539

MOSHKTD20N06產(chǎn)品介紹

MOS在穩(wěn)壓以及開關(guān)等電路上具有非常重要的作用,一款好的MOS除了具備好的產(chǎn)品性能,其功耗、產(chǎn)品穩(wěn)定性同樣重要。本期,給大家介紹一款MOSHKTD20N06,可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED和電源等產(chǎn)品上。
2024-11-15 10:50:451525

TMC TM150N03NF(EN)

臺懋半導(dǎo)體TM150N03NF(EN)規(guī)格書N溝道,30V,150A,1.8mΩ@10V
2025-01-06 08:25:250

NMOSHKTD5N50產(chǎn)品介紹

N溝道功率MOSHKTD5N50采用經(jīng)典N溝道結(jié)構(gòu),通過柵極電壓精準(zhǔn)調(diào)控漏源電流,兼具高壓開關(guān)與功率轉(zhuǎn)換核心功能。作為電壓驅(qū)動(dòng)型器件,其依托電場效應(yīng)實(shí)現(xiàn)大電流高效控制,在電源管理、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源等高壓大電流場景中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
2025-05-20 10:55:251286

MOS在電動(dòng)牙刷中的應(yīng)用分析

電動(dòng)牙刷的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與電源管理系統(tǒng)中,MOS作為核心功率開關(guān)器件,直接決定了產(chǎn)品的效率、續(xù)航及可靠性。電子針對旋轉(zhuǎn)式與聲波式電動(dòng)牙刷的不同需求,通過SGT工藝MOS(如HKTQ50N03
2025-06-06 16:51:37617

三款N溝道MOSFET的區(qū)別

電子電路中,封裝技術(shù)是MOSFET應(yīng)用最需要先注意的。這決定了MOS能否嵌入手機(jī)、可穿戴設(shè)備中,或者成為其驅(qū)動(dòng)電機(jī)的開始。今天,我們聚焦三款N溝道MOSFET,以SOT-23與SOT-523封裝為錨點(diǎn),探尋不同封裝如何解鎖差異化應(yīng)用場景。
2025-07-10 09:44:411116

N溝道MOSFET HKTD80N03在電動(dòng)工具中的應(yīng)用

問題會(huì)直接決定其從的壽命和使用順暢度。而針對性推出N溝道MOSFET—— HKTD80N03,這款產(chǎn)品以以大電流、低損耗的特性,為電動(dòng)工具打造高性價(jià)比驅(qū)動(dòng)方案。
2025-08-08 16:48:522094

N溝道MOSFET HKTG50N03在65W PD快充的應(yīng)用

充的期待。而 HKTG50N03 N 溝道 MOSFET,憑著超低阻、微型封裝的特性,替65W快充提供平衡方案。
2025-08-08 16:51:451785

N溝道MOSFET HKTS80N06在儲能BMS主開關(guān)中的應(yīng)用

的要求。 HKTS80N06 N 溝道 MOSFET,以高耐壓、抗雪崩、低損耗特性,為儲能系統(tǒng)構(gòu)建全鏈路安全屏障。
2025-08-12 16:52:041523

N溝道增強(qiáng)型MOSFET HKTS80N06介紹

HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用SGT屏蔽柵技術(shù),其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱,產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),以低導(dǎo)通電阻和高電流承載,可適配封閉環(huán)境應(yīng)用,如儲能電池包BMS和車載OBC應(yīng)用。
2025-08-12 16:54:001610

高壓場效應(yīng)HKTD5N50的核心優(yōu)勢

在工業(yè)自動(dòng)化的精密控制系統(tǒng)中,變頻器作為電機(jī)調(diào)速的核心部件,其性能直接決定了生產(chǎn)效率與能源消耗。泰半導(dǎo)體針對中小功率變頻驅(qū)動(dòng)場景,推出HKTD5N50 高壓場效應(yīng),以 500V 耐壓、低導(dǎo)通損耗及快速開關(guān)特性,成為風(fēng)機(jī)、水泵等流體控制設(shè)備的理想驅(qū)動(dòng)方案。
2025-08-12 16:57:071079

P溝道MOSFET HKTQ30P03P在VBUS開關(guān)中的應(yīng)用

在電子工程領(lǐng)域,VBUS開關(guān)的性能對于電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。很多中層管理者在實(shí)際工作中,常常會(huì)遇到VBUS開關(guān)方面的各種問題,今天就來和大家深入探討這些問題,并介紹一款能有效解決問題的產(chǎn)品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。
2025-09-08 15:48:41803

MOSFET如何推動(dòng)充電寶能效升級

2025年8月實(shí)施了充電寶新國標(biāo),其核心指標(biāo)包括額定輸出容量大于90%,這個(gè)變化提高了電源轉(zhuǎn)換效率要求,把原本的隱性需求轉(zhuǎn)變成了硬性要求。泰半導(dǎo)體基于自主研發(fā)的SGT工藝平臺,推出了HKTQ65N03、HKTG50N03等明星產(chǎn)品,通過技術(shù)突破實(shí)現(xiàn)能效提升,助力客戶輕松應(yīng)對新規(guī)挑戰(zhàn)。
2025-09-15 15:27:591065

MOSHKTQ50N03的三個(gè)核心優(yōu)勢

在低壓大電流設(shè)計(jì)的時(shí)候,想要省成本、縮體積,所以想省個(gè)散熱器,但是又怕過熱炸管子;大封裝倒是散熱好了,結(jié)果又占了半塊PCB板。兩難抉擇下,怎么選擇MOS都是坑。今天就給大家扒一款無散熱器也能裸奔的MOSHKTQ50N03,解決兩難痛點(diǎn)!
2025-10-16 09:40:34556

高性能NMOSHKTD80N06的性能

HKTD80N06是用先進(jìn)溝槽工藝研發(fā)的高性能N型功率MOS,專門為工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源設(shè)備等對效率和可靠性要求高的功率相關(guān)電子設(shè)備設(shè)計(jì)。它的核心優(yōu)勢是把低導(dǎo)通電阻、強(qiáng)電流承載能力和快
2025-10-22 15:42:10523

20N03 TO-252貼片MOS規(guī)格書

20N03 TO-252貼片MOS
2025-11-21 16:38:230

60N03貼片MOS規(guī)格書

60N03 TO-252貼片MOS規(guī)格書
2025-11-25 10:28:500

80N03貼片MOS規(guī)格書

80N03 TO-252貼片MOS規(guī)格書
2025-11-25 10:27:230

選型手冊:MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體

仁懋電子(MOT)推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性,廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效
2025-11-03 16:33:23497

選型手冊:MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體

仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC
2025-11-11 09:18:36255

選型手冊:MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體

仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N
2025-11-20 16:22:54305

TO-252封裝N溝道MOSHKTD100N03的核心優(yōu)勢

如BMS、電機(jī)控制、電力開關(guān)的12V系統(tǒng)對低內(nèi)阻MOS的需求正增速增長,工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設(shè)計(jì)的解決方案。而HKTD100N03這款采用TO-252封裝的N溝道MOS,以
2025-11-26 09:44:40567

MOS在鋰電保護(hù)場景中的應(yīng)用

在消費(fèi)電子與電動(dòng)工具的鋰電保護(hù)場景中,MOS 的選型對保護(hù)板的性能、可靠性有著直接影響。本文結(jié)合典型應(yīng)用場景介紹常見方案,并圍繞 HKTD040N03、HKTD030N03 兩款 MOS ,分析其替換適配性及應(yīng)用注意事項(xiàng)。
2025-12-03 16:11:20970

貼片MOS100N03 TO-252規(guī)格書

貼片MOS100N03 TO-252電流100A 30V
2025-12-04 17:12:570

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