?引言 我們報(bào)道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進(jìn)行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級(jí)的橫向尺度和幾微米量級(jí)的輪廓深度的精確的任意非球面。我們討論了決定
2022-05-11 14:31:36
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與濕法蝕刻相比，等離子蝕刻的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是能夠獲得高度定向（各向異性）的蝕刻工藝。
2021-10-07 15:51:002670 
是該晶格中唯一光滑的面，其他面可能只是因?yàn)楸砻嬷亟ǘ枪饣摹Ｍㄟ^這種方式，我們解釋了在001方向上KOH：H20中的最小值。實(shí)驗(yàn)對(duì)HF：HN03溶液中接近001的最小蝕刻率的形狀和從各向同異性向各向異性蝕刻的過渡進(jìn)行了兩個(gè)關(guān)鍵預(yù)測。
2022-01-25 13:51:111721 
硅結(jié)構(gòu)。因此，<100>硅的各向異性蝕刻是普通基于MEMS的技術(shù)中實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵過程。這些結(jié)構(gòu)包括晶體管的v形凹槽、噴墨的小孔和MEMS壓力傳感器的隔膜。實(shí)際的反應(yīng)機(jī)理尚不清楚，該過程
2022-03-08 14:07:251768 
在本研究中，我們設(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì)，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 
烯酸，精密地加工出微細(xì)的立體形狀。以各向異性烯酸為契機(jī)的半導(dǎo)體加工技術(shù)的發(fā)展，在晶圓上形成微細(xì)的機(jī)械結(jié)構(gòu)體，進(jìn)而機(jī)械地驅(qū)動(dòng)該結(jié)構(gòu)體，在20世紀(jì)70年代后半期的Stanford大學(xué)，IBM公司等的研究
2022-04-22 14:05:022823 
本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一起使用的某些溶液的蝕刻各向異性大于600
2022-05-05 10:59:15854 
接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進(jìn)一步各向異性蝕刻
2022-05-11 14:49:58712 
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會(huì)出現(xiàn)不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:261571 
對(duì)于蝕刻反應(yīng)具有不同的活化能，并且Si的KOH蝕刻不受擴(kuò)散限制而是受蝕刻速率限制，所以蝕刻過程各向異性地發(fā)生:{100}和{110}面比穩(wěn)定面蝕刻得更快 充當(dāng)蝕刻停止{111}平面。 (111)取向
2022-07-11 16:07:221342 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
磁電阻線性位置測量電路提供非接觸式AMR（各向異性磁阻）線性位置測量解決方案。該電路非常適用于高速，精確，非接觸長度和位置測量至關(guān)重要的應(yīng)用
2019-11-05 08:50:35
觸摸屏各向異性導(dǎo)電膠異方性導(dǎo)電膠***冠品***冠品ACA上海海鄭實(shí)業(yè)有限公司全面代理3M電子氟化液、電子涂層劑、氟素化學(xué)品，主要用于塑料、金屬、玻璃等表面上形成極薄的透明且
2009-07-04 17:22:48
同性的（即，所有方向的蝕刻速率都相同）或各向異性的（即，不同方向的蝕刻速率不同），盡管在 CMOS 制造中使用的大多數(shù)濕蝕刻劑是各向同性的。通常，與干蝕刻工藝相比，濕蝕刻劑往往具有高度選擇性。濕蝕刻槽
2021-07-06 09:32:40
晶體學(xué)和濕蝕刻的性質(zhì)? 濕的在基于KOH的化學(xué)中，GaN 的化學(xué)蝕刻具有高度的各向異性，能夠形成垂直和光滑的多面納米結(jié)構(gòu)。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch / xzl1019? 我們 可以
2021-07-08 13:09:52
最常見的是用于制造多種微結(jié)構(gòu)（包括例如微腔、懸臂梁）的晶體晶片的濕式各向異性蝕刻、隔膜等）。此外，這些相同的蝕刻也是制造各種集成器件的組成部分，例如加速度計(jì)、分束器、晶體管和梳狀結(jié)構(gòu)。使用 MEMS 微加工
2021-07-19 11:03:23
摘要：基于坐標(biāo)變換的光學(xué)變換理論已經(jīng)提出有好多年了，各種新型電磁器件被提出來，該文結(jié)合保角形變換理論設(shè)計(jì)了一款電磁波波導(dǎo)轉(zhuǎn)接器件，它的材料是非均勻各向同性的，而且比各向異性電磁器件更容易實(shí)現(xiàn)，然而它
2019-06-24 06:26:40
導(dǎo)電銀膠按導(dǎo)電方向分為各向同性導(dǎo)電銀膠和各向異性導(dǎo)電銀膠。
2019-11-06 09:01:49
有誰知道我可以在EMPRO中實(shí)現(xiàn)完全各向異性的方式？我想模擬一個(gè)完全復(fù)雜的3x3介電常數(shù)矩陣和一個(gè)完全復(fù)雜的3x3磁導(dǎo)率矩陣（即張量）。有沒有辦法在任何EMPRO模擬器中以這種方式定義材料？ 以上
2018-11-19 11:01:54
，為避免上述情形發(fā)生，現(xiàn)有的解決方法大多由去除硅晶片正面邊緣上的劍山著手，使硅晶片正面能呈現(xiàn)待蝕刻結(jié)構(gòu)。如此一來，當(dāng)夾持臂夾持晶片邊緣時(shí)，所接觸到的晶片正面邊緣便是平坦?fàn)?，不?huì)發(fā)生夾斷晶片正面邊緣上的劍
2018-03-16 11:53:10
主要有碳黑、石墨、多并苯、各向異性石墨、膨化石墨等。如在涂膏式鉛酸蓄電池的正極板中加入各向異性石墨，可以顯著增加正極板柵的容量并延長電池的循環(huán)壽命。這是由于陽極氧化導(dǎo)致石墨的膨脹而引起正極活性物質(zhì)
2011-03-10 16:36:32
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
證明一種高階各向異性擴(kuò)散與小波收縮的等價(jià)性，并根據(jù)等價(jià)性利用高階各向異性擴(kuò)散與小波收縮的優(yōu)勢，提出高階各向異性擴(kuò)散小波收縮降噪算法。該算法在低頻部分采用經(jīng)典的
2009-03-20 17:03:33
13 各向異性擴(kuò)散平滑去噪的主要特點(diǎn)是擴(kuò)散方向的選擇性與定向擴(kuò)散能力，有效表征信號(hào)或圖像的局部結(jié)構(gòu)特征是各向異性擴(kuò)散的基礎(chǔ)，傳統(tǒng)的梯度表示方法極易受到噪聲干擾。該文
2009-04-23 09:56:3221 從靜磁表面波MSSW各向異性理論模擬出發(fā)，提出了通過調(diào)節(jié)磁場方向來實(shí)現(xiàn)對(duì)MSSW濾波器帶寬調(diào)制的方法，并由實(shí)驗(yàn)得到驗(yàn)證：即在微帶換能器寬度一定時(shí)，可以增加(或減小)磁場與
2009-05-12 21:42:2131 根據(jù)單晶硅各向異性腐蝕的特點(diǎn)，以晶格內(nèi)部原子鍵密度為主要因素，溫度、腐蝕液濃度等環(huán)境因素為校正因子，建立了一個(gè)新穎的硅各向異性腐蝕的計(jì)算機(jī)模擬模型。在+,--開發(fā)
2009-07-02 14:12:2419 基于改進(jìn)的各向異性擴(kuò)散的圖像恢復(fù):擴(kuò)散加權(quán)圖像中廣泛存在的高斯白噪聲會(huì)給張量計(jì)算和腦白質(zhì)追蹤等帶來嚴(yán)重的影響為了減少噪聲影響, 嘗試采用改進(jìn)的各向異性擴(kuò)散濾波器來
2009-10-26 11:29:4621 單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)中的導(dǎo)模特性:推導(dǎo)了介電常數(shù)張量和磁導(dǎo)率張量中各分量帶有不同符號(hào)的單軸各向異性異向介質(zhì)平板波導(dǎo)的導(dǎo)行條件。根據(jù)分量符號(hào)的正負(fù)組合,分情
2009-10-26 17:00:2220 環(huán)境對(duì)各向異性導(dǎo)電膠膜性能參數(shù)的影響張軍，賈宏，陳旭（鄭州大學(xué)化工學(xué)院，鄭州 450002）摘要：各向異性導(dǎo)電膠膜(ACF)的玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg 是它的一個(gè)重要性能參數(shù)，用
2009-12-14 11:42:1143 本文在研究二階各向異性擴(kuò)散方程與四階各向異性擴(kuò)散方程的基礎(chǔ)上，提出了二者結(jié)合的組合擴(kuò)散算子，同時(shí)提出了新的擴(kuò)散系數(shù)。實(shí)驗(yàn)表明，新方法對(duì)高斯噪聲比原有的兩種方法
2010-01-15 11:28:2519 各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)( HTS)微帶天線
分析了各向異性襯底上的高溫超導(dǎo)微帶天線特性。選取兩種典型的高溫超導(dǎo)各向異性介質(zhì)———GaNdAlO3 和SrLaAlO4 作為高溫超
2010-02-22 16:50:5712 一種改進(jìn)的各向異性高斯濾波算法摘 要：為了抑制更好的抑制噪聲保留邊緣信息, 提出了一種各向異性高斯濾波的改進(jìn)方法, 該方法先用中值濾波去除椒鹽噪聲, 再
2010-04-23 14:59:5119 在各向同性介質(zhì)中，折射率與入射光的偏振態(tài)無關(guān)，而在各向異性介質(zhì)中，不同偏振態(tài)的平面波將以不同的速度和方向傳播而出現(xiàn)分支，這種現(xiàn)象稱作雙．折．射．。各向異性
2010-09-13 15:53:580 詳細(xì)介紹了各向異性磁阻傳感器的物理機(jī)理，并以HMC1002為例說明其測量原理、芯片以及電路的主要特點(diǎn)，給出了弱磁測量的結(jié)果與分析。將hmc1001、hmc1002與傾角傳感器相結(jié)合，可用于姿
2011-09-06 14:31:44101 提出了一種用各向異性雙變量拉普拉斯函數(shù)模型去模擬NSCT域的系數(shù)的圖像去噪算法，這種各向異性雙邊拉普拉斯模型不僅考慮了NSCT系數(shù)相鄰尺度間的父子關(guān)系，同時(shí)滿足自然圖像不同
2012-10-16 16:06:0321 的影響也反映了進(jìn)去。 計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比， 表明此模型在解釋硅在 KOH 中各向異性腐蝕特性等方面具有一定的合理性。 微電子機(jī)械系統(tǒng)（M EM S） 的發(fā)展令人矚目， 它是在微電子工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的前沿研究領(lǐng)域。 M
2017-11-07 19:48:1425 深度圖像受其測距原理所限，存在邊緣不匹配、無效像素、噪聲等問題，提出一種基于改進(jìn)的各向異性擴(kuò)散算法的深度圖像增強(qiáng)方法。首先，校正深度圖像和彩色圖像的位置關(guān)系，并根據(jù)時(shí)間連續(xù)性選擇多幀圖像，進(jìn)行
2017-11-25 11:08:469 摘要： 針對(duì)感應(yīng)線圈式車輛檢測器的不足，設(shè)計(jì)了一種基于各向異性磁阻傳感器(AMR)的非接觸式智能車輛監(jiān)測裝置，能監(jiān)測車輛的到達(dá)時(shí)間、類型、方向和車速等基本信息。系統(tǒng)主要由采集系統(tǒng)和顯示系統(tǒng)兩個(gè)獨(dú)立
2018-01-20 03:05:38397 機(jī)械系統(tǒng)（ Micro-Electro-Mechanical System，MEMS）工藝的一項(xiàng)核心工藝，利用該技術(shù)可以在硅襯底上加工出各種復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)。硅各向異性腐蝕是制造微機(jī)械結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)之一，利用該技術(shù)可以制造出微型傳感器和微執(zhí)行器等精密的三維結(jié)構(gòu)。 硅各向異性腐蝕
2018-02-07 16:27:411 在圖像去噪過程中，為保持圖像邊緣并去除噪聲，提出一種結(jié)合片相似性各向異性擴(kuò)散（ AD）和沖擊濾波器的圖像去噪和增強(qiáng)模型。采用片相似性AD模型去除圖像中的噪聲，引入沖擊濾波器增強(qiáng)圖像的重要結(jié)構(gòu)特征
2018-02-24 15:37:480 在此次發(fā)表的論文中，在實(shí)空間中系統(tǒng)研究了天然層狀材料α相三氧化鉬中橢圓型和雙曲型兩種新型聲子極化激元的各向異性傳輸特性（如圖3）。α相三氧化鉬的晶格結(jié)構(gòu)具有獨(dú)特的面內(nèi)各向異性，其[001
2018-12-07 14:49:284845 為此，中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所智能高分子材料團(tuán)隊(duì)研究員陳濤和張佳瑋開展了一系列工作。通過構(gòu)筑非對(duì)稱性各向異性水凝膠及其復(fù)合體系，實(shí)現(xiàn)了仿生水凝膠驅(qū)動(dòng)器的多功能化（如圖1）。
2018-12-31 11:26:006930 邏輯芯片是第一個(gè)應(yīng)用，但不是唯一的。 Mitra說：“雖然各向異性現(xiàn)在有更多的應(yīng)用，但各向同性蝕刻適應(yīng)新的應(yīng)用和變化。它使客戶能夠解決新的問題，特別是當(dāng)客戶正在越來越多的向3D制程進(jìn)軍時(shí)。如果
2019-09-04 11:29:3410626 強(qiáng)磁場中心薛飛團(tuán)隊(duì)于2019年提出并實(shí)現(xiàn)了一種針對(duì)納米盤和納米顆粒的有效的樣品制備和實(shí)驗(yàn)器件加工工藝，解決了第一個(gè)問題。對(duì)于第二個(gè)問題，此前基于Stoner-Wohlfarth模型的分析方法只能定量分析具有單軸磁各向異性的樣品，對(duì)于非單軸的樣品則無能為力。
2020-06-24 09:41:071694 
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