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晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):1W;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@100mA,10mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@2mA,6V;特征頻率(fT):80MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):45V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):-;功率(Pd):300mW;集電極截止電流(Icbo):20nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征頻率(fT):200MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):150V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):300mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):50@500mA,10V;

晶體管類型:PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;