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針對硅在 KOH 中的各向異性腐蝕提出了一個新的物理模型。 此模型從微觀角度出發(fā)， 根據(jù)實際的腐蝕化學(xué)反應(yīng)過程確定了若干微觀狀態(tài)， 提出了反映腐蝕特性的若干微觀參數(shù)。 將腐蝕溫度、濃度等對腐蝕速率的影響也反映了進(jìn)去。 計算結(jié)果與實驗結(jié)果進(jìn)行了對比， 表明此模型在解釋硅在 KOH 中各向異性腐蝕特性等方面具有一定的合理性。
微電子機(jī)械系統(tǒng)（M EM S） 的發(fā)展令人矚目， 它是在微電子工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的前沿研究領(lǐng)域。 M EM S 的三維結(jié)構(gòu)， 突破了集成電路平面結(jié)構(gòu)的限制， 從而拓寬了M EM S 的實際應(yīng)用領(lǐng)域。 為此， 在集成電路平面工藝的基礎(chǔ)上， 需要加上特有的體加工工藝技術(shù)來實現(xiàn)M EM S的三維結(jié)構(gòu)， 例如各向異性腐蝕技術(shù)［ 1 ］等。
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