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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>512K×32高速異步CMOS靜態(tài)RAM與3.3V電源IS61WV51232ALL/ALS

      512K×32高速異步CMOS靜態(tài)RAM與3.3V電源IS61WV51232ALL/ALS

      2017-09-20 | rar | 0.25 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　TheISSI IS61WV51232Axx/Bxx and IS64WV51232Bxx are high-speed， 16M-bit static RAMs organized as 512K words by 32 bits. It is fabricated using ISSI‘s high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques， yields highperformance and low power consumption devices. When CE is HIGH （deselected）， the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using Chip Enable and Output Enable inputs， CE and OE. The active LOW Write Enable （WE） controls both writing and reading of the memory. The device is packaged in the JEDEC standard 90-ball BGA （8mm x 13mm）.
      512K×32高速異步CMOS靜態(tài)RAM與3.3V電源IS61WV51232ALL/ALS

      CMOS RAM IS61WV51232
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