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作為一種間接頻率合成方法，鎖相環(huán)應(yīng)用非常廣泛，包括存儲器、微處理器、硬盤驅(qū)動電路、射頻和無線收發(fā)器等領(lǐng)域。集成電路的飛速發(fā)展使鎖相環(huán)電路能夠以較低的成本集成在芯片內(nèi)部。片上集成鎖相環(huán)可以根據(jù)一個低頻率的輸入信號產(chǎn)生一個同相位的高頻信號，使高頻信號僅集中于芯片內(nèi)部，避免了芯片外部需要使用高頻信號而產(chǎn)生的相互干擾。然而，一般集成鎖相環(huán)的實現(xiàn)依賴于片上的電感和電容，但電感和電容均屬無源器件，需要占據(jù)較大面積，且工作在1GHz以下時，電感的品質(zhì)兇數(shù)低，因此性價比不高。鑒于此，本文將設(shè)計一種基于標準CMOS 工藝實現(xiàn)的鎖相環(huán)電路，該電路的壓控振蕩器由電壓一電流轉(zhuǎn)換電路和差分延時環(huán)路組成，既能保證頻率范圍，又能兼顧面積和相位噪聲。
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