微光光照強(qiáng)度對單晶硅 （c - Si） 太陽電池效率的影響　　光的輻射測量中 ，經(jīng)常采用下列兩個(gè)物理量 ： 光照通量 ———單位時(shí)間內(nèi)以輻射方式發(fā)送、傳遞、或接收的能量。 單位是 W 或 mW. 輻照度 ———單位面積上的光照通量 ，簡稱光強(qiáng)。 單位是 W/ m2 。地面太陽電池標(biāo)準(zhǔn)測試條件是 ：輻照度為 1000 W/ m2 、光譜為 AM1、電池溫度為 25 ℃。 但是 ，目前對室內(nèi)條件下的太陽電池測試沒有一個(gè)標(biāo)準(zhǔn) ，把太陽電池的室內(nèi)測試條件定義為 ：輻照度在 1～1000 W/ m2 范圍內(nèi)、光譜為 AM1. 5、電池溫度 25 ℃，并把這個(gè)條件中的光照強(qiáng)度定義為微光光照強(qiáng)度 ，簡稱微光照強(qiáng)度。 室內(nèi)的溫差比室外要小得多。 因此 ，在考慮室內(nèi)微光照強(qiáng)度對太陽電池效率的影響時(shí) ，溫度變化的因素可以忽略不計(jì)。 光照強(qiáng)度不同時(shí) ，單晶硅 （c - Si） 太陽電池的最佳工作點(diǎn)也不同。 當(dāng)強(qiáng)度增大時(shí) ，短路電流就線性增大 ，而開路電壓也按對數(shù)關(guān)系增大。 低光照強(qiáng)度時(shí) ，串聯(lián)電阻的影響相對來說并不顯著 ，但旁路電阻的漏電流大小可以與光電流相比較 ，因此會大大地影響開路電壓 V oc和填充因數(shù) FF［2 ］ 。 在高光照強(qiáng)度時(shí)旁路電阻不太重要 ，串聯(lián)電阻起著明顯的作用。 由于 V oc和 FF 的變化 ，隨著光照強(qiáng)度增強(qiáng) ，效率也隨著提高 ，但是當(dāng)光強(qiáng)增加到高注入階段 ，效率會達(dá)到飽和甚至減小。 ［3 ］ 單晶硅（c - Si） 太陽電池的微光照強(qiáng)度 - 效率曲線如圖 1.