LinkSwitch XT集成了700 V功率MOSFET、振蕩器、簡(jiǎn)單的開/關(guān)控制方案、高壓開關(guān)電流源、頻率抖動(dòng)、循環(huán)電流限制和熱關(guān)機(jī)電路。啟動(dòng)和工作功率直接來(lái)自漏極引腳，消除了對(duì)偏置繞組和相關(guān)電路的需要。

　　LinkSwitch XT將高壓功率MOSFET開關(guān)與電源控制器組合在一個(gè)設(shè)備中。與傳統(tǒng)的PWM（脈沖寬度調(diào)制器）控制器不同，一個(gè)簡(jiǎn)單的開/關(guān)控制調(diào)節(jié)輸出電壓。該控制器由振蕩器、反饋（檢測(cè)和邏輯）電路、5.8v調(diào)節(jié)器、旁路管腳欠壓電路、過溫保護(hù)、頻率抖動(dòng)、限流電路和集成了700v功率MOSFET的前沿消隱電路組成。LinkSwitch XT包含用于自動(dòng)重新啟動(dòng)的附加電路。振蕩器典型的振蕩器頻率在內(nèi)部設(shè)置為平均132kHz。振蕩器產(chǎn)生兩個(gè)信號(hào)：最大占空比信號(hào)（DCMAX）和指示每個(gè)周期開始的時(shí)鐘信號(hào)。振蕩器包含引入少量頻率抖動(dòng)（通常為9 kHz峰間抖動(dòng)）的電路，以最小化EMI發(fā)射。頻率抖動(dòng)的調(diào)制速率設(shè)置為1.5 kHz，以優(yōu)化平均和準(zhǔn)峰值發(fā)射的EMI降低。頻率抖動(dòng)應(yīng)通過在漏極波形下降沿觸發(fā)的示波器進(jìn)行測(cè)量。圖4中的波形說(shuō)明了頻率抖動(dòng)。反饋輸入電路FB引腳處的反饋輸入電路包括一個(gè)低阻抗源極跟隨器輸出，LNK362為1.65 V，LNK363/364為1.63 V。當(dāng)輸入該引腳的電流超過49μA時(shí)，在反饋電路的輸出端產(chǎn)生低邏輯電平（禁用）。該輸出在時(shí)鐘信號(hào)上升沿的每個(gè)周期開始時(shí)采樣。如果高，則功率MOSFET在該循環(huán)中打開（啟用），否則功率MOSFET保持關(guān)閉（禁用）。由于采樣僅在每個(gè)循環(huán)開始時(shí)完成，因此循環(huán)剩余時(shí)間內(nèi)FB引腳電壓或電流的后續(xù)變化將被忽略。5.8 V調(diào)節(jié)器和6.3 V并聯(lián)電壓鉗位5.8 V調(diào)節(jié)器通過從漏極上的電壓中提取電流，在MOSFET關(guān)閉的情況下，對(duì)連接到旁路引腳的旁路電容器充電至5.8 V。旁路引腳是內(nèi)部電源電壓節(jié)點(diǎn)。當(dāng)MOSFET接通時(shí)，LinkSwitch XT會(huì)耗盡旁路電容器中存儲(chǔ)的能量。內(nèi)部電路極低的功耗允許設(shè)備從漏極引腳的電流持續(xù)工作。0.1μF的旁路電容值對(duì)高頻解耦和儲(chǔ)能都是足夠的。此外，當(dāng)電流通過外部電阻器提供給旁路引腳時(shí)，有一個(gè)6.3V并聯(lián)調(diào)節(jié)器將旁路引腳夾緊在6.3V。這有助于通過偏置繞組從外部為設(shè)備供電，從而將空載消耗降低到50mw以下。