就基本的 SSD 存儲(chǔ)單元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受歡迎的，不過，QLC 最終將取代它們。在 I/O 方面，有 SATA 和 NVMe。
2022-08-26 16:41:35
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在芯片設(shè)計(jì)時(shí)，通常需要用到各種類型的存儲(chǔ)單元，用以臨時(shí)或者永久地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。根據(jù)應(yīng)用場合的不同，所用到的存儲(chǔ)單元也不同。本文對(duì)常見的幾個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行了介紹，并簡述了其工作原理和特點(diǎn)。需要特別
2022-12-02 17:36:241953 
或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。 存儲(chǔ)單元 的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。 按照存儲(chǔ)單元的工作原理，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2018-06-18 19:24:118240 
74hc259的datasheet中有四種工作模式，具體是怎么個(gè)情況看不大明白，求助大家。下圖為其真值表，
2014-07-15 13:00:48
FPGA 設(shè)計(jì)的四種常用思想與技巧FPGA設(shè)計(jì)的四種常用思想與技巧 討論的四種常用FPGA/CPLD設(shè)計(jì)思想與技巧：乒乓操作、串并轉(zhuǎn)換、流水線操作、數(shù)據(jù)接口同步化，都是FPGA/CPLD 邏輯設(shè)計(jì)
2012-08-11 10:30:55
本文討論的四種常用FPGA/CPLD設(shè)計(jì)思想與技巧：乒乓操作、串并轉(zhuǎn)換、流水線操作、數(shù)據(jù)接口同步化，都是FPGA/CPLD邏輯設(shè)計(jì)的內(nèi)在規(guī)律的體現(xiàn)，合理地采用這些設(shè)計(jì)思想能在FPGA/CPLD
2011-10-20 09:12:36
FPGA設(shè)計(jì)的四種常用思想與技巧
2012-08-20 17:16:35
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四種常用FPGA/CPLD設(shè)計(jì)思想與技巧：乒乓操作、串并轉(zhuǎn)換、流水線操作、數(shù)據(jù)接口同步化，都是FPGA/CPLD邏輯設(shè)計(jì)的內(nèi)在規(guī)律的體現(xiàn)，合理地采用這些設(shè)計(jì)思想能在FPGA/CPLD設(shè)計(jì)工作種取得
2010-11-01 13:17:36
外部sram每一次上電之后存儲(chǔ)單元的值是不確定的，如何對(duì)外部sram進(jìn)行初始化操作，讓它們的初始值都為0，如果這樣的話，是不是應(yīng)該先對(duì)所有的存儲(chǔ)單元進(jìn)行寫0操作，不知道大家還有什么方法沒有
2016-10-27 11:26:26
本帖最后由 elecfans電子發(fā)燒友 于 2018-1-2 21:02 編輯
自己動(dòng)手搭建電路可以發(fā)現(xiàn)許多有趣的東西。今天為大家?guī)淼氖恰办o態(tài)存儲(chǔ)單元”及其“寫控制電路”的搭建。 “靜態(tài)
2017-01-08 12:11:06
和FPGA 引腳之間增設(shè)幾個(gè) AND 門，就能給圖 4 中的電路添加受監(jiān)視的排序功能。在該例中，PS2 僅在PS1超過其終值的90% 的情況下使能。這種方法可提供一種低成本、受監(jiān)視的排序解決方案。方法四
2019-09-17 14:22:00
四種主要的負(fù)電源軌生成方案如何選擇
2021-03-11 06:00:41
`這四種有什么區(qū)別？他們的工作原理分別是什么？求大牛們解答`
2015-07-09 17:47:20
本文討論的四種常用FPGA/CPLD設(shè)計(jì)思想與技巧：乒乓操作、串并轉(zhuǎn)換、流水線操作、數(shù)據(jù)接口同步化，都是FPGA/CPLD邏輯設(shè)計(jì)的內(nèi)在規(guī)律的體現(xiàn)，合理地采用這些設(shè)計(jì)思想能在FPGA/CPLD
2016-05-20 15:10:10
/u/97edd21e88 本文討論的四種常用FPGA/CPLD設(shè)計(jì)思想與技巧：乒乓操作、串并轉(zhuǎn)換、流水線操作、數(shù)據(jù)接口同步化，都是FPGA/CPLD 邏輯設(shè)計(jì)的內(nèi)在規(guī)律的體現(xiàn)，合理地采用這些設(shè)計(jì)思想
2019-07-03 08:30:00
，上述電路制成為了芯片，以容易集成調(diào)用。典型的有基于1.1和2.1節(jié)所述開關(guān)電路原理的國產(chǎn)的CD4066和TI的SN74HC4066，提供了四組高使能開關(guān)，相互獨(dú)立同時(shí)冗余設(shè)計(jì)。 本文介紹了四種常用
2016-08-30 01:01:44
四種常用的FPGA設(shè)計(jì)思想與技巧
2017-11-05 15:03:29
詳細(xì)介紹了電場耦合 電磁感應(yīng) 磁共振無線電波 這四種方式
2016-07-28 11:12:08
四種波形發(fā)生器
2020-03-11 08:14:27
存儲(chǔ)位元與存儲(chǔ)單元是什么含義？數(shù)據(jù)通信的方式可以分為哪幾種呢？
2022-01-21 07:17:58
設(shè)存儲(chǔ)器讀/寫周期為 0.5us， CPU在1us內(nèi)至少要訪問一次。試問采用哪種刷新方式比較合理？ 兩次刷新的最大時(shí)間間隔是多少？ 對(duì)全部存儲(chǔ)單元刷新遍所需的實(shí)際刷新時(shí)間是多少？
2021-10-26 07:05:19
1.(判斷題)DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。(4分) A.正確B.錯(cuò)誤 FLASH可保存 上電后不知道是啥2.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號(hào)的碼間
2021-07-22 08:57:49
判斷題：DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1
2017-08-23 09:29:31
IO口的四種使用方法高阻態(tài)的典型應(yīng)用
2021-01-12 07:16:33
IO口的四種使用方法高阻態(tài)的典型應(yīng)用
2021-02-02 06:58:58
IO口的四種使用方法高阻態(tài)的典型應(yīng)用
2021-02-19 07:23:09
方式邊界對(duì)齊的數(shù)據(jù)存放方法主存的基本結(jié)構(gòu)和工作過程存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器 SRAM靜態(tài)MOS存儲(chǔ)單元靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)器 DRAM四管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)元的工作原理
2021-07-28 07:59:20
ModBus四種數(shù)據(jù)DI/DO/AI/AO是什么？
2021-11-02 07:14:17
Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)，此處還是用圖來解釋，比較容易理解：圖2.Nand Flash物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)[url=][img=1,0
2018-06-12 10:10:18
PADS中有四種庫（暫且論是四種），元器件封裝庫（Decals），元件類型（Part Type），和邏輯封裝庫（CAE），圖形庫（Lines）。簡明點(diǎn)說他們的關(guān)系，CAE是用在畫原理圖時(shí)候用
2015-03-06 10:35:50
請(qǐng)教Arm專家大俠: SOC內(nèi)SRAM各存儲(chǔ)單元, 其“每次上電冷啟動(dòng)后、還未寫入應(yīng)用數(shù)據(jù)前的初始狀態(tài)數(shù)據(jù)”是否是由其硬件電路保證總是一樣的（全0或全1）？不會(huì)隨機(jī)變化（有時(shí)為0有時(shí)為1）? 能否從硬件原理角度簡單說明下? 謝謝。
2022-08-19 15:37:40
聲明：本篇文章面向在已對(duì)SPI的四種時(shí)序有所了解的人我們采用SPI3模式以及將FPGA作從機(jī)，STM32作主機(jī)的方式講解，在STM32控制部分采用的是半雙工模式，但其實(shí)半雙工與全雙工區(qū)別不大，稍加
2022-02-09 06:18:21
STM32芯片的GPIO一共有8種配置模式，對(duì)8種模式的理解如下1.四種輸入模式上拉輸入：在默認(rèn)狀態(tài)下，讀取的GPIO引腳為高電平下拉輸入：在默認(rèn)狀態(tài)下，讀取的GPIO引腳為低電平浮空輸入：配置成
2019-05-21 07:55:20
STM8定時(shí)器1的四種觸發(fā)同步是什么？
2021-11-24 07:19:46
niosii編譯提示on-chip menmory 存儲(chǔ)單元不夠,怎么解決?
2015-01-18 09:31:43
與你分享濾波器分哪四種？濾波器分為低通、高通、帶通和帶阻濾波器四種：1、低通濾波器；允許信號(hào)中的低頻或直流分量通過；抑制高頻分量或干擾和噪聲。2、高通濾波器；允許信號(hào)中的高頻分量通過；抑制低頻或直流
2014-04-29 10:38:45
你好任何人都可以解釋為什么四種 DDR 驗(yàn)證 BIST 測試類型無法執(zhí)行并且顏色編碼指示“…………測試腳本中的錯(cuò)誤”？我能夠成功執(zhí)行 DDR 驗(yàn)證階段和其他四種 DDR 驗(yàn)證測試類型（DMA 測試
2023-04-06 08:54:58
主存中存儲(chǔ)單元地址是如何進(jìn)行分配的？存儲(chǔ)芯片的容量有多大？
2021-10-19 08:25:52
4.2.1.主存中存儲(chǔ)單元地址的分配：存儲(chǔ)字長：存儲(chǔ)器中一個(gè)存儲(chǔ)單元(存儲(chǔ)地址)所存儲(chǔ)的二進(jìn)制代碼的位數(shù)，即存儲(chǔ)器中的MDR的位數(shù)。字(word) : 若干個(gè)字節(jié)組成一一個(gè)”字” ( word)。一
2021-07-28 06:43:06
1、AUTOSAR的四種功能安全機(jī)制雖然AUTOSAR不是一個(gè)完整的安全解決方案，但它提供了一些安全機(jī)制用于支持安全關(guān)鍵系統(tǒng)的開發(fā)。本文用于介紹AUTOSAR支持的四種功能安全機(jī)制：內(nèi)存分區(qū)
2022-06-10 17:33:39
單片機(jī)四種輸入模式 MCU輸入模式有浮空、上拉、下拉、模擬輸入這四種模式，如果采用上拉或者下拉模式輸入，豈不是把真實(shí)的信號(hào)強(qiáng)行變成電源VCC或者GND了？這四種模式分別在什么場合下使用？這個(gè)對(duì)于嵌入式軟件工程師來說很重要
2021-08-24 16:19:27
單片機(jī)最常用的四種燒寫方式是什么？
2021-09-27 07:53:43
變頻器主要支持四種模式：無PG的V/F模式，有PG的V/F模式，無PG的矢量控制模式，有PG的矢量模式。 PG 是指旋轉(zhuǎn)編碼器。這四種控制模式主要的技術(shù)指標(biāo)如下表所示。控制模式無PG VF控制有PG
2021-09-03 06:57:46
HDL協(xié)同仿真速度較慢，但它卻提高了HDL代碼的可見性。因此，它很適合針對(duì)FPGA在環(huán)仿真過程中發(fā)現(xiàn)的問題區(qū)域進(jìn)行更詳細(xì)的分析。本文小結(jié)如果工程師遵循本文所述的四種最佳方法，開發(fā)FPGA原型將比傳統(tǒng)
2020-05-04 07:00:00
在分析傳統(tǒng)SRAM存儲(chǔ)單元工作原理的基礎(chǔ)上,采用VTC蝴蝶曲線,字線電壓驅(qū)動(dòng),位線電壓驅(qū)動(dòng)和N曲線方法衡量了其靜態(tài)噪聲容限。 在這種背景下,分析研究了前人提出的多種單元優(yōu)化方法。這些設(shè)計(jì)方法,大部分
2020-04-01 14:32:04
大數(shù)據(jù)所帶來的四種思維方式的轉(zhuǎn)變
2019-08-12 11:37:02
四種常用FPGA/CPLD設(shè)計(jì)思想與技巧：乒乓操作、串并轉(zhuǎn)換、流水線操作、數(shù)據(jù)接口同步化，都是FPGA/CPLD邏輯設(shè)計(jì)的內(nèi)在規(guī)律的體現(xiàn)，合理地采用這些設(shè)計(jì)思想能在FPGA/CPLD設(shè)計(jì)工作種取得
2020-05-01 07:00:00
你好如何在不使用DDR內(nèi)存控制器的情況下設(shè)計(jì)FPGA BRAM（或任何其他內(nèi)存模塊_SD，DDR以外的本地等）大容量存儲(chǔ)單元？當(dāng)我通過示例設(shè)計(jì)“VC707_bist”替換DRAM控制器和BRAM
2019-04-04 15:10:55
怎么把單片機(jī)存儲(chǔ)單元清0或置1?
2023-10-16 07:59:42
在multisim中我已經(jīng)通過滯回電壓比較器，積分電路，濾波，及cmos反相器分別形成了方波，三角波，正玹波及矩形波，那么我現(xiàn)在要通過一種方式將這四種波形可以四選一？
2020-05-16 22:22:56
未來10年全球移動(dòng)業(yè)務(wù)將快速增長，本文分析了推動(dòng)移動(dòng)業(yè)務(wù)增長背后的原因，提出通過技術(shù)演進(jìn)、增加IMT頻譜、提高網(wǎng)絡(luò)密度和加大業(yè)務(wù)分流四種途徑解決未來巨大的網(wǎng)絡(luò)壓力。綜合使用這四種手段才能滿足未來移動(dòng)業(yè)務(wù)的需求。
2019-06-17 07:37:22
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
為滿足成本、功耗和制造工藝的需求，我們提出如下四種發(fā)送電路架構(gòu)：極性反饋（Polar Feedback）“Lite”、極性反饋、極性開環(huán)、直接調(diào)制（零差）。
2019-08-22 06:54:37
無線充電的起因無線充電的“歷史”無線充電的四種方式及比較無線充電系統(tǒng)的元件和開發(fā)工具推薦
2021-01-27 07:06:05
數(shù)模題目：圖像去噪中幾類稀疏變換的矩陣表示求幫助離散余弦變換，離散小波變換，主成分分析 和奇異值分解這四種的MATLAB編程程序
2015-05-15 18:34:34
SQL的四種連接-左外連接、右外連接、內(nèi)連接、全連接
2020-03-20 11:18:14
藍(lán)橋杯單片機(jī)組簡易問題與代碼（5）今日問題：獨(dú)立鍵盤的四種使用方式程序僅供參考，鼓勵(lì)大家獨(dú)立完成#include #define uint unsigned int#define uchar
2022-01-12 06:54:43
mathlib_c66x_3_0_1_1：請(qǐng)問大神們，MATHLIB的庫函數(shù)為什么每個(gè)都有四種？比如說單精度的Atansp就有這四種：（1）floatatansp(float a)（2
2018-07-24 07:39:17
對(duì)第一代開關(guān)電流存儲(chǔ)單元產(chǎn)生的時(shí)鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設(shè)計(jì)了一種高性能開關(guān)電流存儲(chǔ)單元。該電路僅在原存儲(chǔ)單元的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)MOS管，使誤差降為原來的4%，
2010-07-05 14:50:48
22 低電壓甲乙類開關(guān)電流存儲(chǔ)單元
引言 開關(guān)電流存儲(chǔ)單元是電流模式采樣數(shù)據(jù)信號(hào)處理系統(tǒng)的基本單元電路，其性能的優(yōu)
2007-08-15 16:06:29563 三態(tài)MOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元電路
2009-10-10 18:45:491213 
熔絲型PROM的存儲(chǔ)單元
2009-12-04 12:25:262228 
使用FAMOS管的存儲(chǔ)單元
2009-12-04 12:27:29875 
E2PROM的存儲(chǔ)單元
2009-12-04 13:03:571468 E2PROM存儲(chǔ)單元的三種工作狀態(tài)
2009-12-04 13:04:451334 六管NMOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元
2009-12-04 15:30:036567 四管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元
2009-12-04 16:34:142284 單管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元
2009-12-04 16:50:243757 應(yīng)用于超低電壓下的SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)_劉冰燕
2017-01-07 21:39:440 使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 。O工P存儲(chǔ)器的種類很多，很多是基于熔絲和反熔絲，本文介紹的O工P存儲(chǔ)器基于反熔絲結(jié)構(gòu)。在反熔絲O工P存儲(chǔ)器中，通過對(duì)選中單元的編程改變了存儲(chǔ)單元內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。理想的讀機(jī)制下，沒有編程的存儲(chǔ)單元讀取時(shí)會(huì)讀出0，而通過編程的存儲(chǔ)單元在讀取時(shí)會(huì)讀出1。反
2017-11-07 11:45:2111 RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間
2017-11-15 13:44:0111040 東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 FPGA的邏輯是通過向內(nèi)部靜態(tài)存儲(chǔ)單元加載編程數(shù)據(jù)來實(shí)現(xiàn)的，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元中的值決定了邏輯單元的邏輯功能以及各模塊之間或模塊與I/O間的聯(lián)接方式，并最終決定了FPGA所能實(shí)現(xiàn)的功能，FPGA允許無限次的編程。
2019-11-12 07:09:001386 順序存儲(chǔ)方法： 該方法把邏輯上相鄰的結(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)在物理位置上相鄰的存儲(chǔ)單元里，結(jié)點(diǎn)間的邏輯關(guān)系由存儲(chǔ)單元的鄰接關(guān)系來體現(xiàn)。
2019-10-27 12:31:0043885 
鎧俠株式會(huì)社(Kioxia Corporation)宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲(chǔ)存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲(chǔ)單元的柵電極分割為半圓形來縮小單元尺寸以實(shí)現(xiàn)高集成化。
2019-12-24 17:01:223210 存儲(chǔ)單元的作用：可以進(jìn)行讀寫操作以及存放數(shù)據(jù)。
2020-03-22 17:34:004034 靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元陣列將會(huì)占去整個(gè)存儲(chǔ)器芯片面積的一半以上，在一些
2020-05-14 09:19:473282 
個(gè)名為Row Hammer的頑固安全漏洞。 Spin Memory的垂直環(huán)繞柵晶體管可以縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元。 Spin Memory將設(shè)備稱為通用選擇器（Universal
2020-09-04 16:10:132090 按照數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲(chǔ)單元分為兩種：靜態(tài)存儲(chǔ)單元一靜態(tài)RAM（SRAM）;動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）。 1.靜態(tài)存儲(chǔ)單元（SRAM）：它由電源來維持信息，如觸發(fā)器，寄存器
2020-12-02 14:31:302182 
該方法把邏輯上相鄰的結(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)在物理位置上相鄰的存儲(chǔ)單元里，結(jié)點(diǎn)間的邏輯關(guān)系由存儲(chǔ)單元的鄰接關(guān)系來體現(xiàn)。
2020-12-02 10:17:5535091 數(shù)據(jù)必須首先在計(jì)算機(jī)內(nèi)被表示，然后才能被計(jì)算機(jī)處理。計(jì)算機(jī)表示數(shù)據(jù)的部件主要是存儲(chǔ)設(shè)備；而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的具體單位是存儲(chǔ)單元；因此，了解存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269 采用HSPICE分別對(duì)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元、延遲單元和積分器電路進(jìn)行了仿真，晶體管模型選用TSMC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V；輸入電流iin=40μA，信號(hào)頻率fin=100 kHz
2021-02-18 10:06:391450 
OCE28V256X是一種單電壓（3.3V）、異步、rad-hard 32kbit x8內(nèi)存設(shè)備，使用抗-基于保險(xiǎn)絲的一次性可編程（OTP）存儲(chǔ)單元。采用了標(biāo)準(zhǔn)的1 30nm CMOS工藝用于
2022-06-08 11:22:481 閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)又稱閃存(Flash)，是一種非易失性存儲(chǔ)器,用存儲(chǔ)單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場效應(yīng)管(見圖5-80)是Flash存儲(chǔ)單元采用的主要技術(shù)。
2022-08-08 15:46:001076 憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱為阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
2023-07-12 11:10:53355 
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