資料介紹
可測(cè)性設(shè)計(jì)(Design for Test,DFT)最早用于數(shù)字電路設(shè)計(jì)。隨著模擬電
路的發(fā)展和芯片 集成度的提高,單芯片數(shù)模混合系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生,混合電路測(cè)試,
尤其是混合電路中模擬電路的測(cè)試,引起了設(shè)計(jì)者的廣泛關(guān)注。邊界掃描是數(shù)字
電路可測(cè)性設(shè)計(jì)中常用的技術(shù),基于IE EE1149 1 邊界掃描技術(shù)。本文針對(duì)
一款應(yīng)用于大規(guī)模集成電路的CMOS 高頻鎖相環(huán)時(shí)鐘發(fā)生器,提出了一種可行
的測(cè)試方案,重點(diǎn)講述了鎖相環(huán)的輸出頻率和鎖定時(shí)間參數(shù)的測(cè)試,給出了具體
的測(cè)試電路和測(cè)試方法。對(duì)于應(yīng)用在大規(guī)模電路系統(tǒng)中的鎖相環(huán)模塊,該測(cè)試方
案既可用于鎖相環(huán)的性能評(píng)測(cè),也可用于鎖相環(huán)的生產(chǎn)測(cè)試?!?BR>1 鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)及原理
本文所要測(cè)試的是用于大規(guī)模集成電路的鎖相環(huán)時(shí)鐘發(fā)生器,他是一款基于
0.18 μm CMOS 數(shù)字工藝設(shè)計(jì)的高頻電荷泵鎖相環(huán)(Charge Pump Phase
Locking Loop,CPPLL),最高輸出頻率達(dá)1.2 GHz。
此鎖相環(huán)的電路結(jié)構(gòu)如圖1 所示,他包括輸入分頻器、鑒頻鑒相器(Phase
Frequency Detec t,PFD)、電荷泵(Charge Pump,CP)、壓控振蕩器(Voltage
Controlled Oscillator, VCO)、環(huán)路低通濾波器(Lowpass Filter,LPF)和反
饋分頻器等基本單元。輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)輸入分頻器分頻為參考信號(hào),壓控振蕩器的
輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)反饋分頻器分頻為反饋信號(hào);參考信號(hào)和反饋信號(hào)在鑒頻鑒相器中
進(jìn)行相位比較,得到相位差信號(hào);電荷泵和低通濾波器將相位差信號(hào)轉(zhuǎn)換為相應(yīng)
的電平信號(hào);該電平信號(hào)控制壓控振蕩器的輸出頻率。通過(guò)反饋環(huán)路,最終達(dá)到
相位鎖定。鎖定狀態(tài)時(shí),參考信號(hào)和反饋信號(hào)同頻同相。
為了更好地抑制噪聲,鎖相環(huán)采用了差分的電路結(jié)構(gòu)。其中,壓控振蕩器采
用環(huán)形振蕩器結(jié) 構(gòu)實(shí)現(xiàn),主要由3 個(gè)完全相同的延遲單元順次連接而成。2 測(cè)試方案
模擬電路傳統(tǒng)的測(cè)試方法比較簡(jiǎn)單,將輸入輸出信號(hào)直接引出,檢測(cè)輸入信
號(hào)對(duì)應(yīng)的輸出響 應(yīng)即可。隨著工作頻率的升高,封裝管腳和引線寄生參數(shù)不容
忽視,傳統(tǒng)的測(cè)試方法也受到挑戰(zhàn)。由于模擬信號(hào)的抗干擾能力差,輕微的擾動(dòng)
都可能會(huì)影響電路的性能,測(cè)試電路應(yīng)該盡量簡(jiǎn)單,以避免引入不必要的噪聲。
最高輸出頻率、輸出頻率范圍和鎖定時(shí)間等都是高頻鎖相環(huán)需要測(cè)試的重要
性能參數(shù)。對(duì)于工作頻率高達(dá)GHz 的高頻鎖相環(huán),顯然難以采用傳統(tǒng)的測(cè)試方
法來(lái)完成,需要進(jìn)行專用測(cè)試電路設(shè)計(jì),即在芯片內(nèi)設(shè)計(jì)一定的測(cè)試電路以便投
片后進(jìn)行測(cè)試。
2.1 輸出頻率測(cè)試
作為時(shí)鐘發(fā)生器,鎖相環(huán)一般工作于整個(gè)電路系統(tǒng)的最高頻率,而壓控振蕩
器工作于鎖相環(huán)的最高頻率。如圖1 所示,鎖相環(huán)的輸出頻率就是壓控振蕩器的
工作頻率,因此鎖相環(huán)的輸出頻率測(cè)試實(shí)質(zhì)上是對(duì)壓控振蕩器的最高振蕩頻率和
振蕩范圍的測(cè)試。
由于輸出管腳的引線存在寄生的電感電容,這些寄生參數(shù)容易引入較大的高
頻耦合噪聲;高頻信號(hào)經(jīng)過(guò)這些引線輸出到管腳通常會(huì)產(chǎn)生較大的衰減。因此,
壓控振蕩器的高頻輸出信號(hào)很難引出芯片外直接測(cè)量。另一方面,高頻信號(hào)的測(cè)
試對(duì)測(cè)量?jī)x器要求很高,測(cè)試板上的外加信號(hào)一旦經(jīng)過(guò)高頻通路耦合到電路內(nèi)
部,就會(huì)影響測(cè)試結(jié)果,甚至干擾電路的工作。
路的發(fā)展和芯片 集成度的提高,單芯片數(shù)模混合系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生,混合電路測(cè)試,
尤其是混合電路中模擬電路的測(cè)試,引起了設(shè)計(jì)者的廣泛關(guān)注。邊界掃描是數(shù)字
電路可測(cè)性設(shè)計(jì)中常用的技術(shù),基于IE EE1149 1 邊界掃描技術(shù)。本文針對(duì)
一款應(yīng)用于大規(guī)模集成電路的CMOS 高頻鎖相環(huán)時(shí)鐘發(fā)生器,提出了一種可行
的測(cè)試方案,重點(diǎn)講述了鎖相環(huán)的輸出頻率和鎖定時(shí)間參數(shù)的測(cè)試,給出了具體
的測(cè)試電路和測(cè)試方法。對(duì)于應(yīng)用在大規(guī)模電路系統(tǒng)中的鎖相環(huán)模塊,該測(cè)試方
案既可用于鎖相環(huán)的性能評(píng)測(cè),也可用于鎖相環(huán)的生產(chǎn)測(cè)試?!?BR>1 鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)及原理
本文所要測(cè)試的是用于大規(guī)模集成電路的鎖相環(huán)時(shí)鐘發(fā)生器,他是一款基于
0.18 μm CMOS 數(shù)字工藝設(shè)計(jì)的高頻電荷泵鎖相環(huán)(Charge Pump Phase
Locking Loop,CPPLL),最高輸出頻率達(dá)1.2 GHz。
此鎖相環(huán)的電路結(jié)構(gòu)如圖1 所示,他包括輸入分頻器、鑒頻鑒相器(Phase
Frequency Detec t,PFD)、電荷泵(Charge Pump,CP)、壓控振蕩器(Voltage
Controlled Oscillator, VCO)、環(huán)路低通濾波器(Lowpass Filter,LPF)和反
饋分頻器等基本單元。輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)輸入分頻器分頻為參考信號(hào),壓控振蕩器的
輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)反饋分頻器分頻為反饋信號(hào);參考信號(hào)和反饋信號(hào)在鑒頻鑒相器中
進(jìn)行相位比較,得到相位差信號(hào);電荷泵和低通濾波器將相位差信號(hào)轉(zhuǎn)換為相應(yīng)
的電平信號(hào);該電平信號(hào)控制壓控振蕩器的輸出頻率。通過(guò)反饋環(huán)路,最終達(dá)到
相位鎖定。鎖定狀態(tài)時(shí),參考信號(hào)和反饋信號(hào)同頻同相。
為了更好地抑制噪聲,鎖相環(huán)采用了差分的電路結(jié)構(gòu)。其中,壓控振蕩器采
用環(huán)形振蕩器結(jié) 構(gòu)實(shí)現(xiàn),主要由3 個(gè)完全相同的延遲單元順次連接而成。2 測(cè)試方案
模擬電路傳統(tǒng)的測(cè)試方法比較簡(jiǎn)單,將輸入輸出信號(hào)直接引出,檢測(cè)輸入信
號(hào)對(duì)應(yīng)的輸出響 應(yīng)即可。隨著工作頻率的升高,封裝管腳和引線寄生參數(shù)不容
忽視,傳統(tǒng)的測(cè)試方法也受到挑戰(zhàn)。由于模擬信號(hào)的抗干擾能力差,輕微的擾動(dòng)
都可能會(huì)影響電路的性能,測(cè)試電路應(yīng)該盡量簡(jiǎn)單,以避免引入不必要的噪聲。
最高輸出頻率、輸出頻率范圍和鎖定時(shí)間等都是高頻鎖相環(huán)需要測(cè)試的重要
性能參數(shù)。對(duì)于工作頻率高達(dá)GHz 的高頻鎖相環(huán),顯然難以采用傳統(tǒng)的測(cè)試方
法來(lái)完成,需要進(jìn)行專用測(cè)試電路設(shè)計(jì),即在芯片內(nèi)設(shè)計(jì)一定的測(cè)試電路以便投
片后進(jìn)行測(cè)試。
2.1 輸出頻率測(cè)試
作為時(shí)鐘發(fā)生器,鎖相環(huán)一般工作于整個(gè)電路系統(tǒng)的最高頻率,而壓控振蕩
器工作于鎖相環(huán)的最高頻率。如圖1 所示,鎖相環(huán)的輸出頻率就是壓控振蕩器的
工作頻率,因此鎖相環(huán)的輸出頻率測(cè)試實(shí)質(zhì)上是對(duì)壓控振蕩器的最高振蕩頻率和
振蕩范圍的測(cè)試。
由于輸出管腳的引線存在寄生的電感電容,這些寄生參數(shù)容易引入較大的高
頻耦合噪聲;高頻信號(hào)經(jīng)過(guò)這些引線輸出到管腳通常會(huì)產(chǎn)生較大的衰減。因此,
壓控振蕩器的高頻輸出信號(hào)很難引出芯片外直接測(cè)量。另一方面,高頻信號(hào)的測(cè)
試對(duì)測(cè)量?jī)x器要求很高,測(cè)試板上的外加信號(hào)一旦經(jīng)過(guò)高頻通路耦合到電路內(nèi)
部,就會(huì)影響測(cè)試結(jié)果,甚至干擾電路的工作。
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