一、多晶硅電池與單晶硅電池的比較

　　多晶硅太陽電池與單晶硅太陽電池相比有如下特點(diǎn)：

　?。?）比起單晶硅，多晶硅硅片更適合用純度相對較低的原材料，且有更大的裝填量，目前常見的多晶硅錠達(dá)到 250~270 千克。

　?。?）多晶硅太陽電池是標(biāo)準(zhǔn)正方形，與準(zhǔn)方形的單晶硅太陽電池相比多晶硅太陽電池在組件封裝有更高的占空比。

　?。?）制備多晶硅晶錠比制備單晶硅晶錠耗費(fèi)更少的能量，相同時(shí)間內(nèi)可冷凝更多的多晶硅晶錠，生產(chǎn)效率更高。

　?。?）多晶硅和單晶硅太陽電池內(nèi)在品質(zhì)和在同一環(huán)境下的使用壽命相同。

　?。?）單晶硅太陽電池較易實(shí)現(xiàn)薄片制備，而多晶硅太陽電池則較難實(shí)現(xiàn)薄片制備。單晶硅與多晶硅太陽電池各有優(yōu)缺點(diǎn)，目前兩種電池都在并行發(fā)展。

　　多晶硅片是由很多不同的單晶硅組成，各單晶晶粒晶向不同，形狀也不規(guī)則。同一晶粒內(nèi)部原子排列呈周期性和有序性。多晶硅與單晶硅的主要區(qū)別是不同晶向的晶粒間存在晶界。晶粒間結(jié)構(gòu)復(fù)雜，硅原子無序排列，可能存在深能級缺陷的雜質(zhì)。一方面，界面耗盡了晶界附近的載流子形成具有一定寬度的耗盡層和勢壘；另一方面，作為復(fù)合中心浮獲電子和空穴。晶界勢壘阻礙載流子的傳輸，增大了串聯(lián)電阻；晶界的復(fù)合損失減低了收集率，增加了暗電流；對填充因子不利，對開路電壓和短路電流也不利。還有，晶粒晶界內(nèi)存在相對較多的雜質(zhì)，形成漏電電流降低電池的并聯(lián)電阻。同一多晶硅硅片的晶粒越小晶界越多，增大晶粒尺寸可以減少晶界的量，提高多晶硅的性能。

　　鑒于多晶硅的以上結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。多晶硅太陽電池制作過程中各個(gè)環(huán)節(jié)均與單晶硅太陽電池的制作具備不同的特點(diǎn)。