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從第一個晶體管問世算起，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展已有多半個世紀(jì)了，現(xiàn)在它仍保持著強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢，繼續(xù)遵循 Moore 定律即芯片集成度18個月翻一番，每三年器件尺寸縮小0.7倍的速度發(fā)展。大尺寸、細(xì)線寬、高精度、高效率、低成本的IC生產(chǎn)，正在對半導(dǎo)體設(shè)備帶來前所未有的挑戰(zhàn)。
集成電路在制造過程中經(jīng)歷了材料制備、掩膜、光刻、清洗、刻蝕、滲雜、化學(xué)機(jī)械拋光等多個工序，其中尤以光刻工藝最為關(guān)鍵，決定著制造工藝的先進(jìn)程度。隨著集成電路由微米級向鈉米級發(fā)展，光刻采用的光波波長也從近紫外（NUV）區(qū)間的436nm、365nm波長進(jìn)入到深紫外（DUV）區(qū)間的248nm、193nm波長。目前大部分芯片制造工藝采yong了 248nm 和 193nm 光刻技術(shù)。目前對于 13.5nm 波長的 EUV 極端遠(yuǎn)紫外光刻技術(shù)研究也在提速前進(jìn)。
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