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　　《IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線，系統(tǒng)地論述了場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識(shí)，內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計(jì)、制作工藝及應(yīng)用等，重點(diǎn)討論IGBT，同時(shí)對(duì)其他器件如VDMOS、C001MOS等也作了簡(jiǎn)單介紹?！禝GBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》著重闡述基礎(chǔ)理論，并適當(dāng)吸收該領(lǐng)域近期的研究報(bào)道，各章后附有相關(guān)參考文獻(xiàn)，《IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》后還附有全書(shū)統(tǒng)一使用的符號(hào)表。

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　　《IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》可作為高等院校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)、微電子與固體電子學(xué)專業(yè)的教學(xué)用書(shū)，也可供從事物理專業(yè)及電子信息專業(yè)領(lǐng)域的教師、科研人員、研究生和本科生等參考閱讀。

　　作者簡(jiǎn)介

　　袁壽財(cái)，生于1963年3月，陜西省商洛山陽(yáng)縣人。1985年，獲西安交通大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)工學(xué)學(xué)士;1988年，獲陜西微電子學(xué)研究所(陜西臨潼)碩士學(xué)位(VLSI研究方向);2003年，獲西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科工學(xué)博士學(xué)位?，F(xiàn)為贛南師范學(xué)院(江西省贛州市)物理與電子信息學(xué)院教師。從事半導(dǎo)體大功率器件、新材料新器件及微納電子器件與電路的研究和教學(xué)工作。先后參與機(jī)械工業(yè)部“八五”科技攻關(guān)項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金及國(guó)家863計(jì)劃等多項(xiàng)科研項(xiàng)目。2004年4月，“一種硅化物全自對(duì)準(zhǔn)槽柵絕緣柵雙極晶體管的制備方法”取得了國(guó)家發(fā)明專利。發(fā)表的學(xué)術(shù)論文中，SCI收錄4篇，EI收錄5篇。