
晶體管類型:-;集射極擊穿電壓(Vceo):100V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):3W;集電極截止電流(Icbo):50nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):420mV@4A,400mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,1V;特征頻率(fT):125MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
KEXIN

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,5V;
HXY MOSFET

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
HXY MOSFET

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集電極截止電流(Icbo):15nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
Rubycon

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):150V;集電極電流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集電極截止電流(Icbo):50nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):150@10mA,5V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);
JSCJ