資料介紹
通過對硅片的少數(shù)載流子有效壽命、硅太陽電池的反射損失和光譜響應這三個方面的研究,比較了目前主要的硅太陽電池表面鈍化技術,對這些鈍化技術的優(yōu)缺點進行了分析和評價。從上述三個方面的比較可以看出,RTO/SiN x 堆疊鈍化技術在提高硅太陽電池性能上是最優(yōu)的,具有良好的應用前景。
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