
晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):110@2mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
YANGJIE

晶體管類型:1個(gè)NPN,1個(gè)PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):175mV@1A,100mA;240mV@1A,100mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V;110@1A,2V;特征頻率(fT):175MHz;125MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
Rubycon

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):65V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):110@2mA,5V;
Rubycon

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@50mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,6V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
Rubycon

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100μA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V;特征頻率(fT):30MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
KEC