】??內(nèi)阻低至1mΩ?（具體型號支持定制），導(dǎo)通損耗降低40%以上，大幅減少發(fā)熱，提升系統(tǒng)整體效率！?支持持續(xù)大電流?，滿足電機(jī)驅(qū)動、電源逆變等大功率需求。
?【快速開關(guān)，高頻率】??結(jié)電容
2025-12-27 11:29:33
01 導(dǎo)率型號的符號上去的, 表示電導(dǎo)型號的符號上的, 用來表示摻雜水平。 - 和 P ?表示具有比臨近區(qū)域更 摻雜水平的N和P層N+ 和 pr 表示具有比臨近區(qū)域更 摻雜水平的N和P層 02 N
2025-12-26 14:20:01
78 
探索P3H244x/P3H284x I3C Hub：多端口連接的理想之選 在電子設(shè)備設(shè)計中，高效的總線連接和靈活的端口配置至關(guān)重要。NXP Semiconductors推出的P3
2025-12-24 10:20:02167 （1）從電路結(jié)構(gòu)上看，低壓側(cè)開關(guān)選N-MOS，高壓側(cè)開關(guān)選P-MOS；
（2）從成本和便利性上看，N溝道MOSFET選擇的型號多，物料成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，物料成本高；
（3
2025-12-24 07:00:21
AIROC?藍(lán)牙低功耗模塊CYBLE - 3x307x - 02：設(shè)計與應(yīng)用全解析 在當(dāng)今的電子設(shè)備中，藍(lán)牙低功耗（BLE）技術(shù)因其低功耗、低成本和廣泛的兼容性，成為了無線通信領(lǐng)域的熱門選擇
2025-12-21 16:30:12423 探索Eval - M1 - CM610N3評估板：電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的理想之選 在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的設(shè)計領(lǐng)域，擁有一款性能出色且易于評估的開發(fā)板至關(guān)重要。今天，我們就來詳細(xì)探討一下英飛凌（Infineon
2025-12-21 09:40:02508 探索 EVAL - IHW25N140R5L：2kW 感應(yīng)加熱評估板的深度剖析 在電子工程師的日常工作中，評估板是我們探索新技術(shù)、驗證設(shè)計理念的重要工具。今天，我們就來深入了解一下 Infineon
2025-12-19 16:40:151005 在電子設(shè)計領(lǐng)域，EEPROM是一種至關(guān)重要的存儲元件，而Onsemi的N24C02、N24C04、N24C08和N24C16系列I2C EEPROM更是其中的佼佼者。今天，我們就來深入了解一下這一系列產(chǎn)品的特性、功能以及在實際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2025-12-02 14:02:29411 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-25 15:14:47191 
60N02 TO-252貼片MOS管規(guī)格書
2025-11-25 10:28:16
0 mm封裝，具有下拉和中心柵極設(shè)計，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機(jī)驅(qū)動器、電源負(fù)載開關(guān)和直流/直流應(yīng)用。
2025-11-24 15:35:18263 
。NTTFD1D8N02P1E MOSFET還具有低 ~RDS (on)~ ，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低~QG~ 和電容，可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。該MOSFET采用PQFN12小尺寸 (3.3mm x 3.3mm)，設(shè)計緊湊。NTTFD1D8N02P1E器件適用于直流/直流轉(zhuǎn)換器和系統(tǒng)電壓軌。
2025-11-24 13:40:06394 
25N06 TO-252貼片MOS管
2025-11-21 17:17:340 仁懋電子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-21 10:57:56177 選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 04 15N06 30N06 50N06 70N06 120N06 5N10 12N10 15N10 25N10 45N10 70N10 5N15 10N15 15N15 5N20 10N20 5N25 等
2025-11-18 09:59:23
仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-17 11:27:39241 仁懋電子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷特性，適用于計算設(shè)備電源管理、負(fù)載開關(guān)、快速無線充電、電機(jī)驅(qū)動等場景。一
2025-11-14 16:12:52519 仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-14 16:04:15309 仁懋電子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向20V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高密度單元設(shè)計實現(xiàn)的超低導(dǎo)通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、筆記本核心電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-11-14 15:51:42202 笙泉重磅推出首款32位CAN+LCD MCU笙泉首款32位 CAN+LCD MCU (型號: MG32F02N系列)及32位 LCD MCU (型號: MG32F02K系列
2025-11-14 14:14:23
仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機(jī)驅(qū)動（電動工具
2025-11-11 09:34:34187 仁懋電子（MOT）推出的MOT3145J是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、85A大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于便攜設(shè)備、電池
2025-11-11 09:29:03207 仁懋電子（MOT）推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-10 16:12:40305 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力，廣泛適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC轉(zhuǎn)換器
2025-10-31 17:36:09228 STMicroelectronics AEK-MOT-3P9908M評估板基于SPC560P Pictus 32位MCU和L9908柵極驅(qū)動器，可控制6個N溝道FET，用于汽車應(yīng)用中的無刷電機(jī)。AEK-MOT-3P9908M評估板有助于通過獨立的編碼器輸入和霍爾傳感器檢測和控制電機(jī)速度。
2025-10-31 13:50:31310 
STMicroelectronics L99VR02J線性穩(wěn)壓器可提供高達(dá)500mA的負(fù)載電流。此低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器的工作電源電壓范圍為2.15V至28V直流電源，溫度范圍為-40°C至
2025-10-25 10:01:46906 
一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，聚焦計算設(shè)備電源管理、快速/無線充電、電機(jī)驅(qū)動等場景，以超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷
2025-10-24 16:21:14531 
的工作溫度范圍（T ~J~ ）為-40°C至175°C，適用于高溫環(huán)境下的電子應(yīng)用。典型應(yīng)用包括微控制器電源、汽車顯示器驅(qū)動器、傳感器和信息娛樂處理器。
2025-10-24 16:06:19627 
一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景，以低導(dǎo)通損耗
2025-10-24 15:59:53537 一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子（MOT）推出的雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，將兩只N溝道MOSFET集成于單顆芯片內(nèi)，適配高頻功率轉(zhuǎn)換、同步整流等對空間與性能
2025-10-24 11:14:37282 MOT2165J是仁懋電子（MOT）推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等場景，以低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)特性和小型化封裝為核心技術(shù)亮點。一
2025-10-24 10:22:08297 設(shè)計提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品基本定位與封裝設(shè)計MOT3150J是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L封裝形式，包裝規(guī)格為5000片/卷，適配高密度
2025-10-23 11:17:26377 在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，N+N增強(qiáng)型MOSFET憑借多單元集成的架構(gòu)，在電機(jī)驅(qū)動、電動設(shè)備控制等場景中展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。本文將針對仁懋電子（MOT）的MOT4913J型號，從參數(shù)、特性到應(yīng)用場景進(jìn)行深度
2025-10-23 10:50:59355 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()SkyOne? Ultra 2.5 前端模塊，適用于 WCDMA / LTE 頻段 1、2、3、4、25、34、39相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有SkyOne? Ultra
2025-10-21 18:31:11
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于汽車應(yīng)用的 SkyOne? Ultra 3.0 前端模塊 – WCDMA / LTE 頻段 1、2、3、4、25、34、39相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有用于汽車
2025-10-20 18:31:49
DRV8436E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機(jī)或一個雙極步進(jìn)電機(jī)。驅(qū)動器的輸出級由配置為兩個全H橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流
2025-10-15 11:08:17426 
DRV8424/25 是適用于工業(yè)和消費類應(yīng)用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器。該器件完全集成了兩個 N 溝道功率 MOSFET H 橋驅(qū)動器、一個微步進(jìn)索引器和集成電流檢測。該DRV8424能夠驅(qū)動高達(dá) 2.5A 的滿量程輸出電流;該DRV8425能夠驅(qū)動高達(dá) 2A 的滿量程輸出電流（取決于 PCB 設(shè)計）。
2025-10-15 10:13:48507 
DRV8428E/P 器件是雙 H 橋電機(jī)驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件可用于驅(qū)動兩個直流電機(jī)或一個雙極步進(jìn)電機(jī)。DRV8428E/P 能夠驅(qū)動高達(dá) 1A 滿量程或 0.7A rms 輸出電流（取決于 PCB 設(shè)計）。
2025-10-15 09:50:56383 
DRV8256E/P 器件是單 H 橋電機(jī)驅(qū)動器，適用于各種工業(yè)應(yīng)用。這些器件集成了N溝道H橋、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)以及保護(hù)電路。
2025-10-14 15:40:26649 
向下移動3行，可以執(zhí)行3j。當(dāng)前光標(biāo)位置如下：執(zhí)行3j后光標(biāo)位置：2.屏幕翻頁指令作用Ctrl+f 或Page Down向下翻頁Ctrl+b或Page Up向上翻頁3.刪除文本指令作用dd刪除光標(biāo)所在
2025-10-14 09:15:39
華邦W25Q128JVSIM作為常用的128Mbit SPI NOR Flash芯片，其兼容替代方案兆易創(chuàng)新GD25Q128ESIGR已獲得批量客戶的認(rèn)可及使用。
2025-10-13 09:33:00869 
### **產(chǎn)品簡介：MTB55N03J3-VB MOSFET** MTB55N03J3-VB是一款高性能**單N通道MOSFET**，采用**TO252封裝**，旨在滿足高電流和低電壓
2025-10-11 17:16:29
設(shè)計用于演示Microchip低功耗Wi-Fi WILCS02PE模塊的特性和功能。WILCS02PE Wi-Fi網(wǎng)絡(luò)控制器模塊是經(jīng)過完全射頻和Wi-Fi Alliance?認(rèn)證的無線模塊，基于WILCS02IC單芯片2.4GHz和IEEE 802.11b/g/n兼容IC。
2025-10-06 15:54:001053 
/n標(biāo)準(zhǔn)的2.4GHz單芯片IC WILCS02IC而打造。WILCS02IC具有集成大功率放大器 (HPA)、低噪聲放大器 (LNA) 和用于TX/RX控制的射頻 (RF) 開關(guān)。WILCS02
2025-10-06 15:35:001090 
/n兼容無線電。WINCS02IC具有集成式大功率放大器（HPA）、低噪聲放大器（LNA）、用于TX/RX控制的射頻（RF）開關(guān)以及基于硬件的安全加速器。WINCS02IC設(shè)計用于執(zhí)行可通過串行外設(shè)
2025-09-30 09:37:25565 
Microchip Technology WILCS02 M.2 Wi-Fi^?^ 模塊卡是一款支持IEEE 802.11b/g/n標(biāo)準(zhǔn)的M.2接口板。該卡用于演示Microchip低功耗Wi-Fi
2025-09-28 14:36:14641 
CSA101-P030T02 是一種能在原邊、副邊完全隔離條件下測量直流、交流、脈沖以及各種不規(guī)則波形的電流傳感器，它主要用于要求準(zhǔn)確度高的計量檢定和計量校準(zhǔn)領(lǐng)域，以及要求高靈敏度、高穩(wěn)定性和高可靠性的電能質(zhì)量分析、功率分析儀、醫(yī)療、航空航天、艦艇等領(lǐng)域。
2025-09-11 16:24:021 ### 1. 產(chǎn)品簡介（ZXMN3A02N8TA-VB）ZXMN3A02N8TA-VB 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，采用 SOP8 封裝，適用于需要高效電源開關(guān)和功率控制的應(yīng)用。它具有
2025-09-09 15:45:32
### P01N02LJG-VB 產(chǎn)品簡介P01N02LJG-VB 是一款高效能單N通道 MOSFET，采用 SOP8 封裝，專為中小功率應(yīng)用設(shè)計。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)秀的熱性能，非常適合用于
2025-09-05 14:12:17
一、MOS管的類型與應(yīng)用
MOS管屬于電壓驅(qū)動型器件，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路中，常作為電子開關(guān)、放大器等功能使用。
NMOS管與PMOS管 電路符號上的區(qū)別：
箭頭往里：NMOS
箭頭往外：PMOS
2025-08-29 11:20:36
星火6J3-1交直流二波段收音機(jī)電路圖
2025-08-18 17:24:169 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()兼容 MIPI RFFE 的 3P4T 發(fā)射/接收 LTE 交換機(jī)相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有兼容 MIPI RFFE 的 3P4T 發(fā)射/接收 LTE 交換機(jī)的引腳圖
2025-08-04 18:31:00
近日，deepin（深度）社區(qū)宣布，deepin 25 已正式適配魔方派 3(RUBIK Pi 3)開發(fā)板，并完成產(chǎn)品兼容性認(rèn)證！
2025-07-28 15:14:50934 DP-25 差分探頭提供一個安全的絕緣儀器給示波器使用，它可以轉(zhuǎn)換由高輸入的差動電壓（≦1400Vp-p）進(jìn)入一個低電壓（≦7.0V），并且顯示波形在示波器上，使用頻率高達(dá)25MHz ,非常適合
2025-07-21 17:22:45607 
AIWAHS-J170J390SJ25
2025-07-14 14:46:434 優(yōu)化的先進(jìn)制程，適用于高效能運算（HPC）、人工智能（AI）、行動裝置及數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域。NeoFuse OTP作為力旺首個在N3P制程完成驗證的OTP，再次彰顯力旺在先進(jìn)制程內(nèi)存解決方案的領(lǐng)先地位，為先進(jìn)AI與HPC芯片提供安全內(nèi)存支持。
2025-07-01 11:38:04876 愛華磁帶隨身聽hs-j170 hs-j390 hs-sj25中文維修手冊
2025-06-17 16:50:086 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《愛華 HS-P25、107/HS-P105/HS-P103 型立體聲放音機(jī)電路圖.pdf》資料免費下載
2025-06-11 15:35:1711 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《M236HJJ-P02規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-06-03 18:04:193 périphériques utilisables : %dn\", n_devices); i_interface = 0; i_device = 0; found = false
2025-05-21 06:09:37
CyU3PDmaSocketIsValid (uint16_t sckId) 中的 CY_U3P_CPU_SOCKET_PROD 的原因？
1. EZ-USB FX3 SDK1.3docfirmwareFX3
2025-05-13 07:26:01
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60N02D N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-09 18:04:100 西門子和臺積電在現(xiàn)有 N3P 設(shè)計解決方案的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步推進(jìn)針對臺積電 N3C 技術(shù)的工具認(rèn)證。雙方同時就臺積電新的 A14 技術(shù)的設(shè)計支持展開合作，為下一代設(shè)計奠定基礎(chǔ)。
2025-05-07 11:37:061415 便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03627 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AIWA HS-J170/HS-J390/HS-SJ25維修手冊（高清版）.pdf》資料免費下載
2025-04-01 16:40:348 替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲器SF25C20
2025-03-28 10:31:41719 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)BK25-600D24H1N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有BK25-600D24H1N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，BK25-600D24H1N4真值表，BK25-600D24H1N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:41:59
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2025-03-24 18:41:33
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2025-03-24 18:40:57
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)DD60-300S12G2N6相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DD60-300S12G2N6的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DD60-300S12G2N6真值表，DD60-300S12G2N6管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-21 18:32:28
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)DD50-380S24G2N4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DD50-380S24G2N4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DD50-380S24G2N4真值表，DD50-380S24G2N4管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-21 18:31:18
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)DD20-48E0524B3C3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DD20-48E0524B3C3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DD20-48E0524B3C3真值表，DD20-48E0524B3C3管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-20 18:57:47
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2025-03-20 18:51:32
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)DD6-36E0524G9N2相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DD6-36E0524G9N2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DD6-36E0524G9N2真值表，DD6-36E0524G9N2管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-20 18:46:45
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2025-03-20 18:44:12
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2025-03-19 18:50:43
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2025-03-19 18:49:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FN2-24D24C3N相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有FN2-24D24C3N的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，F(xiàn)N2-24D24C3N真值表，F(xiàn)N2-24D24C3N管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-19 18:49:06
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2025-03-19 18:42:53
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2025-03-19 18:36:39
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2025-03-18 18:46:14
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2025-03-18 18:31:49
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2025-03-18 18:30:10
MOS管在電路設(shè)計中是比較常見的，按照驅(qū)動方式來分的話，有兩種，即：N-MOS管和P-MOS管。MOS管跟三極管的驅(qū)動方式有點類似，但又不完全相同，那么今天筆者將會給大家簡單介紹一下N-MOS管
2025-03-14 19:33:508054 
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越
2025-03-13 11:05:421388 
設(shè)計中使用L99VR02J輸入12V，輸出5V,目前只輸出2V。是什么原因造成的？輸出電壓選擇段SEL1、SEL2、SEL3接高電平，TW、RST、WI懸空，VCW接0.1uF電容到地。
2025-03-13 07:04:26
TPS7A02 是一款超小型、超低靜態(tài)電流低壓差線性穩(wěn)壓器 （LDO），可提供 200 mA 電流，具有出色的瞬態(tài)性能。
TPS7A02，具有超低的 I~Q~的 25 nA，專為極低靜態(tài)電流
2025-02-28 10:43:181305
請問DLP471NE中LS_WDATA_P、LS_WDATA_N、LS_CLK_P、LS_CLK_N引腳是否可以用于行尋址？
期待您的答復(fù)，謝謝
2025-02-21 14:09:49
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169 ;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計算需求而設(shè)計。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
;MTA9ASF2G72AZ-3G2F1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為現(xiàn)代計算需求而設(shè)計。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個人電腦、工作站和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場上備受歡
2025-02-10 20:09:33
器件具有 128Mb（16MB）的存儲容量，適用于各種電子設(shè)備中，特別是在需要快速數(shù)據(jù)訪問的場合。目前市場上有 9,960 個 MX25U12832FMI02（批
2025-02-09 10:21:26
工藝——N3P。與前代工藝相比，N3P在性能上實現(xiàn)了約5%的提升，同時在功耗方面降低了5%至10%。這一顯著的進(jìn)步意味著，搭載M5芯片的設(shè)備將能夠提供更強(qiáng)大的處理能力，同時擁有更出色的電池續(xù)航能力。 除了制程工藝的提升，蘋果M5系列芯片還采用了臺積電
2025-02-06 14:17:461312
我們采用ADS62P25進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，采用并行接口控制（SCLK接AGND，SEN接AVDD，CTRL1、CTRL2、CTRL3接AGND），CMOS模式輸出，內(nèi)參考。為什么輸出的數(shù)據(jù)很亂？
2025-02-05 07:03:09
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 ：G431-EPC9176_1_0-DummyNema34_50k_100n.zip ST Motor control指南： *附件：Commissioning a motor using ST Motor control.pdf EPC9176 包含所有支持完整電機(jī)驅(qū)動
2025-01-22 13:52:382983 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
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