恩智浦半導(dǎo)體近日推出54款符合汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場(chǎng)上最全的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的性能和可靠性，與DPAK相比還可節(jié)省超過(guò)55%的尺寸面積，從而能大幅降低總成本。
2013-03-08 12:41:54
3472 假定我們?cè)O(shè)計(jì)電路中的功率MOSFET的總計(jì)算功耗為10W。該器件的最高結(jié)溫為150℃?？紤]到結(jié)到外殼還存在溫差，那么MOSFET的實(shí)際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可靠運(yùn)行。假定MOSFET的結(jié)到外殼的熱阻為3K/W，那么我們?nèi)绾未_定所需的最小散熱器尺寸呢？
2022-05-20 10:06:087843 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:432167 
范圍 (Tstg)：-65°C至+175°C· 焊接時(shí)（10s內(nèi)）的最高引線(xiàn)溫度 (TL)：+260°C· 引線(xiàn)表面處理：霧錫電鍍· 采用標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝SMB 封裝應(yīng)用· 電機(jī)控制 機(jī)器人、無(wú)人機(jī)
2020-04-09 09:37:27
就是最大功率限制線(xiàn)，這條線(xiàn)的規(guī)則就是MOSFET功耗產(chǎn)生的溫升加上25C不能超過(guò)MOSFET的最大結(jié)溫，比如150C。MOSFET的散熱條件對(duì)這條限制線(xiàn)影響很大，因此與溫度相關(guān)的變量，比如熱阻，Tc
2018-07-12 11:34:11
的導(dǎo)通電阻，這個(gè)電阻是MOSFET在最高工作結(jié)溫的RDSON。數(shù)據(jù)表中功率MOSFET的RDSON標(biāo)注有確定的測(cè)試條件，在不同的定義的條件下具有不同的值，測(cè)試的溫度為：TJ=25℃，RDSON具有正
2017-11-15 08:14:38
的參數(shù)，決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所增大。故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計(jì)算。6、VGS(th)：開(kāi)啟電壓（閥值電壓）。當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS
2016-05-23 11:40:20
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)，同時(shí)降低開(kāi)關(guān)損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30產(chǎn)品實(shí)物圖RB520CM-30,RB521CM-30的存儲(chǔ)溫度范圍Tstg均為-40~+150℃，結(jié)溫Tj最高達(dá)到150
2019-04-18 00:16:53
%。這非常有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
的組件。LGA 封裝的低熱阻和高工作效率允許在無(wú)氣流的 70oC 環(huán)境或具 200LFM(每分鐘直線(xiàn)英尺) 氣流的 86oC 環(huán)境中實(shí)現(xiàn)從 12VIN 到 1VOUT的滿(mǎn)輸出功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換。 專(zhuān)為
2021-04-14 07:09:25
、三組具備有自舉二極管的N通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。MCU最高工作頻率可達(dá)96MHz，并內(nèi)置SRAM高速存儲(chǔ)器，.
2021-09-01 07:09:17
納芯微一級(jí)代理商N(yùn)S1716 ESOP-8封裝 內(nèi)置 MOS 管開(kāi)關(guān)降壓型 LED 恒流驅(qū)動(dòng)器
特性
? 寬輸入電壓范圍：8 至 100V
? 高效率：最高可達(dá) 93%
? 輸出電流可調(diào)范圍
2024-10-09 10:23:07
開(kāi)關(guān)損耗，改善系統(tǒng)的整體能效。因此，采用SuperSO8封裝的器件，是直流/直流轉(zhuǎn)換器或D類(lèi)放大器等產(chǎn)品的理想之選。此外，極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）常常允許減小封裝的尺寸。TO-247封裝替換
2018-12-07 10:21:41
P5020 絕對(duì)最高工作溫度
2023-04-20 06:46:16
°c
最高結(jié)溫Tj ：175°c
在結(jié)溫為 125℃、正向電流為 10A 時(shí)，最大正向壓降V F(max)為：0.72V。
特點(diǎn)：具有低功耗、高效率、良好的高溫特性等特點(diǎn)，采用共陰結(jié)構(gòu)，有過(guò)壓保護(hù)環(huán)
2025-08-20 14:53:50
SuperSO-8等名稱(chēng)銷(xiāo)售PQFN器件。 PQFN封裝在底側(cè)有一個(gè)或以上的裸熱焊盤(pán)，如圖1所示。裸焊盤(pán)有助于降低裸片到PCB的熱阻。標(biāo)準(zhǔn)SO-8封裝的結(jié)到引線(xiàn)熱阻通常為20°C/W，而采用IR的PQFN 5×6
2018-09-12 15:14:20
，使LED燈亮度達(dá)到預(yù)期恒定亮度。在EN端加PWM信號(hào)，還可以進(jìn)行LED燈調(diào)光。QX5305A采用ESOP8封裝。二、產(chǎn)品特點(diǎn)?寬輸入電壓范圍：3.6V~60V?高效率：可高達(dá)95%?最高工作頻率
2020-03-05 11:15:54
制作電源原型和生產(chǎn)”中SOIC-8封裝焊接演示。此外，LMR236xx產(chǎn)品系列上的SOIC-8底部有一個(gè)芯片貼裝引腳（DAP）幫助提取熱量。這樣可以獲得更低的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻（THETA J/A），比許多
2019-07-18 04:45:01
我做的是一個(gè)20W的反激電源。片子的供電電壓16V，PWM輸出頻率150KHz?？緳C(jī)后發(fā)現(xiàn)片子溫升有55度。后來(lái)把MOS管去掉，PWM腳接個(gè)10k的電阻，溫升也有40度，測(cè)得工作電流20mA。不知道是我的電路參數(shù)有問(wèn)題，還是SOIC-8封裝的UC2845本身就有這么大的功耗？
2019-07-05 14:15:28
STTH8R06/FFP08H60S快恢復(fù)二極管，電流8A，電壓600V，TO-220封裝?？焖匍_(kāi)關(guān)，低反向恢復(fù)電流，低熱阻，低開(kāi)關(guān)損耗。適用于開(kāi)關(guān)電源及功率因數(shù)校正裝置等應(yīng)用。 快恢復(fù)二極管
2020-09-24 16:03:22
?！ ?4 結(jié) 論 引入了輔助源極管腳成為T(mén)O-247-4封裝的碳化硅MOSFET，避免了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用源極線(xiàn)路，實(shí)現(xiàn)了這兩個(gè)回路的解耦。同時(shí)，TO-247-4封裝的開(kāi)關(guān)器件由于沒(méi)有來(lái)自功率源極造成
2023-02-27 16:14:19
ad8346汽車(chē)級(jí)最高工作環(huán)境溫度是125度，最高結(jié)溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
環(huán)境溫度是65℃，那么MOSFET的結(jié)溫是多就可以計(jì)算出來(lái)了，Tj=Ta+P×Rja=65℃+1.2×62℃/W=139.4℃反過(guò)來(lái)結(jié)溫是不能超150℃，如果最大環(huán)境溫度是65℃，沒(méi)有加散熱器的情況，Rja
2021-09-08 08:42:59
某種 PWB 結(jié)構(gòu)下結(jié)點(diǎn)至周?chē)h(huán)境的熱阻。這就是說(shuō)，設(shè)計(jì)人員只需將這種熱阻乘以功耗，便可計(jì)算出溫升情況。但是，如果設(shè)計(jì)并沒(méi)有具體的結(jié)構(gòu)，或者如果需要進(jìn)一步降低熱阻，那么就會(huì)出現(xiàn)許多問(wèn)題。圖 2 所示為
2017-05-18 16:56:10
和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)最壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及最大的結(jié)
2019-09-04 07:00:00
二極管有最高工作頻率，但數(shù)據(jù)手冊(cè)上為什么都不給出最高工作頻率呢？請(qǐng)問(wèn)從哪可以間接看出來(lái)嗎。
2019-04-25 11:17:13
與管殼到環(huán)境的熱阻Rth(c-a)之間的重要關(guān)系。得到Rth(c-a)后，可以根據(jù)功耗計(jì)算出溫度增量ΔTc。隨后，再由圖8中相應(yīng)的轉(zhuǎn)換因子就能計(jì)算出結(jié)溫。假設(shè)在TO247封裝中，給定的功耗為PD = 50
2018-12-05 09:45:16
實(shí)現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計(jì)。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對(duì)稱(chēng)功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進(jìn)步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)在的消費(fèi)電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。本新聞來(lái)自大聯(lián)大云端`
2013-12-23 11:55:35
MOSFET是否安全工作，這種方法并不正確，特別是在TC=25℃的SOA曲線(xiàn)中進(jìn)行這樣的校核完全沒(méi)有意義。當(dāng)功率MOSFET工作在高頻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，計(jì)算功率MOSFET的總體損耗，由熱阻來(lái)校核結(jié)溫，更有意義
2016-10-31 13:39:12
給定應(yīng)用的第二步。例如，電子元件在汽車(chē)應(yīng)用中比在計(jì)算機(jī)應(yīng)用中經(jīng)受更寬的溫度范圍。因此，汽車(chē)應(yīng)用要求的標(biāo)準(zhǔn)的最高工作溫度是175 °C。本頁(yè)所示的功率MOSFET示例不會(huì)選用于汽車(chē)應(yīng)用。所有
2018-10-18 09:13:03
有些功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中列出了重復(fù)雪崩電流IAR和重復(fù)雪崩能量EAR，同時(shí)標(biāo)注了測(cè)量條件，通常有起始溫度25C，最高結(jié)溫150C或者175C，以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率，這些測(cè)量的條件
2017-09-22 11:44:39
阻，這個(gè)電阻是MOSFET在最高工作結(jié)溫的RDSON。數(shù)據(jù)表中功率MOSFET的RDSON標(biāo)注有確定的測(cè)試條件，在不同的定義的條件下具有不同的值，測(cè)試的溫度為：TJ=25℃，RDSON具有正溫度系數(shù)
2019-04-04 06:30:00
！ 0603側(cè)發(fā)光藍(lán)光貼片LED燈珠產(chǎn)品參數(shù)： 型號(hào) ：0603側(cè)發(fā)光藍(lán)光熱阻： ≤5（°/W） 功率 ：0.06（W）最大允許結(jié)溫： 260（°） 顯色指數(shù) ：70-80封裝形式 ：貼片型
2019-04-26 16:22:16
請(qǐng)問(wèn)一下，在使用中，如果環(huán)境溫度超過(guò)了電路中壓敏電阻的最高工作溫度，會(huì)有什么影響呢？
2013-09-23 13:27:38
請(qǐng)問(wèn)怎么確定可控硅的結(jié)溫？？？超過(guò)結(jié)溫時(shí)會(huì)有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
現(xiàn)在使用一款不帶PowerPAD的SOIC8封裝的單運(yùn)放LM6171，算出結(jié)溫130℃左右，只有20℃的余量。不知PCB大面積鋪銅是否可降低熱阻。鋪銅應(yīng)該連接到哪個(gè)引腳才能最大的降低熱阻？參考OPA2211的PowerPAD連接到了V-，是否應(yīng)該連接到V-？謝謝。
2024-08-12 06:15:56
MOSFET被并聯(lián)使用，其整體熱阻的計(jì)算方法，和計(jì)算兩個(gè)以上并聯(lián)電阻的等效電阻一樣?！ ∥覀兛梢詮?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的ΘJA規(guī)格開(kāi)始。對(duì)于單一管芯、8引腳封裝的MOSFET來(lái)講，ΘJA通常接近于62°C/W。其他類(lèi)型
2021-01-11 16:14:25
大家好， 我對(duì)M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結(jié)溫感興趣。 3級(jí)器件的最高環(huán)境工作溫度為125°C，因此結(jié)溫必須更高。數(shù)據(jù)手冊(cè)中沒(méi)有提到最大結(jié)溫。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境熱阻。 最好的祝福， 托馬斯
2019-08-13 11:08:08
用的電路板可以更加小型化，而且線(xiàn)路安裝設(shè)計(jì)也有了更大的靈活性。另外，由于采用了新開(kāi)發(fā)的低導(dǎo)通電阻芯片，在使封裝小型化的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了與現(xiàn)有SOP8 Dual產(chǎn)品同樣低的導(dǎo)通電阻。ROHM將要逐步大量生產(chǎn)封裝
2018-08-24 16:56:26
，工作結(jié)溫可達(dá)175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶(hù)有效縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期，提高工作效率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">產(chǎn)品特點(diǎn) 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
MOSFET通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度?！ ±硐腴_(kāi)關(guān) 在典型的同步降壓開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET作為開(kāi)關(guān)使用時(shí)
2012-12-06 14:32:55
最大的連續(xù)漏極電流ID的計(jì)算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結(jié)溫TJ下，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻；通常，硅片允許的最大工作結(jié)溫為150℃。熱阻RqJC的測(cè)量可以參見(jiàn)文章：功率
2016-08-15 14:31:59
作為開(kāi)關(guān)模式電源的核心器件，MOSFET在對(duì)電源的優(yōu)化中承擔(dān)著十分重要的角色。采用最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)對(duì)提高工作效率固然必不可少，但封裝技術(shù)本身對(duì)提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換
2018-12-07 10:23:12
SMA產(chǎn)品使用：電流容量大，GPP玻璃鈍化涵蓋1A-2A,Schottky肖特基涵蓋1-5A 4：采用框架焊接式工藝 提供了高可靠性和電流容量大等特性，5：低熱阻低結(jié)溫高抗浪涌設(shè)計(jì)，引線(xiàn)平貼器件底部
2015-11-14 11:11:26
(c-a)后，可以根據(jù)功耗計(jì)算出溫度增量ΔTc。隨后，再由圖8中相應(yīng)的轉(zhuǎn)換因子就能計(jì)算出結(jié)溫。 圖8 TO220、TO220Fullpack和TO247封裝的轉(zhuǎn)換因子與絕緣層熱阻之間關(guān)系3.3計(jì)算舉例
2018-12-03 13:46:13
溫度（Ｔｃ 2）之間的熱阻θｃａ封裝外殼溫度（Ｔｃ）和周?chē)鷾囟龋ǎ裕幔┲g的熱阻Ｔｊ結(jié)溫Ｔａ周?chē)鷾囟龋裕?1封裝外殼表面（型號(hào)面）溫度Ｔｃ 2封裝外殼背面溫度Ｐd最大容許功率結(jié)溫(Tj)的驗(yàn)證方法
2019-09-20 09:05:08
上一個(gè)輸錯(cuò)了型號(hào)，AD8436BRQZ 的datasheet里沒(méi)有最大結(jié)溫
2023-12-05 06:37:12
如題，本人在學(xué)習(xí)華成英老師的模電時(shí)候，看到ppt上的一句話(huà)不太理解，為什么點(diǎn)接觸型PN結(jié)可以從結(jié)電容小，允許的電流小，就會(huì)導(dǎo)致最高工作頻率高？ 電容電流跟最高工作頻率有什么關(guān)系呢？請(qǐng)各位同行和前輩們指點(diǎn)一下唄。
2020-04-12 17:33:56
性和低噪聲特征，超級(jí)結(jié)MOSFET有一些變化。從下篇開(kāi)始，將介紹每種變化的特征。關(guān)鍵要點(diǎn):?Si-MOSFET的產(chǎn)品定位是“以低～中功率高速工作”。?超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)可保持耐壓的同時(shí)，降低導(dǎo)通電阻RDS
2018-11-28 14:28:53
銳駿半導(dǎo)體本周正式發(fā)布兩款全新超低導(dǎo) 通電阻MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產(chǎn)品均采用DFN5060封裝，憑借先進(jìn)
2024-10-14 09:40:16
，LED 結(jié)溫升高也會(huì)造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。本文介紹了如何計(jì)算結(jié)溫，并說(shuō)明熱阻的重要性。 文中探討了較低熱阻 LED 封裝替代方法，如芯片級(jí)和板載 (COB) 設(shè)計(jì)，并介紹
2017-04-10 14:03:41
LED燈具的工作結(jié)溫是產(chǎn)品性能的重要指標(biāo)，工作結(jié)溫直接影響到LED燈具的使用壽命，但目前罔內(nèi)在這方面標(biāo)準(zhǔn)的制玎則相對(duì)落后衛(wèi)章介紹7亞明LED實(shí)驗(yàn)室采用的撿剎方擊廈
2010-08-25 08:52:05
56 采用PowerPAK SC-75封裝的額定電壓8～30V的P通道功率MOSFET
這些p 通道功率 MOSFET 系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件。日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用
2008-08-23 15:08:371627 計(jì)算延時(shí)線(xiàn)的最高工作頻率
摘要：延遲線(xiàn)在應(yīng)用中要求一個(gè)（納秒），或者增量時(shí)間更正為系統(tǒng)正常工作所需的幾納秒信號(hào)延遲。 This application note
2009-10-23 18:30:423552 Diodes發(fā)布采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的產(chǎn)品
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的雙極型晶體三極管產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用Diodes的第五
2010-03-25 11:32:02899 Diodes發(fā)布采用微型PowerDI5表面貼裝封裝的產(chǎn)品
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的雙極型晶體三極管產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用Diodes的第五代
2010-03-25 12:07:251309 LED應(yīng)用于照明除了節(jié)能外,長(zhǎng)壽命也是其十分重要的優(yōu)勢(shì)。目前由于LED 熱性能原因,LED 及其燈具不能達(dá) 到理想的使用壽命;LED 在工作狀態(tài)時(shí)的結(jié)溫直接關(guān)系到其壽命和光效;熱阻則直接
2010-07-29 11:04:395691 
Diodes公司推出采用緊湊PowerDI5封裝的額定12A和15A器件，擴(kuò)展了其專(zhuān)利的超勢(shì)壘整流器(SBR)系列。新器件可用作空間有限的開(kāi)關(guān)模電源設(shè)計(jì)的輸出整流器
2011-03-23 09:23:233178 任何器件在工作時(shí)都有一定的損耗，大部分的損耗變成熱量。小功率器件損耗小，無(wú)需散熱裝置。而大功率器件損耗大，若不采取散熱措施，則管芯的溫 度可達(dá)到或超過(guò)允許的結(jié)溫，器
2011-11-14 18:07:399006 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測(cè)試方法 本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路陶瓷、金屬、塑料封裝結(jié)到外殼熱阻的測(cè)量
2011-11-22 17:39:0470 光電耦合器都是采用DIP-8封裝嗎？業(yè)界經(jīng)常提到DIP-8封裝，請(qǐng)問(wèn)這種封裝方式有何優(yōu)點(diǎn)？
2012-07-11 10:53:211440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED結(jié)溫預(yù)算軟件_測(cè)試貼片熱阻小軟件.exe》資料免費(fèi)下載
2013-03-06 16:58:037 IGBT模塊用低熱阻陶瓷覆銅板的制作研究
2017-02-28 23:12:573 本文介紹了如何計(jì)算結(jié)溫，并說(shuō)明熱阻的重要性。 文中探討了較低熱阻 LED 封裝替代方法，如芯片級(jí)和板載 （COB） 設(shè)計(jì)，并介紹了影響散熱器性能的因素。
2017-05-08 09:57:478 本文介紹了如何計(jì)算結(jié)溫，并說(shuō)明熱阻的重要性。文中探討了較低熱阻LED封裝替代方法，如芯片級(jí)和板載（COB）設(shè)計(jì)，并介紹了影響散熱器性能的因素。
2017-09-18 19:32:4611 Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今日宣布推出了高溫SCR（硅控整流器）晶閘管——同類(lèi)首款結(jié)溫高達(dá)150°C，采用緊湊型表面安裝式D-PAK （TO-252）封裝
2017-10-26 10:04:539793 通過(guò)對(duì)不同驅(qū)動(dòng)電流下各種顏色LED 結(jié)溫和熱阻測(cè)量， 發(fā)現(xiàn)各種顏色LED 的熱阻值均隨驅(qū)動(dòng)電流的增加而變大， 其中基于InGaN 材料的藍(lán)光和白光LED 工作在小于額定電流下時(shí)， 熱阻上升迅速
2017-11-13 15:08:394 關(guān)于PN結(jié)溫度的測(cè)量，以往在半導(dǎo)體器件應(yīng)用端測(cè)算結(jié)溫的大多是采用熱阻法，但這種方法對(duì)LED 器件是有局限性的，并且以往很多情況下被錯(cuò)誤地應(yīng)用。
2018-06-05 10:36:2213926 
DC/DC 控制器產(chǎn)生正或負(fù)的穩(wěn)定電壓而最高結(jié)溫為 -55°C 至 150°C
2021-03-18 20:13:485 反激式控制器在 -55oC 至 150oC 的結(jié)溫范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:22:400 36V、3.5A、2.4MHz 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器僅需 75uA 靜態(tài)電流并可在 150oC 的最高結(jié)溫條件下工作
2021-03-19 08:02:384 適用于升壓、降壓或降壓-升壓型大電流 LED 應(yīng)用的45V、1.5A LED 驅(qū)動(dòng)器提供 150°C 最高結(jié)溫
2021-03-19 08:41:436 相位調(diào)制的全橋式控制器可在 -40°C 至 150°C 結(jié)溫范圍內(nèi)工作
2021-03-19 08:57:141 LTC1772H - 采用 ThinSOT 封裝的 550kHz、電流模式降壓型 DC/DC 控制器能提供 140oC 最高結(jié)溫
2021-03-20 16:11:073 結(jié)溫高達(dá) 140oC 仍保證工作的多相 DC/DC 控制器
2021-03-20 16:23:235 大功率 Polyphase? 同步升壓型控制器具 -55°C 至 150°C 的工作結(jié)溫范圍
2021-03-21 14:25:220 可得到等式3：
?
LED正向電壓和熱阻都是LED封裝的特性。顯然，在不同的環(huán)境溫度下，LED電流是唯一的控制參數(shù)，其可驗(yàn)證LED結(jié)溫是否符合最大規(guī)格。
為了改變通過(guò)LED的電流，您需要將環(huán)境溫度測(cè)量
2021-12-23 17:28:442990 
拿一款MiniSKiiP系列的 35NAB12T4V1的CIB模塊來(lái)舉例。模塊內(nèi)部包含了三相不可控整流橋，制動(dòng)單元和兩電平三相逆變橋，每個(gè)IGBT包括Brake IGBT電壓是1200V，電流是50A，最高結(jié)溫175°C，運(yùn)行結(jié)溫150°C。
2022-06-07 10:56:268478 系列產(chǎn)品，其貼裝面積減半（與京瓷已有產(chǎn)品相比），低熱阻化實(shí)現(xiàn)大電流，可減少元器件的數(shù)量，有助于所搭載的電子裝置小型化。 特點(diǎn) 小型大電流的實(shí)現(xiàn)： 用小型封裝搭載10A級(jí)別 低熱阻化： 通過(guò)背部設(shè)計(jì)的框架實(shí)現(xiàn)高散熱 減少元器件數(shù)量： 小型大電流和低熱阻化使減
2022-08-19 09:14:281575 重復(fù) UIS/短路條件下的 MOSFET 瞬態(tài)結(jié)溫
2022-11-14 21:08:061 英飛凌IGBT模塊開(kāi)關(guān)狀態(tài)下最高工作結(jié)溫一般是150度，而IGBT7短時(shí)過(guò)載情況下的最高工作結(jié)溫可達(dá)175度。
2023-02-06 14:30:242044 
半導(dǎo)體的可靠性由結(jié)溫決定，結(jié)溫又取決于幾個(gè)因素，包括器件功耗、封裝熱阻、印刷電路板（PCB）布局、散熱器接口和環(huán)境工作溫度。
2023-02-23 14:18:345905 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的溫度特性進(jìn)行了分析， 闡述了本征載流子濃度、 載流子遷移率等參 數(shù)受溫度的影響機(jī)理， 分析了器件阻斷特性、 輸出特性、 轉(zhuǎn)移特性等參量， 以便找到能夠表征結(jié) 溫特性
2023-04-15 10:03:067735 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)摩托車(chē)、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶(hù)得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:523619 
上百度搜索答案了？我在百度百科以及維基百科搜索出結(jié)溫的解釋大概是這樣的：晶體管結(jié)溫，簡(jiǎn)稱(chēng)結(jié)溫，是指半導(dǎo)體芯片內(nèi)的最高工作溫度，通常芯片的結(jié)溫會(huì)比芯片的外殼高。。。原
2022-05-24 15:05:136571 
通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證且可承受的接面溫度高達(dá)175°C，強(qiáng)茂P溝道MOSFET是汽車(chē)設(shè)計(jì)工程師理想的選擇，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:451311 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN1165-LFPAK56/PowerDI5060兼容封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 15:19:470 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專(zhuān)用 MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:101794 為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:461903 新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件產(chǎn)品線(xiàn)現(xiàn)擴(kuò)充ThinTOLL8x8封裝
2025-07-08 17:08:311021 ，提高了產(chǎn)品的可靠性。 產(chǎn)品特點(diǎn) 1、采用先進(jìn)工藝技術(shù), 內(nèi)阻低，開(kāi)關(guān)特性?xún)?yōu)； 2、采用PDFN5060、TO-252、SOP8等封裝，適用于車(chē)載大功率應(yīng)用； 3、工作結(jié)溫 Tj(max) = 175
2025-08-13 17:57:012747 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動(dòng)泵、LED前照燈等應(yīng)用的車(chē)載低耐壓（40V/60V）MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產(chǎn)品。
2026-01-04 15:10:42186 
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