資料介紹
看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣,把自己收集整理的資料、個人理解發(fā)出來,與大家共享。個人理解不一定完全正確,僅供參考。COOLMOS(super junction)原理,與普通VDMOS的差異如下:
對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu),大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson就大了。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢?

對于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu),大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson就大了。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時對Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢?

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