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General Purpose Transistors NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=500mW SOT89-3

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):300V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):40@30mA,10V;

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):400V;集電極電流(Ic):15A;功率(Pd):80W;集電極截止電流(Icbo):1mA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@6A,1.2A;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):10@6A,5V;特征頻率(fT):-;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征頻率(fT):145MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征頻率(fT):150MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);