單片機(jī)（MicrocontrollerUnit，MCU）是一種集成電路芯片，它包含了中央處理器（CPU）、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）、MCP2515-I/ST只讀存儲(chǔ)器（ROM）、輸入輸出端口
2024-03-13 14:21:43
171 
我有個(gè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴(kuò)了一片鐵電存儲(chǔ)器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲(chǔ)器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
：基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上電時(shí)重新加載。這類(lèi)FPGA具有較高的靈活性，但功耗較高。
Flash-based FPGA ：基于閃存的FPGA，其配置可以在斷電后保持。這類(lèi)
2024-01-26 10:09:17
ROM（Read-Only Memory）是只讀存儲(chǔ)器，而RAM（Random Access Memory）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它們?cè)谟?jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著不同的角色和功能。 ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器
2024-01-25 10:46:28611 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358 鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫(xiě)入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51517 
當(dāng)電源斷開(kāi)時(shí)，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會(huì)丟失。這是因?yàn)镽AM是一種易失性存儲(chǔ)器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來(lái)維持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。在斷電時(shí)，RAM中的電荷會(huì)逐漸耗盡，導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19843 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
隨著人們對(duì)計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器的種類(lèi)也越來(lái)越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲(chǔ)器。RAM可以分為兩種類(lèi)型，一種
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03211 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)的名稱(chēng)源自 CPU 訪問(wèn)它的方式，CPU對(duì)其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔?，而不是遵循?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位之間的訪問(wèn)時(shí)間。
2024-01-06 17:51:33158 
DRAM芯片全稱(chēng)是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是一種隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM），與CPU直接交換數(shù)據(jù)，可隨時(shí)讀寫(xiě)且速度快，斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)丟失，是易失性存儲(chǔ)器，也就是俗稱(chēng)的“內(nèi)存”。
2023-12-26 12:25:561003 
東芝不僅是家電巨頭、消費(fèi)電子巨頭，還曾經(jīng)是全球最大的半導(dǎo)體制造商之一。1985年，東芝率先研發(fā)出1M容量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。到了次年，東芝1M DRAM月產(chǎn)能超過(guò)100萬(wàn)片，包括東芝在內(nèi)的日本廠商在 DRAM市場(chǎng)的份額則超過(guò)80%。
2023-12-21 16:19:48267 
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，力成為合作項(xiàng)目提供必要的2.5D和3D先進(jìn)封裝服務(wù)，涵蓋Chip on Wafer、凸塊加工以及矽穿孔技術(shù)等多個(gè)環(huán)節(jié)，并優(yōu)先推薦華邦電的矽中介層和其他尖端產(chǎn)品，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （DRAM） 和快閃存儲(chǔ)器 （Flash） 等進(jìn)行配合
2023-12-21 10:29:45151 從存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)來(lái)看，兩大類(lèi)別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 其中，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）依靠改變電阻水平來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項(xiàng)研究詳細(xì)介紹了清華大學(xué)李原領(lǐng)導(dǎo)的研究小組的工作，他們開(kāi)創(chuàng)了一種制造超分子憶阻器的方法，而憶阻器是構(gòu)建納米隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的關(guān)鍵部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
如果按照資料里的：0x1419 0x0000 準(zhǔn)備從存儲(chǔ)器位置0x19讀取數(shù)據(jù)。
0x2000 0x0100 準(zhǔn)備從控制寄存器讀取數(shù)據(jù)。SDO輸出16位字，其中最后10位包含存儲(chǔ)器位置0x19的內(nèi)容
2023-12-06 06:04:03
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，有兩種主要的類(lèi)型：隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，提供非易失性存儲(chǔ)。
2023-12-05 10:09:56303 DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器，今天主要講述一下DDR4在Layout過(guò)程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過(guò)程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101474 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
明渠流量計(jì)廣泛應(yīng)用于城市供水引水渠、火電廠冷卻水引水和排水渠、污水治理流入等流量的測(cè)量。智能明渠流量計(jì)系統(tǒng)的測(cè)量是通過(guò)旋槳式流速傳感器來(lái)測(cè)量流速；通過(guò)壓力傳感器測(cè)量水位；采用鐵電存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的非
2023-11-27 10:17:05
功能描述：CY7C1470BV25、CY7C1472BV25和CY7C1474BV25是2.5V 2M x 36/4M x 18/1M x 72同步流水線容發(fā)無(wú)總線延遲的SRAM(NoBL)邏輯
2023-11-24 16:10:46
電表作為一個(gè)計(jì)量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測(cè)芯片的精度有關(guān)，而且與其存儲(chǔ)方式有關(guān)，如果檢測(cè)到的電量數(shù)據(jù)不能隨機(jī)寫(xiě)入存儲(chǔ)器或?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器過(guò)程出錯(cuò)電表的精度就會(huì)大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱(chēng)為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257 
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來(lái)分類(lèi)，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 資源創(chuàng)建各種不同的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。IP可用來(lái)創(chuàng)建只讀存儲(chǔ)器 (ROM)、單端口隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM) 和簡(jiǎn)單
2023-11-17 17:00:30687 
20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類(lèi)。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡(jiǎn)稱(chēng) Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根據(jù)貿(mào)易部周二公布的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)芯片出口同比增長(zhǎng)1%，較9月份下滑了18%。多芯片封裝產(chǎn)品引領(lǐng)了反彈，增長(zhǎng)了12.2%，而利潤(rùn)豐厚的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的銷(xiāo)售額首次收窄至個(gè)位數(shù)。
2023-11-15 17:37:26719 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類(lèi) 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
美國(guó)消費(fèi)者新聞與商業(yè)頻道分析，這意味存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)可能觸底回升。按這家媒體說(shuō)法，三星電子是全球最大的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片制造商。這家企業(yè)生產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)和電腦等設(shè)備。
2023-11-02 16:57:57530 大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。?？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明，各位高手有誰(shuí)知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類(lèi)以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34816 對(duì)于做快速存儲(chǔ)采集數(shù)據(jù)類(lèi)產(chǎn)品的用戶來(lái)說(shuō)，在處理突發(fā)掉電情況時(shí)需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲(chǔ)器(FRAM) 就是個(gè)很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫(xiě)入速度
2023-10-19 09:28:15
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫(xiě)入耐久度PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
相同點(diǎn)？
感覺(jué)6116數(shù)據(jù)的存取很簡(jiǎn)單呀？設(shè)置成“寫(xiě)入”狀態(tài)，在地址端0001-0101依次輸入數(shù)據(jù)0001，0010，0011，0100，0101后，把存儲(chǔ)器設(shè)置成“讀出”狀態(tài)就可以看到輸出端
2023-10-07 08:39:25
CH32X035的存儲(chǔ)器分配
可供用戶使用的存儲(chǔ)器有程序最大 62K 字節(jié)的程序閃存存儲(chǔ)區(qū)(CodeFlash)和256 字節(jié)用于用戶選擇字存儲(chǔ)區(qū)
由于不想占用程序閃存存儲(chǔ)區(qū)就研究了一下用戶選擇
2023-09-30 18:11:10
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、定時(shí)器以及并行接口等。微處理器執(zhí)行存放在程序存儲(chǔ)器中的各種保護(hù)程序，對(duì)由數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)輸入到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理，以完成各種繼電器保護(hù)的功能。 3、數(shù)字量輸入/輸出接口 即開(kāi)關(guān)量輸入/輸出
2023-09-22 16:34:33545 
CW32F030x6/x8 是基于 eFlash 的單芯片微控制器，集成了主頻高達(dá) 64MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲(chǔ)器（多至 64K 字節(jié) FLASH 和多至
2023-09-14 07:19:09
CW32F030x6/x8是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核
主頻率高達(dá)64MHz，高速嵌入式存儲(chǔ)器（高達(dá)64K字節(jié)的FLASH和高達(dá)
8K字節(jié)
2023-09-14 07:03:34
Processing Unit，CPU）、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Random Access Memory，RAM）、Flash存儲(chǔ)器以及其他周邊設(shè)備。本文將介紹STM32 MCU的技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用前景。
2023-09-13 17:18:28963 )都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲(chǔ)器->存儲(chǔ)器外設(shè)->存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
STM32G431x6/x8/xB器件基于高性能ARM?Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核。
它們的工作頻率高達(dá)170兆赫。
Cortex-M4內(nèi)核采用單精度浮點(diǎn)單元(FPU)，支持所有ARM
2023-09-13 06:03:29
微控制器的處理器類(lèi)型根據(jù)不同的應(yīng)用而有所不同?？晒┻x擇的范圍從簡(jiǎn)單的4位、8位或16位處理器到更復(fù)雜的32位或64位處理器。微控制器還可以使用不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器，包括易失性存儲(chǔ)器，如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2023-09-07 15:54:332181 或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí)，只有這類(lèi)內(nèi)存才能夠可靠而無(wú)延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲(chǔ)器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件，無(wú)論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
我們知道除了只讀存儲(chǔ)器外還有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，這一篇將介紹另一種 存儲(chǔ)類(lèi)IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （Random Access Memory），是一個(gè)易失性存儲(chǔ)器，斷電丟失。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫(xiě)入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071660 
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
和“讀寫(xiě)”段，前者包含代碼和只讀數(shù)據(jù)，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)數(shù)據(jù)。
通常，“只讀”段被放在只讀存儲(chǔ)器中，而“讀寫(xiě)”段在開(kāi)始執(zhí)行之前從只讀存儲(chǔ)器復(fù)制到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
2023-08-24 08:23:51
樣機(jī)卻不能保存經(jīng)過(guò)修改后的參數(shù)。
2、經(jīng)過(guò)排查程序后，我們?cè)诔绦蛑性O(shè)置ISPCON的APUEN位為1后，3臺(tái)樣機(jī)均能正確保存經(jīng)過(guò)修改后的參數(shù)。
所以在此想問(wèn)一問(wèn)，這個(gè)是不是NANO100芯片內(nèi)部的BUG呢? 為何在沒(méi)有設(shè)置ISPCON的APUEN位為1的情況下也能擦出和并寫(xiě)入FLASH存儲(chǔ)器呢？
2023-08-24 08:20:58
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
鐵電存儲(chǔ)器被用于醫(yī)療病人治療是生命監(jiān)護(hù)儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護(hù)儀存儲(chǔ)著病人預(yù)先記錄的基準(zhǔn)信息，可以和最近測(cè)量的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)照，如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護(hù)儀就會(huì)
2023-08-16 10:30:26
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）
?片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備中已經(jīng)存在的高速鏈路。
TMC也可以作為系統(tǒng)中的先進(jìn)先出（FIFO）操作。這減少了跟蹤
通過(guò)平均跟蹤帶寬得出溢出和跟蹤端口大小
2023-08-02 14:35:05
，用于從計(jì)算機(jī)的RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）或其他設(shè)備的內(nèi)存中提取關(guān)鍵信息，以便了解設(shè)備在特定時(shí)間點(diǎn)的狀態(tài)和活動(dòng)。內(nèi)存取證的主要目的？?jī)?nèi)存取證的主要目的是獲取在計(jì)算機(jī)或設(shè)
2023-08-01 11:21:511056 
一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱(chēng)ram。
2023-07-25 15:28:37641 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和嵌入式閃存、一個(gè)提供時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)子系統(tǒng)組成。本數(shù)據(jù)手冊(cè)描述ADuCM4050 MCU的A
2023-07-17 15:08:25
和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)
2023-07-17 13:56:20
ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲(chǔ)器芯片。與浮柵存儲(chǔ)單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲(chǔ)單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲(chǔ)器，分成8字節(jié)大小的存儲(chǔ)塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊可具有寫(xiě)保護(hù)
2023-07-13 11:31:16
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）用于實(shí)時(shí)存儲(chǔ)CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫(xiě)入和擦除。RAM是存儲(chǔ)當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲(chǔ)器。
2023-07-06 14:22:271949 的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問(wèn)題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問(wèn)題就將迎刃而解。將國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類(lèi)型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)，而系統(tǒng)存儲(chǔ)器(4KB)除可作啟動(dòng)加載程序(Bootloader)外，也可一次性配置成一
般用戶程序和數(shù)據(jù)區(qū)，達(dá)到64+4KB的最大空間使用。片上還集成1個(gè)OTG控制器(設(shè)備模式支持
2023-06-08 16:10:08
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785 
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
無(wú)論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒(méi)有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無(wú)法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55316 主存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲(chǔ)容量**
存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實(shí)際存儲(chǔ)容量：** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間，也稱(chēng)為讀寫(xiě)周期；
2023-05-26 11:28:10823 
SDRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，與CPU的時(shí)鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（單數(shù)據(jù)速率SDRAM）。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只能讀/寫(xiě)一拍數(shù)據(jù)。在傳輸下一個(gè)讀/寫(xiě)操作之前，需要等待命令完成。SDR 速度從 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
。
EEPROM的全稱(chēng)是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對(duì)于紫外擦除的rom來(lái)講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設(shè)備在每次寫(xiě)操作時(shí)都必須以塊的方式寫(xiě)入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)快速訪問(wèn)芯片的可尋址區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)字節(jié)的快速訪問(wèn)。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤(pán)屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191540 描述? BL24C256A提供262144位串行電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織為32768字，每個(gè)8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-17 10:19:18
描述? BL24C02F提供了2048位的串行電可擦除和可編程的只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織為256個(gè)字，每位8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少的。特點(diǎn)
2023-05-16 17:50:19
描述? BL24CM2A提供2097152位串行電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織為262144字，每個(gè)8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-16 17:42:25
EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問(wèn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205062 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462545 。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory，RAM)又稱(chēng)作\"隨機(jī)存儲(chǔ)器\"。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將
2023-04-10 16:43:04
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
設(shè)備基于運(yùn)行頻率高達(dá) 80 MHz 的第 2 版 ColdFire 內(nèi)核，以實(shí)現(xiàn)性能和低功耗。片上存儲(chǔ)器與處理器內(nèi)核緊密耦合，包括 512 KB 閃存和 64 KB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)。片
2023-03-31 08:49:25
ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有如低功耗和快速寫(xiě)入的特長(zhǎng)。該存儲(chǔ)器在所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽(tīng)器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351054
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論