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      Sino

      3DD13009K-O-C-N-B

      晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):400V;集電極電流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集電極截止電流(Icbo):100uA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.8V@8A,1.6A;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):8@5A,5V;特征頻率(fT):4MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

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      3DD13009K-O-C-N-B 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        12 A
      • 集電極截止電流
        100 μA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@8A,1.6A
        1.8 V
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        4 MHz
      • 電流增益 hFE@5A,5V
        8
      • 晶體管類型
        NPN
      • 功率耗散
        100 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 制造商封裝
        TO-220

      3DD13009K-O-C-N-B 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      3DD13009K-O-C-N-B 圖片