資料介紹
LTCC基板可以提高布線密度和信號傳輸速度;基板的熱膨脹系數(shù)可以做到和硅器件接近,對安裝裸片硅器件非常有利;可以內(nèi)埋無源元件,形成立體高密度組件。
20世紀80年代以來,日、美等國在這一領(lǐng)域做了大量工作,己開發(fā)出適用于VLSI、ULSI芯片組裝要求的LTCC基板,在航天、通信、計算機和軍事等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。如美國海軍水面作戰(zhàn)中心研制的水下數(shù)字處理裝置、美國Martin Marietta公司生產(chǎn)的用于目標搜索和識別的圖像處理電子裝置SEM-E、西屋公司制造的有源相控陣雷達的T/R組件、TRW公司研制的模擬視頻信號一數(shù)字信號轉(zhuǎn)換器等都采用了LTCC基板。
目前國內(nèi)關(guān)于LTCC產(chǎn)品的研制尚處于初期發(fā)展階段,相關(guān)設(shè)計和工藝技術(shù)都不成熟。國內(nèi)有幾家研究所已經(jīng)或正在引進LTCC設(shè)備,開發(fā)LTCC功能模塊,但由于LTCC產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn),必須依靠材料、設(shè)計、設(shè)備等多方面的支持,而且LTCC產(chǎn)品的一致性和精度完全依賴于所用材料的穩(wěn)定性和工藝,故工藝技術(shù)及優(yōu)化尤為重要。本文基于有限元分析方法對LTCC基板密集孔區(qū)域進行研究,為LTCC基板的有限元仿真及優(yōu)化提供依據(jù)。
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