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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>模擬數(shù)字>600V_CoolMOS優(yōu)化設(shè)計(jì)

      600V_CoolMOS優(yōu)化設(shè)計(jì)

      2012-06-20 | pdf | 340 KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      CoolMOS具有優(yōu)越的直流特性。為了設(shè)計(jì)出一個(gè)600V CoolMOS結(jié)構(gòu)，首先CoolMOS的結(jié)構(gòu)人手，結(jié)合電荷平衡
      理論，分析了其高擊穿電壓BV、低導(dǎo)通電阻R。 的原理。通過(guò)理論計(jì)算，得到相關(guān)的設(shè)計(jì)參數(shù)，并結(jié)合TCAD軟件對(duì)Cool—
      MOS的多個(gè)參數(shù)(外延參數(shù)、注入劑量、單胞尺寸、推阱時(shí)間)進(jìn)行了優(yōu)化。最終得到擊穿電壓為630 V，特征導(dǎo)通電阻RmA僅
      為12．5 mQ·cm 的CoolMOS結(jié)構(gòu)，器件特性大大優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOSFET。
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