ISG6122TD 700V 30mΩ SolidGaN 配備 DESAT抗擾保護(hù)技術(shù)手冊
資料介紹
該系列產(chǎn)品還配備了內(nèi)置保護(hù),包括DESAT保護(hù)、輸入U(xiǎn)VLO和OTP,能夠進(jìn)一步確保設(shè)備的穩(wěn)健性和系統(tǒng)安全性。
產(chǎn)品性能
· 集成700V,22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度柵極鉗位
· 兼容IGBT,Si MOSFET,SiC引腳,可直接替換
· 10V~24V輸入電壓范圍支持主流驅(qū)動器和控制器生態(tài)
· 內(nèi)置米勒鉗位,無需負(fù)壓關(guān)斷,支持高達(dá)100V/ns開關(guān)速度
· 集成短路保護(hù),欠壓保護(hù),過溫保護(hù),增加系統(tǒng)魯棒性
應(yīng)用優(yōu)勢
? 高開關(guān)頻率
? 高功率密度
? 高散熱能力
? 高抗干擾能力
? 簡單易用
? 高可靠性
應(yīng)用領(lǐng)域
· 適合500W-4KW大功率電源和馬達(dá)驅(qū)動
· 可廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源,空調(diào)電源,汽車OBC
作為行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產(chǎn)品,ISG612XTD SolidGaN IC將先進(jìn)的700V E型GaN FET無縫集成,為電力電子的性能、易用性和可靠性設(shè)定了全新標(biāo)準(zhǔn),有望成為高效率、高安全性的終端應(yīng)用系統(tǒng)的關(guān)鍵器件。
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